芯片封装结构及其形成方法技术

提供芯片封装结构。芯片封装结构包括布线结构。芯片封装结构包括位于布线结构上方的第一芯片结构。芯片封装结构包括围绕第一芯片结构的第一模制层。芯片封装结构包括位于第一芯片结构和第一模制层上方的第二芯片结构。芯片封装结构包括围绕第二芯片结构并且位于第一芯片结构和第一模制层上方的第二模制层。芯片封装结构包括位于第二芯片结构和第二模制层上方的第三芯片结构。芯片封装结构包括围绕第三芯片结构并且位于第二芯片结构和第二模制层上方的第三模制层。芯片封装结构包括围绕第二模制层和第三模制层的第四模制层。本申请还涉及形成芯片封装结构的方法。涉及形成芯片封装结构的方法。涉及形成芯片封装结构的方法。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及芯片封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)工业经历了快速增长。IC材料和设计方面的技术进步已经产生了多代IC。每一代电路都比上一代具有更小且更复杂的电路。但是，这些进步增加了处理和制造IC的复杂性。
[0003]在IC发展的过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)已经普遍增加，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺产生的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小的工艺通常可通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。
[0004]通常在单个半导体晶圆上制造数十或数百个集成电路。通过沿划线锯切集成电路将单个管芯分割。然后将单个管芯分别封装。半导体工业通过不断减小最小部件尺寸而不断提高各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多的组件集成至给定区域。然而，由于部件尺寸持续减小，因此制造工艺继续变得更加难以实施。因此，利用高集成密度的电子组件形成可靠的封装件是一个挑战。

技术实现思路
r/>[0005]本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，包括：布线结构；第一芯片结构，位于所述布线结构上方；第一模制层，围绕所述第一芯片结构；第二芯片结构，位于所述第一芯片结构和所述第一模制层上方；第二模制层，围绕所述第二芯片结构并且位于所述第一芯片结构和所述第一模制层上方；第三芯片结构，位于所述第二芯片结构和所述第二模制层上方；第三模制层，围绕所述第三芯片结构并且位于所述第二芯片结构和所述第二模制层上方，其中，所述第二模制层的第一侧壁和所述第三模制层的第二侧壁基本共面；以及第四模制层，围绕所述第二模制层和所述第三模制层，其中，所述第一模制层的第三侧壁和所述第四模制层的第四侧壁基本共面。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，还包括：第一导电结构，穿过所述第二模制层并且连接至所述第三芯片结构。3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，还包括：第二导电结构，穿过所述第一模制层并且连接至所述第一导电结构和所述布线结构。4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，还包括：第三导电结构，穿过所述第一模制层并且连接至所述第二芯片结构和所述布线结构。5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，还包括：绝缘层，位于所述第一芯片结构和所述第二芯片结构之间、位于所述第一模制层和所述第二芯片结构之间以及位于所述第一模制层和所述第二模制层之间。6.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其中，所述绝缘层还位于所述第一模制层和所述第四模制层之间。7.根据权利要求6所述的芯片封装结构，其中，所述绝缘层的第五侧壁、所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈威宇，苏安治，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：