光传感器封装体的封装方法及封装结构的封装方法技术

本申请公开了一种光传感器封装体及封装结构的封装方法，主要解决现有封装技术中存在的开发成本高、开发周期长的问题。该光传感器封装体的封装方法包括以下步骤：基板上设置若干光传感器单元，每个光传感器单元包括光发射端和光接收端；对基板上的若干光传感器单元进行第一次封装，形成塑封体；切割塑封体，形成光发射端与光接收端之间的第一隔离沟槽；对基板上的结构进行第二次封装，填补第一隔离沟槽形成第一隔离墙，第一隔离墙将光发射端与光接收端隔离。本发明专利技术提供的方法实现了仅使用一副模具将塑封体中光发射端与光接收端隔离的方案，大幅减少了模具的数量，以及定制模具的费用，使得新外形的开发成本显著降低，开发周期缩短。短。短。

【技术实现步骤摘要】
光传感器封装体的封装方法及封装结构的封装方法


[0001]本专利技术涉及光传感器封装领域，具体涉及一种光传感器封装体的封装方法及封装结构的封装方法。

技术介绍

[0002]随着技术的发展以及智能手机的普及，智能穿戴设备也逐步进入到人们的生活当中，智能手机中的距离传感器、智能手环和智能手表中的心率传感器、血氧饱和度检测等都需要用到光传感器，光传感器通常包括光发射端和光接收端，在应用中，要求光发射端的发射光尽量从外部反射回光接收端。此处外部指光传感器塑封体外部，对光传感器来说塑封体内部不需要有从光发射端到光接收端的光通路，对具有光传感器的设备整体来说是整个设备内部不要有从光发射端到光接收端的光通路。基于此要求，传统的光传感器通常需要通过两套模具实现封装。第一套模具用透明塑封料将发射端和接收端分开各自包裹在独立的塑封体内部，第二套模具用黑色塑封料将两个透明的塑封再次包裹起来，向外部留两处光孔。当封装外形方案比较多时，模具的数量也相应成倍增多，对应的模具采购费大幅增加，导致新外形的开发成本较高，该方法在封装过程中还需要进行模具切换或装有不同模具的2台设备配合，生产效率较低，设备成本较高。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术提供一种光传感器封装体的封装方法及封装结构的封装方法，使用单个模具即可实现光传感器的多次封装。
[0004]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0005]根据本专利技术的一方面，提供一种光传感器封装体的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
[0006]基板上设置若干光传感器单元，所述每个光传感器单元包括光发射端和光接收端；
[0007]对基板上的若干光传感器单元进行第一次封装，形成塑封体，所述塑封体包裹基板上的所述若干光传感器单元；
[0008]切割所述塑封体，形成所述光传感器单元的光发射端与光接收端之间的第一隔离沟槽；
[0009]对基板上的若干光传感器单元进行第二次封装，所述第二次封装用以填补所述第一隔离沟槽，形成第一隔离墙，所述第一隔离墙将所述光传感器单元的光发射端与光接收端隔离。
[0010]优选地，每个所述光传感器单元包括一个光接收端和至少一个光发射端。
[0011]优选地，所述第一次封装采用透光塑封料，所述第二次封装采用非透光塑封料。
[0012]优选地，所述第一次封装和所述第二次封装采用相同的模具。
[0013]优选地，所述第一隔离沟槽的宽度包括120-300um。
[0014]优选地，所述第一隔离沟槽从上至下完全贯穿所述塑封体，并向下延伸至所述基板，所述第一隔离沟槽在所述基板上的切割深度为所述基板厚度的10％-50％。
[0015]优选地，切割所述塑封体还包括形成环绕所述光传感器单元的第二隔离沟槽。
[0016]优选地，所述第二隔离沟槽的宽度大于所述第一隔离沟槽的宽度。
[0017]优选地，所述第二隔离沟槽的深度与所述第一隔离沟槽的深度相同。
[0018]优选地，所述第二隔离沟槽的宽度包括300-700um。
[0019]优选地，所述第二隔离沟槽从上至下完全贯穿所述塑封体，并向下延伸至所述基板，所述第二隔离沟槽在所述基板上的切割深度为所述基板厚度的10％-50％。
[0020]优选地，所述第二次封装填补所第二隔离沟槽形成第二隔离墙，所述第二隔离墙将所述各个光传感器单元之间隔离。
[0021]优选地，切割所述塑封体还包括形成从塑封体的上表面向下延伸的遮光槽，所述遮光槽环绕所述光发射端和/或所述光接收端，所述遮光槽与所述第二隔离沟槽相连。
[0022]优选地，所述遮光槽的深度小于所述第二隔离沟槽的深度。
[0023]优选地，所述遮光槽的宽度包括100-300um，所述遮光槽的深度包括80-150um。
[0024]优选地，所述第二次封装填补所述遮光槽形成遮光罩。
[0025]根据本专利技术的另一方面，提供一种光传感器封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
[0026]基板上设置若干光传感器单元，所述每个光传感器单元包括光发射端和光接收端；
[0027]对基板上的若干光传感器单元进行第一次封装，形成塑封体，所述塑封体包裹基板上的所述若干光传感器单元；
[0028]切割所述塑封体，形成所述光传感器单元的光发射端与光接收端之间的第一隔离沟槽；
[0029]对基板上的若干光传感器单元进行第二次封装，形成塑封体，所述第二次封装用以填补所述第一隔离沟槽，形成第一隔离墙，所述第一隔离墙将每个光传感器单元的光发射端与光接收端之间隔离；
[0030]切割第二次封装形成的塑封体和所述基板，获取多个相互独立的包含光传感器单元的光传感器封装结构。
[0031]优选地，每个所述光传感器单元包括一个光接收端和至少一个光发射端。
[0032]优选地，所述第一次封装采用透光塑封料，所述第二次封装采用非透光塑封料。
[0033]优选地，所述第一次封装和所述第二次封装采用相同的模具。
[0034]优选地，所述第一隔离沟槽的宽度包括120-300um。
[0035]优选地，所述第一隔离沟槽从上至下完全贯穿所述塑封体，并向下延伸至所述基板，所述第一隔离沟槽在所述基板上的切割深度为所述基板厚度的10％-50％。
[0036]优选地，切割所述塑封体还包括形成环绕所述光传感器单元的第二隔离沟槽。
[0037]优选地，所述第二隔离沟槽的宽度大于所述第一隔离沟槽的宽度。
[0038]优选地，所述第二隔离沟槽的深度与所述第一隔离沟槽的深度相同。
[0039]优选地，所述第二隔离沟槽的宽度包括300-700um。
[0040]优选地，所述第二隔离沟槽从上至下完全贯穿所述塑封体，并向下延伸至所述基
板，所述第二隔离沟槽在所述基板上的切割深度为所述基板厚度的10％-50％。
[0041]优选地，所述第二次封装填补所第二隔离沟槽形成第二隔离墙，所述第二隔离墙将所述各个光传感器单元之间隔离。
[0042]优选地，切割所述塑封体还包括形成从塑封体的上表面向下延伸的遮光槽，，所述遮光槽环绕所述光发射端和/或所述光接收端，所述遮光槽与所述第二隔离沟槽相连。
[0043]优选地，所述遮光槽的深度小于所述第二隔离沟槽的深度。
[0044]优选地，所述遮光槽的宽度包括100-300um，所述遮光槽的深度包括80-150um。
[0045]优选地，所述第二次封装填补所述遮光槽形成遮光罩。
[0046]优选地，所述光传感器封装结构中所述第二隔离墙的宽度包括100-300um。
[0047]本专利技术的有益效果是：
[0048]本专利技术提供的光传感器封装方法，通过在第一次封装后对塑封体进行切割，再进行第二次封装，实现了仅使用一副模具将塑封体中光发射端与光接收端进行隔离的方案，大幅减少了模具相关费用，以及定制模具所消耗的时间，使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光传感器封装体的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：基板上设置若干光传感器单元，所述光传感器单元包括光发射端和光接收端；对基板上的若干光传感器单元进行第一次封装，形成塑封体，所述塑封体包裹基板上的所述若干光传感器单元；切割所述塑封体，形成所述光传感器单元的光发射端与光接收端之间的第一隔离沟槽；对基板上的若干光传感器单元进行第二次封装，所述第二次封装用以填补所述第一隔离沟槽，形成第一隔离墙，所述第一隔离墙将所述光传感器单元的光发射端与光接收端隔离。2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，每个所述光传感器单元包括一个光接收端和至少一个光发射端。3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一次封装采用透光塑封料，所述第二次封装采用非透光塑封料。4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一次封装和所述第二次封装采用相同的模具。5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一隔离沟槽的宽度包括120-300um。6.根据权利要求1-5任一项所述的封装方法，其特征在于，所述第一隔离沟槽从上至下完全贯穿所述塑封体，并向下延伸至所述基板，所述第一隔离沟槽在所述基板上的切割深度为所述基板厚度的10％-50％。7.根据权利要求1-5任一项所述的封装方法，其特征在于，切割所述塑封体还包括形成环绕所述光传感器单元的第二隔离沟槽。8.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述第二隔离沟槽的宽度大于所述第一隔离沟槽的宽度。9.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述第二隔离沟槽的深度与所述第一隔离沟槽的深度相同。10.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述第二隔离沟槽的宽度包括300-700um。11.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述第二隔离沟槽从上至下完全贯穿所述塑封体，并向下延伸至所述基板，所述第二隔离沟槽在所述基板上的切割深度为所述基板厚度的10％-50％。12.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述第二次封装填补所第二隔离沟槽形成第二隔离墙，所述第二隔离墙将所述各个光传感器单元之间隔离。13.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，切割所述塑封体还包括形成从塑封体的上表面向下延伸的遮光槽，所述遮光槽环绕所述光发射端和/或所述光接收端，所述遮光槽与所述第二隔离沟槽相连。14.根据权利要求13所述的封装方法，其特征在于，所述遮光槽的深度小于所述第二隔离沟槽的深度。15.根据权利要求13所述的封装方法，其特征在于，所述遮光槽的宽度包括100-300um，
所述遮光槽的深度包括80-150um。16.根据权利要求13所述的封装方法，其特征在于，所述第二次封装填补所述遮光槽形成遮光罩。17.一种光传感器封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：基板上设置若干光传感器单元，所述光传感器单元包括光发射端和光接收端；对基板上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓登峰，
申请(专利权)人：杭州士兰微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：