半导体封装及其制造方法技术

一种半导体封装包括半导体管芯、重布线结构及连接端子。重布线结构设置在半导体管芯上且包括设置在一对介电层之间的第一金属化层级。第一金属化层级包括电连接到半导体管芯的路由导电迹线以及与半导体管芯电绝缘的屏蔽板片。连接端子包括虚设连接端子及有效连接端子。虚设连接端子设置在重布线结构上且电连接到屏蔽板片。有效连接端子设置在重布线结构上且电连接到路由导电迹线。虚设连接端子的垂直投影落在屏蔽板片上。投影落在屏蔽板片上。投影落在屏蔽板片上。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装及其制造方法


[0001]本专利技术的实施例是有关于半导体封装及其制造方法。

技术介绍

[0002]在各种电子设备(例如，手机及其他移动电子装备)中使用的半导体器件及集成电路通常制造在单个半导体晶片上。可在晶片级上将晶片的管芯与其他半导体器件或管芯一起处理并封装，且已经开发出用于晶片级封装的各种技术及应用。多个半导体器件的集成已成为本领域的一个挑战。为响应对小型化、更高的速度及更好的电性能(例如，更低的传输损耗及插入损耗)的日益增长的需求，正积极地研究更具创造性的封装及组装技术。

技术实现思路

[0003]本专利技术的实施例涉及一种半导体封装，所述半导体封装包括：半导体管芯、重布线结构以及连接端子。重布线结构，设置在所述半导体管芯上且包括设置在一对介电层之间的第一金属化层级，其中所述第一金属化层级包括：路由导电迹线，电连接到所述半导体管芯；以及屏蔽板片，与所述半导体管芯电绝缘。连接端子，包括：虚设连接端子，设置在所述重布线结构上且电连接到所述屏蔽板片；以及有效连接端子，设置在所述重布线结构上且电连接到所述路由导电迹线，其中所述虚设连接端子的垂直投影落在所述屏蔽板片上。
[0004]本专利技术的实施例涉及一种半导体封装，所述半导体封装包括：半导体管芯、包封体、重布线结构以及连接端子。半导体管芯，包括：半导体衬底；接触垫，形成在所述半导体衬底的顶表面处；以及钝化层，形成在所述半导体衬底的所述顶表面处且暴露出所述接触垫。包封体，在侧向上环绕所述半导体管芯。重布线结构，设置在所述半导体管芯及所述包封体上，所述重布线结构包括：第一介电层；第一导电迹线，设置在所述第一介电层上；第一导通孔，设置在所述第一介电层的第一开口中，与所述第一导电迹线以及与所述包封体或所述钝化层中的一者实体接触；以及第二导通孔，设置在所述第一导电迹线上且在垂直方向上与所述第一导通孔交叠。连接端子，设置在所述第二导通孔之上且电连接到所述第二导通孔。
[0005]本专利技术的实施例涉及一种半导体封装的制造方法，所述半导体封装的制造方法包括：提供半导体管芯，其中所述半导体管芯包括：半导体衬底；接触垫，形成在所述半导体衬底的顶表面处；以及钝化层，形成在所述半导体衬底的所述顶表面处且暴露出所述接触垫。将所述半导体管芯模塑在包封体中。以及在所述包封体上形成重布线结构，其中形成所述重布线结构包括：形成包括第一开口及第二开口的第一介电层；以及在所述第一开口及所述第二开口中沉积导电材料，以形成导通孔，其中所述第一开口中的每一者暴露出选自所述包封体及所述钝化层中的至少一者。
附图说明
[0006]结合附图阅读以下详细说明，能最好地理解本专利技术的各个方面。应注意，根据本行
业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
[0007]图1A到图1E是说明根据本专利技术一些实施例的在半导体封装的制造工艺期间生产的结构的示意性剖视图。
[0008]图2A及图2B是说明根据本专利技术一些实施例的半导体封装的部分的示意性剖视图。
[0009]图3A到图8A是说明根据本专利技术一些实施例的在半导体封装的制造工艺期间生产的结构的部分的示意性剖视图。
[0010]图3B到图8B是说明根据本专利技术一些实施例的在半导体封装的制造工艺期间生产的结构的部分的示意性剖视图。
[0011]图9是根据本专利技术一些实施例的半导体器件的示意性剖视图。
[0012]图10是说明根据本专利技术一些实施例的屏蔽板片的一部分的示意性剖视图。
[0013]图11及图12是说明根据本专利技术一些实施例的半导体封装的部分的示意性剖视图。
[0014]图13A及图13B是说明根据本专利技术一些实施例的半导体封装的部分的示意性剖视图。
[0015]图14A及图14B是说明根据本专利技术一些实施例的半导体封装的部分的示意性剖视图。
[0016]图15到图18是说明根据本专利技术一些实施例的半导体封装的示意性俯视图。
[0017]图19到图21是说明根据本专利技术一些实施例的半导体封装的示意性剖视图。
[0018]图22是说明根据本专利技术一些实施例的半导体器件的示意性剖视图。
[0019]图23是说明根据本专利技术一些实施例的半导体封装的示意性剖视图。
具体实施方式
[0020]以下公开内容提供诸多不同的实施例或实例以实施所提供主题的不同特征。下文阐述组件及排列的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅是实例且并不旨在进行限制。举例来说，在以下说明中，第一特征形成在第二特征之上或形成在第二特征上可包括其中第一特征与第二特征形成为直接接触的实施例，且还可包括其中在第一特征与第二特征之间可形成额外特征以使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本专利技术可在各种实例中重复使用参考编号和/或字母。此种重复是出于简化及清晰目的，而并非自身指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
[0021]此外，为易于说明起见，本文中可使用例如“在
…
下面(beneath)”、“在
…
下方(below)”、“下部的(lower)”、“在
…
上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所说明的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征之间的关系。除图中所绘示的取向之外，所述空间相对性用语还旨在囊括器件在使用或操作中的不同取向。装置可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)，且本文中所使用的空间相对性阐述语可同样相应地进行解释。
[0022]还可包括其他特征及工艺。举例来说，可包括测试结构来辅助对三维(three dimensional，3D)封装或三维集成电路(3D integrated circuit，3DIC)器件进行验证测试。测试结构可包括例如形成在重布线层中或形成在衬底上的测试垫，所述测试垫允许测试3D封装或3DIC、允许使用探针和/或探针卡等。可对中间结构以及最终结构执行验证测
试。另外，本文中所公开的结构及方法可与包括在中间验证出已知良好管芯的测试方法结合使用以提高良率且降低成本。
[0023]图1A到图1E是说明根据本专利技术一些实施例的在半导体封装SP1的制造工艺期间生产的结构的示意性剖视图。参考图1A，可提供载体C。在一些实施例中，载体C是玻璃衬底、金属板片、塑料支撑板等，但也可使用其他适合的衬底材料，只要所述材料能够耐受工艺的后续步骤即可。在一些实施例中，可在载体C之上形成剥离层(未示出)。在一些实施例中，所述剥离层包括光热转换(light-to-heat conversion，LTHC)释放层，当制造工艺需要时，所述光热转换释放层有助于从半导体器件剥落载体C。
[0024]在一些实施例中，重布线结构100形成在载体C之上。在一些实施例中，重布线结构100形成在剥离层(未示出)上。在一些实施例中，重布线结构100包括外介电层110、金属化层级120及内介电层130。在一些实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：半导体管芯；重布线结构，设置在所述半导体管芯上且包括设置在一对介电层之间的第一金属化层级，其中所述第一金属化层级包括：路由导电迹线，电连接到所述半导体管芯；以及屏蔽板片，与所述半导体管芯电绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴伟诚，邱建嘉，谢正贤，许立翰，李孟灿，林宗澍，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：