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本发明提供了一种存储器的制作方法。该制作方法包括以下步骤：提供衬底，衬底上具有双堆叠结构，双堆叠结构中具有贯穿至衬底的多个沟道孔阵列，各沟道孔阵列包括多排沿第一方向分布的沟道孔；位于沟道孔阵列中部的任意一排沟道孔作为待刻蚀沟道孔列，减薄待刻...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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