镓酞菁晶体及其制造方法、感光体和图像形成装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种镓酞菁晶体，该镓酞菁晶体在约７６０ｎｍ到约７７３ｎｍ的波长范围内或约７９０ｎｍ到约８０９ｎｍ的波长范围内具有分光吸收光谱的峰值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及镓酞菁晶体及其制造方法、处理盒和图像形成装置。
技术介绍
就用于例如复印机、打印机和数字复合机等图像形成装置的感 光体而言，使用有机光导电材料作为电荷生成材料在目前占主导地 位。使用有机光导电材料的感光体在环境污染控制措施方面是有效 的，并且具有例如高生产率和低成本的优点。可通过对根据多种合成方法得到的酞菁颜料前体的粗制晶体施 加例如磨碎处理、酸糊化处理、溶剂处理或热处理等处理得到作为电 荷生成材料的酞菁颜料。例如JP-A-3-269061(如本文中使用的术语"JP-A"是指"未经审查 的日本专利申请公开")公开了制造在X射线衍射图案中在27.3°的 布拉格角(26±0.2° )具有衍射峰的钛氧基酞菁晶体的方法，该方法包 括利用基于乙醇的溶剂、基于芳烃的溶剂、或基于乙醇或基于芳烃的 溶剂与水的混合溶剂处理无定形的或半无定形的钛氧基酞菁。就氯镓酞菁(chlorogallium phthalocyanine)颜料而言，报告了其晶 形和电子照相特性，并且例如在JP-A-5-98181中，描述了 CuKot特 征X射线中至少在7.4。 、 16.6° 、 25.5°和28.3°的布拉格角(26士 0.2° )具有衍射峰的氯镓酞菁晶体，和使用该颜料的电子照相感光 体。就羟基镓酞菁颜料而言，许多报告是关于晶形与其电子照相特 性之间的关系，例如，在JP-A-5-263007和JP-A-7-53892中，报告了 在使用CuKa特征X射线的X射线衍射图案中至少在7.5° 、9.9° 、 12.5。 、 16.3° 、 18.6° 、 25.1°和28.3°的布拉格角(29±0, 2° ) 具有衍射峰的羟基镓酞菁颜料，以及使用该颜料的电子照相感光体。
技术实现思路
本专利技术提供具有小粒径和窄粒度分布的镓酞菁晶体。 根据本专利技术的第一方面，提供了这样一种镓酞菁晶体其在约760nm到约773nm的波长范围内或约790nm到约809nm的波长范围 内具有分光吸收光谱的峰值。根据本专利技术的第二方面，提供如本专利技术的第一方面所述的镓酞 菁晶体，其中在约760nm到约773nm的波长范围内或约7卯nm到约 809nm的波长范围内的所述峰值是在约600nm到约900nm范围内的 第一或第二最大峰值。根据本专利技术的第三方面，提供如本专利技术的第一方面所述的镓酞 菁晶体，该镓酞菁晶体具有约lOnm到约300nm的粒径。根据本专利技术的第四方面，提供如本专利技术的第一方面所述的镓酞 菁晶体，该镓酞菁晶体具有约1.0到约3.0的体积平均粒径分布 GSDv。根据本专利技术的第五方面，提供如本专利技术的第一方面所述的镓酞 菁晶体，该镓酞菁晶体为在约760nm到约773nm的波长范围内具有 分光吸收光谱的峰值的II型氯镓酞菁晶体。根据本专利技术的第六方面，提供如本专利技术的第一方面所述的镓酞 菁晶体，该镓酞菁晶体为在约790nm到约809 nm的波长范围内具有 分光吸收光谱的峰值的V型羟基镓酞菁晶体。根据本专利技术的第七方面，提供如本专利技术的第六方面所述的镓酞 菁晶体，该V型羟基镓酞菁晶体在约791nm到约805nm的波长范围 内具有分光吸收光谱的峰值。根据本专利技术的第八方面，提供包括功能层的感光体，所述功能 层包含根据本专利技术第一到第七方面中任一方面所述的镓酞菁晶体。根据本专利技术的第九方面，提供如本专利技术的第八方面所述的感光 体，该感光体还包括导电基体，其中，所述功能层是包括电荷生成层 和电荷传输层的感光层，并且所述电荷生成层包含所述镓酞菁晶体。根据本专利技术的第十方面，提供如本专利技术的第九方面所述的感光体，该感光体还包括底层，该底层至少包含金属氧化物颗粒和粘合剂。 根据本专利技术的第十一方面，提供如本专利技术的第十方面所述的感 光体，该感光体还包括保护层，所述保护层防止在对所述感光体进行 充电时所述电荷传输层发生化学变化，或者改善所述感光层的机械强 度。根据本专利技术的第十二方面，提供如本专利技术的第十方面所述的感 光体，该感光体还包括中间层，所述中间层设置在所述感光层和所述 底层之间，并且提高所述感光体的电气特性、或者提高图像质量、或 者提高所述感光层的粘着性。根据本专利技术的第十三方面，提供一种处理盒，该处理盒包括如 本专利技术第八方面所述的感光体以及选自下述群组中的至少一个部件， 所述群组包括对所述感光体表面进行充电的充电装置、在所述感光 体表面上形成潜像的潜像形成装置、利用调色剂对潜像进行显影以形 成调色剂图像的显影装置以及清洁所述感光体表面的清洁装置。根据本专利技术的第十四方面，提供一种图像形成装置，该图像形 成装置包括如本专利技术的第八方面所述的感光体；充电装置，其对所 述感光体表面进行充电；潜像形成装置，其在所述感光体表面上形成 潜像；显影装置，其利用调色剂对潜像进行显影以形成调色剂图像； 转印装置，其将调色剂图像转印在转印介质上；以及定影装置，其将 调色剂图像定影在记录介质上。根据本专利技术的第十五方面，提供一种制造镓酞菁晶体的方法， 该方法包括将镓酞菁化合物溶解在良溶剂中以制备溶液；以及在微 通道中将所制备的溶液与镓酞菁化合物的不良溶剂进行混合，以获得 镓酞菁化合物的晶体。根据本专利技术的第十六方面，提供如本专利技术的第十五方面所述的 方法，其中所述良溶剂包括选自下述群组中的一种溶剂，所述群组包 括N-甲基吡咯垸酮、二甲亚砜、二甲基乙酰胺、二甲基磺酰胺以 及N，N -二甲基甲酰胺。根据本专利技术的第十七方面，提供如本专利技术的第十五方面所述的 方法，其中相对于每1重量份的所述镓酞菁化合物，所述良溶剂为约20重量份到约10， 000重量份。根据本专利技术的第十八方面，提供如本专利技术的第十五方面所述的 方法，其中所述不良溶剂包括选自下述群组中的一种溶剂，所述群组包括己烷、苯、甲苯、水、丙酮、甲乙酮以及甲基异丁基酮。根据本专利技术的第十九方面，提供如本专利技术的第十五方面所述的方法，其中在双管式微反应器中进行所制备的溶液与镓酞菁化合物的不良溶剂的混合。根据本专利技术的第一方面，与没有这种结构的情况相比，可以使 该镓酞菁晶体具有小的粒径和窄的粒度分布。根据本专利技术的第二方面，与没有这种结构的情况相比，可以使 该镓酞菁晶体具有更小的粒径和更窄的粒度分布。根据本专利技术的第三方面，该镓酞菁晶体可以适合于用作电荷生 成材料。根据本专利技术的第四方面，该镓酞菁晶体可以适合于用作电荷生 成材料。根据本专利技术的第五方面，与没有这种结构的情况相比，可以使 该II型氯镓酞菁晶体具有小的粒径和窄的粒度分布。根据本专利技术的第六方面，与没有这种结构的情况相比，可以使该v型羟基镓酞菁晶体具有小的粒径和窄的粒度分布。根据本专利技术的第七方面，该v型羟基镓酞菁晶体可以适合于用作电荷生成材料。根据本专利技术的第八方面，与没有考虑电荷生成材料的情况相比， 可以减少起始状态的电气特性的变化以及电气特性随时间的变化。根据本专利技术的第九方面，与没有考虑电荷生成材料的情况相比， 可以减少起始状态的电气特性的变化以及电气特性随时间的变化。根据本专利技术的第十方面，与没有考虑电荷生成材料的情况相比， 可以进一步减少起始状态的电气特性的变化以及电气特性随时间的 变化。根据本专利技术的第十一方面，与没有考虑电荷生成材料的情况相 比，可以进一步减少起始状态的电气特性的变化以及电气特性随时间的变化，并且特别是可以进一步本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种镓酞菁晶体，其在约７６０ｎｍ到约７７３ｎｍ的波长范围内或约７９０ｎｍ到约８０９ｎｍ的波长范围内具有分光吸收光谱的峰值。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：本乡和哉，太田哲生，平野明，
申请(专利权)人：富士施乐株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]