一种焊接介质体及层叠封装体制造技术

本实用新型专利技术公开一种焊接介质体及层叠封装体，该焊接介质体包括支撑芯体和焊材层，所述焊材层包裹于所述支撑芯体的外表面，所述芯体的熔点高于所述焊材层的熔点，所述焊接介质体用于将不同半导体器件进行连接；该层叠封装体包括上述焊接介质体，还包括至少两件半导体器件，若干所述半导体器件依次堆叠，相邻层的所述半导体器件之间设置所述焊接介质体并通过所述焊接介质体连接；所述半导体器件与所述焊材层连接。本实用新型专利技术的焊接介质体该焊接介质体的位于内部的支撑芯体的熔点高于位于外层的焊材层的熔点；该层叠封装体，能够保证上下层半导体器件之间的平行度，以提高层叠封装体的封装品质，且便于制造。且便于制造。且便于制造。

【技术实现步骤摘要】
一种焊接介质体及层叠封装体


[0001]本技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种焊接介质体及层叠封装体。

技术介绍

[0002]随着半导体工业的发展，半导体产品往小型化发展。层叠封装体是将多个半导体器件依次堆叠以形成的新的封装结构。随着半导体器件小型化高密度的需求不断增长，层叠封装技术在逻辑电路和存储器集成领域有广泛的应用，是业界内的首选。
[0003]对于层叠封装体，业界一般使用锡球来连接上层半导体器件和下层半导体器件，在经过回流焊后，锡球熔化并冷却固化，以通过锡球将上层半导体器件和下层半导体器件之间进行连接，从而形成一个层叠封装体。
[0004]但是，现有的层叠封装体常由于锡球的熔融不一致，出现上下两层半导体器件之间相对倾斜的情况，如此会影响层叠封装体的品质；由于封装过程中，每一半导体器件通常预先固定有芯片，为了解决相对倾斜的问题，若要对层叠封装体进行返工，容易划伤芯片；而还有一些现有技术，在上层半导体器件或下层半导体器件上增加一些支撑结构，通过将锡球放置于支撑结构的槽孔内，以限制锡球的坍塌程度，从而避免两层半导体器件之间的倾斜角度过大，而采用此种技术，需要对半导体器件进行加工，导致半导体器件加工麻烦且结构复杂。

技术实现思路

[0005]本技术实施例的一个目的在于：提供一种焊接介质体，其位于内部的支撑芯体的熔点高于位于外层的焊材层的熔点。
[0006]本技术实施例的另一个目的在于：提供一种层叠封装体，其通过焊接介质体内部的支撑芯体保证上下层半导体器件之间的平行度，以提高层叠封装体的封装品质。
[0007]本技术实施例的再一个目的在于：提供一种层叠封装体，其便于制造。
[0008]为达上述目的，本技术采用以下技术方案：
[0009]一种焊接介质体，包括支撑芯体和焊材层，所述焊材层包裹于所述支撑芯体的外表面，所述芯体的熔点高于所述焊材层的熔点，所述焊接介质体用于将不同半导体器件进行连接。
[0010]作为优选，所述支撑芯体的熔点至少为所述焊材层的熔点的2倍。
[0011]一种层叠封装体，包括上述焊接介质体，还包括至少两件半导体器件，若干所述半导体器件依次堆叠，相邻层的所述半导体器件之间设置所述焊接介质体并通过所述焊接介质体连接；所述半导体器件与所述焊材层连接。
[0012]作为优选，所述支撑芯体为导热芯体。
[0013]作为优选，所述焊材层为锡焊材层、或银焊材层、或金焊材层、或锡复合材料焊材层、或银复合材料焊材层、或金复合材料焊材层。
[0014]作为优选，所述支撑芯体为石墨烯芯体、或石墨烯复合铜芯体、或铜芯体。
[0015]作为优选，所述支撑芯体为球体，所述焊材层为包裹附着于所述支撑芯体外表面的空心球形层。
[0016]作为优选，相邻层的所述半导体器件通过所述焊接介质体进行电连接和物理连接。
[0017]作为优选，包括分别为位于上层的第一半导体器件和位于下层的第二半导体器件，所述第一半导体器件包括第一基板，所述第二半导体器件包括第二基板，所述焊接介质体设于所述第一基板与所述第二基板之间，所述焊材层的上部与所述第一基板的底面连接，所述焊材层的下部与所述第二基板的顶面连接；所述第一基板与所述第二基板平行。
[0018]作为优选，所述第一半导体器件还包括焊接于所述第一基板顶面的第一芯片，所述第二半导体器件还包括焊接于所述第二基板顶面的第二芯片，所述焊接介质体用于保持所述第二芯片与所述第一基板之间的绝缘间隔；所述第二芯片的顶面至所述第二基板的顶面之间的间距小于所述支撑芯体的高度。
[0019]本技术的有益效果为：该焊接介质体的位于内部的支撑芯体的熔点高于位于外层的焊材层的熔点，该焊接介质体在应用于层叠封装体时，有利于保持上下层半导体器件之间的平行度；该层叠封装体，通过焊接介质体内部的支撑芯体保证上下层半导体器件之间的平行度，以提高层叠封装体的封装品质；且该层叠封装体无需改进半导体器件的结构，该层叠封装体便于制造。
附图说明
[0020]下面根据附图和实施例对本技术作进一步详细说明。
[0021]图1为本技术实施例所述焊接介质体的结构示意图；
[0022]图2为本技术实施例所述层叠封装体的结构示意图。
[0023]图中：100、焊接介质体；110、支撑芯体；120、焊材层；200、第一半导体器件；210、第一基板；220、第一芯片；300、第二半导体器件；310、第二基板；320、第二芯片。
具体实施方式
[0024]为使本技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本技术实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0025]在本技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0026]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第
一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0027]本技术提出一种焊接介质体100，其位于内部的支撑芯体110的熔点高于位于外层的焊材层120的熔点；该焊接介质体100在应用于层叠封装体时，有利于保证相邻两层半导体器件之间的平行度。
[0028]如图1-2所示，在本技术的所述焊接介质体100的一实施例中，该焊接介质体100包括支撑芯体110和焊材层120，所述焊材层120包裹于所述支撑芯体110的外表面，所述芯体的熔点高于所述焊材层120的熔点，所述焊接介质体100用于将不同半导体器件进行连接。
[0029]具体地，所述焊材层120为导电焊材层120，以通过所述导电焊材层120将不同的半导体器件进行电连接。
[0030]进一步地，该焊接介质体100的制造方法可以为但不限于：将支撑芯体110浸于液态的焊接材料后取出，使得支撑芯体110外表面包裹一层焊接材料，待外层的焊接材料冷却固化后，形成包裹附着于支撑芯体110外部的焊材层120，从而形成所述焊接介质体100。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种焊接介质体，其特征在于，包括支撑芯体(110)和焊材层(120)，所述焊材层(120)包裹于所述支撑芯体(110)的外表面，所述芯体的熔点高于所述焊材层(120)的熔点，所述焊接介质体(100)用于将不同半导体器件进行连接。2.根据权利要求1所述的焊接介质体，其特征在于，所述支撑芯体(110)的熔点至少为所述焊材层(120)的熔点的2倍。3.一种层叠封装体，其特征在于，包括如权利要求1或2所述的焊接介质体(100)，还包括至少两件半导体器件，若干所述半导体器件依次堆叠，相邻层的所述半导体器件之间设置所述焊接介质体(100)并通过所述焊接介质体(100)连接；所述半导体器件与所述焊材层(120)连接。4.根据权利要求3所述的层叠封装体，其特征在于，所述支撑芯体(110)为导热芯体。5.根据权利要求3所述的层叠封装体，其特征在于，所述焊材层(120)为锡焊材层、或银焊材层、或金焊材层、或锡复合材料焊材层、或银复合材料焊材层、或金复合材料焊材层。6.根据权利要求3所述的层叠封装体，其特征在于，所述支撑芯体(110)为石墨烯芯体、或石墨烯复合铜芯体、或铜芯体。7.根据权利要求3-6任一项所述的层叠封装体，其特征在于，所述支撑芯体(110)为球体，所述焊材层(120)为包裹附着于所述支...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐和明，郑明祥，周刚，
申请(专利权)人：杰群电子科技东莞有限公司，
类型：新型
国别省市：