半导体设备封装和其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体设备封装，其包含衬底、第一天线和第二天线。所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。第一天线辐射方向图安置于所述衬底的所述第一表面上方。所述第一天线辐射方向图具有第一带宽。所述第一天线辐射方向图具有被配置成产生磁场的第一端口。第二天线辐射方向图安置于所述衬底的所述第一表面上方。所述第二天线辐射方向图具有不同于所述第一带宽的第二带宽。平行于由所述第一天线辐射方向图的所述第一端口产生的所述磁场的所述第一天线辐射方向图的边缘的延长线与所述第二天线辐射方向图间隔开。缘的延长线与所述第二天线辐射方向图间隔开。缘的延长线与所述第二天线辐射方向图间隔开。

【技术实现步骤摘要】
半导体设备封装和其制造方法


[0001]本公开涉及一种半导体设备封装和其制造方法，且涉及一种包含天线的半导体设备封装和其制造方法。

技术介绍

[0002]例如手机等无线通信设备通常包含用于发射和接收射频(RF)信号的天线。近年来，随着移动通信的发展和对高数据速率和稳定通信质量的迫切需求，相对高频无线发射(例如，28GHz或60GHz)已变成移动通信行业中的一个最重要的课题。然而，信号衰减和干扰是相对高频率(或相对短波长)无线发射的问题之一。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一些实施例，一种半导体设备封装包含衬底、第一天线和第二天线。所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。第一天线辐射方向图安置于所述衬底的所述第一表面上方。所述第一天线辐射方向图具有第一带宽。所述第一天线辐射方向图具有被配置成产生磁场的第一端口。第二天线辐射方向图安置于所述衬底的所述第一表面上方。所述第二天线辐射方向图具有不同于所述第一带宽的第二带宽。平行于由所述第一天线辐射方向图的所述第一端口产生的所述磁场的所述第一天线辐射方向图的边缘的延长线与所述第二天线辐射方向图间隔开。
[0004]根据本公开的一些实施例，一种半导体设备封装包含衬底、第一天线和第二天线。所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。第一天线辐射方向图安置于所述衬底的所述第一表面上方。所述第一天线辐射方向图具有被配置成产生磁场的第一端口。第二天线辐射方向图安置于所述衬底的所述第一表面上方。所述第一天线辐射方向图和所述第二天线辐射方向图布置于同一平面上。所述第一天线辐射方向图的邻近于所述第一端口的侧表面的突出部与所述第二天线辐射方向图间隔开。
附图说明
[0005]图1A说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面图。
[0006]图1B说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。
[0007]图2A说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面图。
[0008]图2B说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。
[0009]图2C说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。
[0010]图3说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。
[0011]图4说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。
[0012]图5说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。
[0013]在整个图式和详细描述使用共同参考标号来指示相同或相似组件。根据以下结合附图作出的详细描述将容易理解本公开。
具体实施方式
[0014]图1A说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装1的横截面图。图1B说明根据本公开的一些实施例的图1A中说明的半导体设备封装1的俯视图(为了清楚起见，在图1B中省略图1A中的一些组件)。半导体设备封装1包含衬底10、导电层11、介电层12和天线辐射方向图13和14。
[0015]衬底10可以是例如印刷电路板，例如纸基铜箔层合物、复合铜箔层合物或聚合物浸渍的玻璃纤维基铜箔层合物。衬底10可包含互连结构(或电连接)，例如重布层(RDL)或接地元件。衬底10具有表面101和与表面101相对的表面102。在一些实施例中，一或多个电子组件(在图式中未示出)安置于衬底10的表面102上并且电连接到衬底10。在一些实施例中，电子组件可为有源电子组件，例如集成电路(IC)芯片或裸片。电子组件可借助于倒装芯片或导线接合技术电连接到衬底10(例如，电连接到RDL)。
[0016]导电层11安置于衬底10的表面101上。在一些实施例中，导电层11由金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)或其合金形成或包含金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)或其合金。在一些实施例中，导电层11充当天线辐射方向图13或14的接地层或RF层。
[0017]介电层12安置于导电层11上。在一些实施例中，介电层12用以增加天线辐射方向图13或14与导电层10a(例如，接地平面或RF层)之间的距离(例如，间隙区域)，这将改进天线辐射方向图13或14的性能。在一些实施例中，可取决于不同规范而存在任何数目个介电层。介电层12具有表面121和与表面121相对的表面122。
[0018]在一些实施例中，介电层12可包含模制原料、预浸复合纤维(例如，预浸体)、硼磷硅玻璃(BPSG)、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、未掺杂的硅酸盐玻璃(USG)、其任何组合物等。。模制原料的实例可包含但不限于包含分散在其中的填料的环氧树脂。预浸体的实例可包含但不限于通过堆叠或层合数个预浸材料/片材形成的多层结构。在一些实施例中，介电层12的介电常数(Dk)为约3.63。
[0019]天线辐射方向图13和14安置于介电层12的表面121上。在一些实施例中，如图1A中所示，天线辐射方向图13包含电连接到导电层11以发射或接收来自导电层11的信号的馈电端口13f。天线辐射方向图14包含电连接到导电层11以发射或接收来自导电层11的信号的馈电端口14f。在其它实施例中，天线辐射方向图13(或天线辐射方向图14)与导电层11之间的信号发射可通过耦合来达成。在一些实施例中，天线辐射方向图13或14是或包含例如金属或金属合金的导电材料。导电材料的实例包含Au、Ag、Al、Cu或其合金。
[0020]在一些实施例中，天线辐射方向图13或14可包含单个天线元件。在一些实施例中，天线辐射方向图13或14可包含多个天线元件。举例来说，天线辐射方向图13或14可包含具有贴片天线的阵列。在一些实施例中，天线辐射方向图13或14可包含天线元件的M
×
N阵列，其中M或N是大于1的整数。在一些实施例中，M可取决于设计规范而与N相同或不同。举例来说，如图1B中所示，天线辐射方向图13可包含天线元件的1
×
2阵列，且天线辐射方向图14可包含天线元件的1
×
2阵列。天线辐射方向图13和14交替地布置。举例来说，存在安置于天线辐射方向图14的两个相邻天线元件之间的天线辐射方向图13的一个天线元件，且反之亦然。在一些实施例中，天线辐射方向图13是或包含在38GHz的频率中操作的贴片天线或贴片天线阵列。举例来说，天线辐射方向图13的带宽介于从约37GHz到约42.5GHz的范围内。在一些实施例中，天线辐射方向图14是或包含在28GHz的频率中操作的贴片天线或贴片天线阵
列。举例来说，天线辐射方向图14的带宽介于从约24.75GHz到约27.5GHz的范围内。
[0021]根据图1A和1B中的实施例，半导体设备封装1是具有具不同操作带宽的两个天线辐射方向图(例如，天线辐射方向图13和14)的双频带天线模块，这可增加半导体设备封装1的带宽和发射速率的稳定性。
[0022]图2A说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装2的横截面图。图2B说明根据本公开的一些实施例的图2A中说明的半导体设备封装2的俯视图(为了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备封装，其包括：衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一天线辐射方向图，其安置于所述衬底的所述第一表面上方，所述第一天线辐射方向图具有第一带宽，所述第一天线辐射方向图具有被配置成产生磁场的第一端口；和第二天线辐射方向图，其安置于所述衬底的所述第一表面上方，所述第二天线辐射方向图具有不同于所述第一带宽的第二带宽，其中平行于由所述第一天线辐射方向图的所述第一端口产生的所述磁场的所述第一天线辐射方向图的边缘的延长线与所述第二天线辐射方向图间隔开。2.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述第一天线辐射方向图与所述第二天线辐射方向图交替布置。3.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述衬底的所述第一表面具有一边缘；所述第一天线辐射方向图的所述边缘的所述延长线与所述衬底的所述第一表面的所述边缘的所述延长线界定一角度；和所述角度大于0
°
并且小于90
°
。4.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述第二天线辐射方向图具有被配置成产生磁场的第一端口；和平行于由所述第二天线辐射方向图的所述第一端口产生的所述磁场的所述第二天线辐射方向图的边缘的延长线大体上平行于所述第一天线辐射方向图的所述边缘的所述延长线。5.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其另外包括安置于所述衬底的所述第一表面上并且电连接到所述第一天线辐射方向图和所述第二天线辐射方向图的导电层。6.根据权利要求5所述的半导体设备封装，其中所述导电层是接地层或射频RF层。7.根据权利要求5所述的半导体设备封装，其另外包括安置于所述导电层上的第一介电层和所述介电层内的导电通孔，其中所述导电通路使所述第一天线辐射方向图或所述第二天线辐射方向图与所述导电层电连接。8.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其另外包括：第二介电层，其安置于所述第一天线辐射方向图和所述第二天线辐射方向图上；第三天线辐射方向图，其安置于所述第二介电层上；和第四天线辐射方向图，其安置于所述第二介电层上，其中所述第三天线辐射方向图具有所述第一带宽，且所述第四天线辐射方向图具有所述第二带宽。9.根据权利要求8所述的半导体设备封装，其中所述第三天线辐射方向图在垂直于所述衬底的所述第一表面的方向上与所述第一天线辐射方向图大体上对齐；且所述第四天线辐射方向图在垂直于所述衬底的所述第一表面的方向上与所述第二天线辐射方向图大体上对齐。10.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述第一天线辐射方向图和所述第二天线辐射方向图中的每一个包含天线元件的M
×
N阵列，其中M或N是大于1的整数。
11.根据权利要求10所述的半导体设备封装，其中所述第一天线辐射方向图和所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐绍恩，卓晖雄，吕世文，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：