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本发明涉及一种三维存储器及其制造方法，该三维存储器包括：衬底；形成于所述衬底上的核心存储区和台阶区，所述核心存储区包括形成于所述衬底上的堆叠结构，所述台阶区包括由所述堆叠结构形成的台阶结构；贯穿所述核心存储区和台阶区的栅线；以及位于相邻两个...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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