半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法，本发明专利技术的半导体装置(U)具有：位于多个电极垫(2)上的凸块(5)、覆盖凸块(5)的抗蚀剂(8)、和在抗蚀剂(8)的内部形成的将凸块(5)与抗蚀剂(8)的外部连通的空气的排孔(10)。由此，提供能够缓和对具有脆弱的绝缘膜(11)的半导体装置(U)施加的应力的半导体装置(U)。导体装置(U)施加的应力的半导体装置(U)。导体装置(U)施加的应力的半导体装置(U)。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，半导体装置的高密度化与电极端子的多针脚化的兼顾不断推进。因此，半导体装置在追求电极端子间的窄间距化和电极端子的面积的缩小化。作为使电极端子间窄间距化、使电极端子的面积缩小化的半导体装置向安装基板的安装技术之一，已知倒装芯片安装。
[0003]倒装芯片安装中，在系统LSI、存储器、CPU等半导体装置的电极端子上形成突起电极。相对于安装基板的电极垫压接、加热突起电极。由此，电极端子与安装基板的电极垫被凸块连接，半导体装置倒装芯片安装于安装基板。
[0004]另外，伴随半导体装置内的晶体管的进一步微细化，而使用脆弱的低介电膜。因此，要求半导体装置向安装基板的低应力的安装技术。
[0005]因此，提出了例如使用由金、铜等构成的前端细的微细金属凸块的面朝下安装。面朝下安装在安装步骤中使微细金属凸块的前端发生塑性变形，通过固相扩散与电极垫接合。根据该方法，通过前端细的微细金属凸块的塑性变形，能够缓和对半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其具有：位于多个电极垫上的凸块、覆盖所述凸块的抗蚀剂、和在所述抗蚀剂的内部形成的将所述凸块与所述抗蚀剂的外部连通的空气的排孔。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述空气的排孔在所述凸块的周围设置多个。3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其中，所述空气的排孔相对于所述电极垫沿实质上垂直方向设置。4.一种半导体装置，其具有：设于电极垫之上的多个凸块、和虚拟凸块；覆盖所述凸块和所述虚拟凸块的抗蚀剂；将所述凸块与所述虚拟凸块连结的空气的排孔。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述虚拟凸块与多个所述凸块分别经由所述空气的排孔连接。6.根据权利要求4或权利要求5所述的半导体装置，其中，所述空气的排孔相对于所述电极垫实质上平行地设置。7.一种半导体装置的制造方法，其至少包括以下步骤：凸块下金属层形成步骤，按照覆盖在多个电极垫上的方式形成凸块下金属层；抗蚀剂形成步骤，形成覆盖在所述凸块下金属层上的抗蚀剂；抗蚀剂开口步骤，对于所述抗蚀剂的形成有多个所述电极垫的区域，从所述抗蚀剂的上表面侧按压纳米压印模具，在所述抗蚀剂中形成未到达所述电极垫的多个开口部；抗蚀剂固化步骤，对于所述抗蚀剂，从所述抗蚀剂的上表面侧赋予光能后实施热处理，使所述抗蚀剂固化；显影步骤，使所述抗蚀剂与显...

【专利技术属性】
技术研发人员：樱井大辅，糸井清一，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：