芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种芯片封装结构，该结构包括第一基板、第一芯片、第一连接件、第二芯片和第二基板，其中，第一基板上设有N个与第一基板绝缘设置的连接端子；第一芯片包括M个第一开关管设于第一基板上，各第一开关管的集电极与第一基板连接，门极通过邦线与一个连接端子连接，N≥2*M；第一连接件设于第一芯片上，与各第一开关管的发射极连接，各第一开关管的发射极之间绝缘设置；第二芯片包括M个第二开关管设于第一连接件上，各第二开关管的发射极与第二基板连接，集电极与一个第一开关管的发射极连接，门极通过邦线与一个连接端子连接。该芯片封装结构提高了芯片的散热面积，降低芯片的工作温度，从而提高芯片的可靠性和使用寿命。命。命。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构


[0001]本技术涉及芯片
，尤其涉及一种芯片封装结构。

技术介绍

[0002]在相关技术中，芯片电路通常采用单桥进行串并联组成半桥电路或全桥电路，横向串联排布，电流通过芯片传递后横向流动，这种芯片上下桥的过渡连接都会在电路中增加寄生电感，降低过流能力，同时由于上下桥芯片封装在同一个平面内，封装体积较大，而且散热面比较单一，可靠性能较差。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种芯片封装结构，以提高芯片的散热面积，降低芯片的工作温度，从而提高芯片的可靠性和使用寿命。
[0004]为达上述目的，本技术的第一方面提出了一种芯片封装结构，该结构包括：第一基板，所述第一基板上设有N个连接端子，所述连接端子与所述第一基板绝缘设置，其中， N为大于1的整数；第一芯片，所述第一芯片设于所述第一基板上，所述第一芯片包括M 个第一桥臂，所述第一桥臂包括第一开关管，各所述第一开关管的集电极之间电气连接并形成第一汇流端，所述第一汇流端与所述第一基板电气连接，每个所述第一开关管的门极通过邦线与一个连接端子电气连接，其中，N≥2*M，M为正整数；第一连接件，所述第一连接件设于所述第一芯片上，并与各所述第一开关管的发射极电气连接，且各所述第一开关管的发射极之间绝缘设置；第二芯片，所述第二芯片设于所述第一连接件上，且间隔所述第一连接件与所述第一芯片正对设置，所述第二芯片包括M个第二桥臂，所述第二桥臂包括第二开关管，各所述第二开关管的发射极之间电气连接并形成第二汇流端，每个所述第二开关管的集电极均通过所述第一连接件与一个第一开关管的发射极电气连接，每个所述第二开关管的门极通过邦线与一个连接端子电气连接；第二基板，所述第二基板设于所述第二芯片上，并与所述第二汇流端电气连接。
[0005]本技术将第一芯片和第二芯片通过第一基板、第二基本和第一连接件采用立体封装形式进行封装，并在第一基板上设置多个连接端子用于供第一芯片和第二芯片与外部电路连接，以保证第一芯片和第二芯片能够正常工作。由此，该芯片封装结构提高了芯片的散热面积，降低芯片的工作温度，从而提高芯片的可靠性和使用寿命。
[0006]在一些示例中，芯片封装结构还包括：第二连接件，所述第二连接件设于所述第二芯片与所述第二基板之间，并分别与所述第二汇流端和所述第二基板电气连接。
[0007]在一些示例中，芯片封装结还包括：多个控制端子，所述多个控制端子与所述多个连接端子一一对应，并电气连接，所述控制端子沿所述第一基板的第一侧延伸第一预设距离。
[0008]在一些示例中，所述控制端子包括下板、中间板和上板，所述下板与所述上板通过
所述中间板连接，所述下板与对应的连接端子电气连接，所述上板沿所述第一基板的第一侧延伸第一预设距离。
[0009]在一些示例中，芯片封装结还包括：第一电极板，所述第一电极板设于所述第一基板上，并与所述第一基板电气连接，且所述第一电极板沿所述第一基板的第二侧延伸第二预设距离，其中，所述第二侧与所述第一侧同向。
[0010]在一些示例中，芯片封装结还包括：第二电极板，所述第二电极板设于所述第一连接件与所述第二芯片之间，并与所述第一连接件和所述第二芯片中各第二开关管的集电极电气连接，且所述第二电极板沿所述第一基板的第三侧延伸第三预设距离，其中，所述第三侧与所述第二侧反向。
[0011]在一些示例中，芯片封装结还包括：第三电极板，所述第三电极板设于所述第二连接件与所述第二基板之间，并分别与所述第二连接件和所述第二基板电气连接，且所述第二电极板沿所述第一基板的第四侧延伸第四预设距离，其中，所述第四侧与所述第三侧反向。
[0012]在一些示例中，所述第一芯片与所述第一基板和所述第一连接件之间的连接、所述第二芯片与所述第二基板和所述第一连接件之间的连接均采用银烧结工艺。
[0013]在一些示例中，所述第一基板和所述第二基板采用陶瓷覆铜板或者活性金属钎焊板。
[0014]本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0015]图1是本技术一个示例的芯片封装结构的示意图；
[0016]图2是本技术另一个示例的芯片封装结构的示意图；
[0017]图3是本技术一个具体示例的芯片封装结构的示意图。
具体实施方式
[0018]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0019]下面参考附图描述本技术实施例的芯片封装结构。
[0020]图1是本技术一个示例的芯片封装结构的示意图。
[0021]在该示例中，如图1所示，芯片封装结构包括第一基板10、第一芯片20、第一连接件 30、第二芯片40和第二基板50。
[0022]其中，参见图1，第一基板10上设有N个连接端子，连接端子与第一基板10绝缘设置，其中，N为大于1的整数；第一芯片20设于第一基板10上，第一芯片20包括M个第一桥臂(图中未示出)，第一桥臂包括第一开关管，各第一开关管的集电极之间电气连接并形成第一汇流端，第一汇流端与第一基板电气连接，每个第一开关管的门极通过邦线与一个连接端子电气连接，其中，N≥2*M，M为正整数；第一连接件30设于第一芯片上，并与各第一开关
管的发射极电气连接，且各第一开关管的发射极之间绝缘设置；第二芯片40设于第一连接件30上，且间隔第一连接件30与第一芯片20正对设置，第二芯片40包括M个第二桥臂，第二桥臂包括第二开关管，各第二开关管的发射极之间电气连接并形成第二汇流端，每个第二开关管的集电极均通过第一连接件30与一个第一开关管的发射极电气连接，每个第二开关管的门极通过邦线与一个连接端子电气连接；第二基板50设于第二芯片40 上，并与第二汇流端电气连接。
[0023]具体地，如图1所示，第一芯片20设置在第一基板10上，第一基板10上设置有4个连接端子，即N＝4，分别为第一连接端子101、第二连接端子102、第三连接端子103和第四连接端子104。第一芯片20和第二芯片40中的开关管可以为IGBT(Insulated GateBipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)、MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)等等。在该示例中，以开关管为IGBT为例进行陈述，其他芯片原理一致，具体地，第一芯片20包括有2个第一桥臂，每个桥臂都包括有第一开关管，每个第一开关管的集电极之间电气连接进行汇集形成第一汇流端，该第一汇流端与第一基板10电气本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：第一基板，所述第一基板上设有N个连接端子，所述连接端子与所述第一基板绝缘设置，其中，N为大于1的整数；第一芯片，所述第一芯片设于所述第一基板上，所述第一芯片包括M个第一桥臂，所述第一桥臂包括第一开关管，各所述第一开关管的集电极之间电气连接并形成第一汇流端，所述第一汇流端与所述第一基板电气连接，每个所述第一开关管的门极通过邦线与一个连接端子电气连接，其中，N≥2*M，M为正整数；第一连接件，所述第一连接件设于所述第一芯片上，并与各所述第一开关管的发射极电气连接，且各所述第一开关管的发射极之间绝缘设置；第二芯片，所述第二芯片设于所述第一连接件上，且间隔所述第一连接件与所述第一芯片正对设置，所述第二芯片包括M个第二桥臂，所述第二桥臂包括第二开关管，各所述第二开关管的发射极之间电气连接并形成第二汇流端，每个所述第二开关管的集电极均通过所述第一连接件与一个第一开关管的发射极电气连接，每个所述第二开关管的门极通过邦线与一个连接端子电气连接；第二基板，所述第二基板设于所述第二芯片上，并与所述第二汇流端电气连接。2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：第二连接件，所述第二连接件设于所述第二芯片与所述第二基板之间，并分别与所述第二汇流端和所述第二基板电气连接。3.如权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：多个控制端子，所述多个控制端子与所述多个连接端子一一对应，并电气连接，所述控制端子沿所述第一基板的第一侧延伸...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴海平，石守操，曾秋莲，
申请(专利权)人：比亚迪半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：