液晶显示器及其薄膜晶体管阵列面板制造技术

本发明专利技术公开了一种液晶显示器及其薄膜晶体管阵列面板，其中，在基底上形成一条横向延伸的栅极线和一条与栅极线相交的数据线。数据线包括弯曲部分和与栅极线基本上直角交叉的中间部分。在绝缘层上形成像素电极。像素电极连接到薄膜晶体管并具有一条基本上平行于数据线的弯曲部分延伸的边缘。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示器以及用于该液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板。
技术介绍
液晶显示器(LCD)是最广泛使用的平板显示器之一。LCD用在笔记本电脑或膝上电脑、台式电脑的监视器和电视当中。与传统的阴极射线管(CRT)显示器相比，LCD质轻且占据更少的空间。LCD的通常结构是由一个位于一对包含场发生电极和偏振片的面板之间的液晶(LC)层组成。LC层经受电极产生的电场，并且电场强度的变化改变了LC层的分子取向。例如，在施加电场时，LC层的分子改变其取向并偏振通过LC层的光。适当定位的偏振滤光片阻挡被偏振的光，产生能够表示所需图像的暗区。衡量LCD质量的一项指标是视角(即，以最小对比度观察LCD时的可见区域)。已经提出了扩大视角的各种技术，包括利用垂直排列的LC层并在像素电极处设置切口和凸起的技术。但切口和凸起减小了孔径比(即，子像素的实际尺寸与可以透过光的子像素面积之比)。为了增大孔径比，提出了将像素电极的尺寸最大化。但像素电极的尺寸最大化导致像素电极之间的距离很密集，造成像素电极之间很强的横向电场。这种强电场造成LC分子取向的不希望变化，产生纹路和光泄漏并劣化显示特性。
技术实现思路
本专利技术提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括一基底；多条形成在基底上的第一信号线，该第一信号线在第一方向上延伸并以预定的间隔彼此分开；多条形成在基底上的第二信号线，第二信号线与第一信号线交叉，并包含多个在第二方向延伸并以预定间隔交替分布的弯曲部分和中间部分；多个像素电极，这些像素电极基本上位于由第一和第二信号线限定的区域中；和多个薄膜晶体管，这些薄膜晶体管连接到第一和第二信号线以及像素电极上。数据线的每个弯曲部分可以包括一对彼此连接并成大约45°角的直线部分。薄膜晶体管阵列面板还可以包括多条形成在基底上的第三信号线，这些信号线基本上在第一方向上延伸并与像素电极重叠以形成存储电容。薄膜晶体管可以包括连接到像素电极并利用插入绝缘体来覆盖第三信号线之一的端电极。薄膜晶体管可以包括连接到第二信号线的中间部分的端电极。第一信号线可以与第二信号线的中间部分交叉。本专利技术还提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括一基底；一形成在基底上并包含栅电极的栅极线；一形成在栅极线上的栅极绝缘层；一形成在栅极绝缘层上的半导体层；一数据线，该数据线至少部分地形成在半导体层上，并包含弯曲部分和与栅极线基本上直角相交的中间部分，弯曲部分和中间部分中的至少一个具有源电极；一漏电极，其至少部分地形成在半导体层上并与数据线分开；形成在数据线和漏电极上的第一钝化层；以及一像素电极，该像素电极形成在第一钝化层上，且连接到漏电极，并具有基本上平行于数据线的弯曲部分延伸的一个边缘。数据线的弯曲部分可以包括一对分别成大约45°的顺时针角和成大约45°的逆时针角的部分。薄膜晶体管阵列面板还可以包括形成在基底上的存储电极线，该电极线基本上平行于栅极线延伸且包含一个具有增大宽度的存储电极，其中漏电极具有一个连接到像素电极并与存储电极重叠的扩展部。第一钝化层可以包含有机绝缘材料，并且优选地由光敏材料制成。第一钝化层可以包含无机绝缘材料。薄膜晶体管阵列面板还可以包括一个形成在第一钝化层上的彩色滤光片。彩色滤光片可以基本上平行于数据线延伸。彩色滤光片可以在漏电极上有一个开口，第一钝化层可以具有一个暴露至少一部分漏电极的接触孔，并且像素电极优选地经开口和接触孔连接到漏电极。开口可以暴露第一钝化层的上表面。薄膜晶体管阵列面板还可以包括一个形成在部分栅极线或部分数据线上的、并由与像素电极相同的材料制成的接触辅助件。彩色滤光片可以包括形成在接触辅助件之下的一部分。薄膜晶体管阵列面板还可以包括一个形成在彩色滤光片上并由光敏有机材料制成的第二钝化层。第一和第二钝化层可以有一个暴露至少一部分漏电极的接触孔，并可以具有一个与基底的表面成大约30～85°角的侧壁。第一和第二钝化层可以有一个暴露至少一部分漏电极的接触孔，并可以有一个台阶状的侧壁。像素电极可以经接触孔连接到漏电极。数据线和漏电极的整个下表面基本上可以设置在半导体层上，数据线和漏电极可以具有与半导体层基本上相同的平面形状，并且半导体层可以包括一个不被数据线和漏电极覆盖并设置在源电极和漏电极之间的部分。数据线弯曲部分的长度可以约为数据线中间部分长度的1～9倍。薄膜晶体管阵列面板还可以包括一对彩色滤光片，它们形成在第一钝化层上并且彼此部分重叠以形成一个隆起。薄膜晶体管阵列面板还可以包括一个形成在彩色滤光片上并在彩色滤光片的隆起上形成突起的第二钝化层。本专利技术还提供了一种液晶显示器，其包括一第一基底；多条形成在该基底上的第一信号线；多条形成在该基底上、与第一信号线相交、并包含多个弯曲部分的第二信号线；多个基本上位于由第一和第二信号线限定的区域中的像素电极；多个连接到第一和第二信号线以及像素电极上的薄膜晶体管；面对第一基底的第二基底；形成在第二基底上的公共电极；形成在第一和第二基底中至少一个上的分区件；和设置在第一基底和第二基底之间并被分区件分隔成多个倾斜区的液晶层，每个倾斜区包含一对平行于第二信号线的弯曲部分的主边缘。液晶层可以具有负介电各向异性并经过垂直排列。分区件可以包含多个形成在公共电极中的切口。该切口可以具有大约9～12μm范围的宽度。每个区域的主边缘之间的距离可以在大约10～30μm的范围内。优选地，依据倾斜区中包含的液晶分子在施加电场时的倾斜方向将倾斜区分为四个畴。如果像素区的平面面积小于约100×300μm2，则由第一信号线和第二信号线限定的像素区中倾斜区的数量可以为四个，且如果像素区的平面面积等于或大于约100×300μm2，则由第一信号线和第二信号线限定的像素区中倾斜区的数量可以为四个或八个。可以分别在第一和第二基底的外表面上设置一对交叉的偏振片，并且第一和第二偏振片优选地排列成各偏振片的透射轴之一平行于第一信号线。分区件包括一个形成在公共电极上的并具有大约5～10μm范围内的宽度的凸起。本专利技术还提供了一种液晶显示器，其包括一第一基底；多条形成在该基底上的第一信号线；多条形成在该基底上、与第一信号线相交、并包含多个弯曲部分的第二信号线；多个基本上位于由第一和第二信号线限定的区域中的像素电极；多个连接到第一和第二信号线以及像素电极上的薄膜晶体管；面对第一基底的第二基底；形成在第二基底上的公共电极；形成在第一和第二基底中至少一个上的分区件；和设置在第一基底和第二基底之间并被分区件分隔成多个倾斜区的液晶层，其中包含在每个倾斜区中的液晶分子趋于在平行于相邻像素电极之间产生的电场的方向上倾斜。可以分别在第一和第二基底的外表面上设置一对交叉的偏振片，并且第一和第二偏振片排列成各偏振片的透射轴之一平行于第一信号线。附图说明通过下面参考附图对优选实施例的详细描述，本专利技术将变得更加清晰，其中图1是根据本专利技术实施例的LCD的TFT阵列面板的简图；图2是根据本专利技术实施例的LCD的公共电极面板的简图；图3是包含图1所示TFT阵列面板和图2所示公共电极面板的LCD的简图；图4是图3所示的LCD沿IV-IV′线截取的截面图； 图5是图3所示的LCD沿V-V′和V′-V″线截取的截面图；图6A和6B是在根据本专利技术实施例的制造方法的中间步骤中，图1、4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基底；多条形成在基底上的第一信号线，此第一信号线在第一方向上延伸并彼此分隔开预定的间隔；多条形成在基底上的第二信号线，此第二信号线与第一信号线交叉，并包括在第二方向上延伸并以预定间隔交替 布置的多个弯曲部分和中间部分；多个像素电极，其基本上位于由第一和第二信号线限定的区域中；和多个薄膜晶体管，其连接到第一和第二信号线以及像素电极上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宋长根，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]