【技术实现步骤摘要】
电源控制装置和开关电源系统
本公开涉及电子控制
,具体地,涉及一种电源控制装置和开关电源系统。
技术介绍
随着电子信息技术的不断发展,对于电子产品配备的供电电源的要求也不断提高。为了满足电子产品的各种需求,需要配备稳定的供电电源,以确保电子产品在各种情况下都能够稳定工作。反激式(英文:Flyback)开关电源由于结构简单、成本低等优势,被广泛应用于各种电子产品上。在使用反激式开关电源时,需要通过电源控制装置(例如AC/DC控制芯片)对开关电源的输出电压进行采样,并将采样到的输出电压与基准电压进行误差放大,以实现对开关电源的功率开关管的导通时间与工作频率的控制,从而实现开关电源的恒压输出。但是,开关电源的输出电压容易受到温度和负载状态影响,在同样负载的情况下,输出电压的变化和温度相关。在不同负载的情况下,输出电压会表现出不同的温度特性,一般情况下,开关电源处于轻载状态时输出电压随温度的变化较小,开关电源处于重载状态时输出电压会随温度的升高而下降。因此,当开关电源处于重载或高温情况时,输出电压会大幅度降低,影响电子
【技术保护点】
1.一种电源控制装置,其特征在于,所述电源控制装置包括:采样保持模块、误差放大模块、控制模块、消磁时间采样模块和温度补偿模块;/n所述采样保持模块的输入端为所述电源控制装置的电压反馈端,所述采样保持模块的输出端与所述误差放大模块的输入端连接,所述温度补偿模块的输入端和所述控制模块的第一输入端,均与所述误差放大模块的输出端连接,所述温度补偿模块的输出端与所述采样保持模块的输入端连接,所述控制模块的输出端为所述电源控制装置的输出端,所述消磁时间采样模块的输入端与所述采样保持模块的输入端连接,所述消磁时间采样模块的输出端与所述控制模块的第二输入端连接,所述控制模块的第三输入端为所 ...
【技术特征摘要】
1.一种电源控制装置,其特征在于,所述电源控制装置包括:采样保持模块、误差放大模块、控制模块、消磁时间采样模块和温度补偿模块;
所述采样保持模块的输入端为所述电源控制装置的电压反馈端,所述采样保持模块的输出端与所述误差放大模块的输入端连接,所述温度补偿模块的输入端和所述控制模块的第一输入端,均与所述误差放大模块的输出端连接,所述温度补偿模块的输出端与所述采样保持模块的输入端连接,所述控制模块的输出端为所述电源控制装置的输出端,所述消磁时间采样模块的输入端与所述采样保持模块的输入端连接,所述消磁时间采样模块的输出端与所述控制模块的第二输入端连接,所述控制模块的第三输入端为所述电源控制装置的电流反馈端;
所述采样保持模块,用于对开关电源的反馈电压进行采样,以得到反馈电压信号;
所述误差放大模块,用于将所述反馈电压信号与预设的基准电压信号进行比较,以得到误差放大信号;
所述消磁时间采样模块,用于采样所述开关电源的消磁时间信号;
所述温度补偿模块,用于根据所述误差放大信号和所述电源控制装置当前所处的温度对所述反馈电压信号进行补偿,以调整所述误差放大信号;
所述控制模块,用于根据调整后的所述误差放大信号和所述消磁时间信号生成开关信号,所述开关信号用于控制所述开关电源的功率开关管。
2.根据权利要求1所述的控制装置,其特征在于,所述温度补偿模块包括:第一补偿子模块、第二补偿子模块、和第三补偿子模块;
所述第一补偿子模块的输入端为所述温度补偿模块的输入端,所述第二补偿子模块的输入端与所述第一补偿子模块的输入端连接,所述第一补偿子模块的输出端和所述第二补偿子模块的输出端,均与所述第三补偿子模块的输入端连接,所述第三补偿子模块的输出端为所述温度补偿模块的输出端;
所述第一补偿子模块,用于根据所述误差放大信号和所述电源控制装置当前所处的温度,输出第一电流信号;
所述第二补偿子模块,用于根据所述误差放大信号,输出第二电流信号;
所述第三补偿子模块,用于根据所述第一电流信号和所述第二电流信号,确定第三电流信号;
所述第三补偿子模块,还用于根据所述第三电流信号对所述反馈电压信号进行补偿,以调整所述误差放大信号。
3.根据权利要求2所述的电源控制装置,其特征在于,所述第三补偿子模块,用于:
若所述第三电流信号大于或等于预设电流阈值,根据所述第三电流信号和预设的比例系数,降低所述反馈电压信号,以调整所述误差放大信号。
4.根据权利要求2所述的电源控制装置,其特征在于,所述第一补偿子模块包括:第一运算放大器、第一电阻、第一NMOS和第二NMOS,所述第一电阻为负温度系数电阻;
所述第一运算放大器的同相输入端为所述第一补偿子模块的输入端,所述第一运算放大器的反相输入端与所述第一电阻的第一端连接,所述第一电阻的第二端接地,所述第一运算放大器的输出端与所述第一NMOS的漏极连接,所述第一电阻的第一端与所述第一NMOS的漏极连接,所述第一NMOS的漏极和栅极连接,所述第一NMOS的源极与所述第二NMOS的源极连接,所述第一NMOS的栅极与所述第二NMOS的栅极连接,所述第二NMOS的漏极为所述第一补偿子模...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋幸福,王文情,
申请(专利权)人:比亚迪半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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