显示面板及其制造方法技术

一种显示面板，具有一像素阵列区，该像素阵列区由多个以阵列方式排列的像素单元所构成；每一像素单元均具有一有源器件，并且在像素阵列区中，至少有一第一有源器件相对于一第一像素单元中的位置，不同于一第二有源器件相对于一第二像素单元中的位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种显示面板，特别涉及一种利用低温多晶硅(LTPS)工艺的显示面板。
技术介绍
液晶显示器(liquid crystal display，以下简称LCD)中的薄膜晶体管(thinfilm transistor，以下简称TFT)是用来作为像素的控制器件。一般可区分成非晶硅TFT与多晶硅TFT两种型式。由于多晶硅TFT的载子迁移率较高、驱动电路的集成度较佳、漏电流较小，故多晶硅TFT较常应用在高操作速度的电路中，且适用于大尺寸的LCD。多晶硅TFT可由低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon；简称LTPS)技术所制造而成。通过LTPS技术可降低多晶硅TFT的体积，并增加LCD的开口率(aperture ratio)，因此，一般LCD大多利用LTPS技术制造多晶硅TFT。图1显示现有技术显示面板示意图。显示面板10具有多个以矩阵方式排列的像素区12。在LTPS技术中，为了在像素区12中形成多晶硅TFT，因此，会先在所有像素区12上形成一非晶形半导体层。然后利用激光依序照射每一行像素区12上的非晶形半导体层，方能将非晶形半导体层转换为多晶半导体层。最后，再通过其它工艺步骤，在每一个像素区中形成多晶硅TFT 14。由于设备上的因素，使得激光的宽度受到限制。因此，一般激光每次只会照射到行像素区。然后，再以步进的方式移动，照射下一行像素区。但激光每次所发射的强度有所差异时，将使得被不同激光所照射到的像素区，将形成不同特性的多晶硅TFT，因而发生水波纹(mura)现象。但同一行像素区中的多晶硅TFT被相同的激光所照射，使得同一行的多晶硅TFT具有相同的特性。当同一行的多晶硅TFT的特性与其它行的多晶硅TFT的特性不同时，则将形成线水波纹(line mura)现象，因而降低LCD的显示品质。
技术实现思路
本专利技术的目的在于避免同一行或同一列像素区中的TFT具有相同的特性，用以防止线水波纹现象的发生。为了达到上述目的，本专利技术提供一种显示面板，具有一像素阵列区(pixelarray zone)。像素阵列区包括以阵列方式排列的像素单元(pixel cell)。每一像素单元均具有一有源器件(active device)，并且在像素阵列区中，至少有一第一有源器件相对于一第一像素单元中的位置，不同于一第二有源器件相对于一第二像素单元中的位置。本专利技术另外提供一种制造方法，适用于一具有像素阵列区的显示面板。该像素阵列区用以设置以阵列方式排列的多个像素单元，每一像素单元均定义有一有源器件区(active device area)。首先，在显示面板上形成一非晶形半导体(amorphous semiconductor)层。再以一激光束扫描处理非晶形半导体层，使其转化为一多晶(poly)半导体层。当激光束每次所同步处理到的多个像素单元时，至少有一有源器件区没有被激光束所同步处理。最后分别于每一有源器件区中，形成至少一有源器件。为让本专利技术的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出优选实施例，并配合附图，作详细说明如下附图说明图1显示现有技术显示面板示意图。图2显示本专利技术的显示面板第一实施例。图3显示本专利技术的显示面板第二实施例。图4显示本专利技术的显示面板第三实施例。图5显示本专利技术的显示面板第四实施例。图6显示本专利技术的显示面板制造方法。附图标记说明10、20显示面板；12像素区；14TFT； 22像素阵列区；P1-1～P10-3像素单元；D1-1～D10-1有源器件；G1～G6群组；R1-1～R10-3有源器件区；24、26、54区域。具体实施例方式本专利技术的特征在于改变同一行或同一列像素区内的TFT的位置，使得激光照射同一行或同一列像素区时，至少有一TFT不会被激光所照射到。图2显示本专利技术的显示面板第一实施例。如图所示，显示面板20具有一像素阵列区(pixel array zone)22。而像素阵列区22由多个以阵列方式排列的像素单元(pixel cell)所构成。在此为方便说明起见，以3×10的像素单元为例。像素单元P1-1～P10-3各自具有一有源器件(active device)D1-1～D10-3，例如TFT或是其它器件。同一行的有源器件在相对应像素单元中的位置与其它行的有源器件在相对应像素单元中的位置可以是相同或是不同，在本实施例中，第一行、第二行、及第三行的有源器件在相对应像素单元中的位置为相同。举例而言，有源器件D1-1在像素单元P1-1的位置、有源器件D1-2在像素单元P1-2的位置、及有源器件D1-3在像素单元P1-3的位置均相同但在同一行的像素单元中，任一有源器件在相对应的像素单元中的位置与相邻的有源器件在相对应的像素单元中的位置是不同的，以第一行像素单元P1-1～P10-1为例，有源器件D1-1～D10-1由上到下，依序向右排列，并且任一有源器件在相对应的像素单元中的位置与相邻的有源器件在相对应的像素单元中的位置的差距为一定值，此定值可为任意值。图3显示本专利技术的显示面板第二实施例。如图所示，将像素单元P1-1～P10-3分割成群组G1～G6，任一群组中的有源器件在相对应像素单元中的位置与其它群组中的有源器件在相对应像素单元中的位置可以是相同或是不同，在本实施例中，群组G1～G6的有源器件在相对应像素单元中的位置为相同。但在同一群组中，任一有源器件在相对应的像素单元中的位置与相邻的有源器件在相对应的像素单元中的位置是不同的。以群组G1为例，有源器件的位置依一特定方式排列，在本实施例中，有源器件的位置由上到上依序向左排列，并且，每一有源器件的位置与相邻有源器件的位置亦具有一固定差值。图4显示本专利技术的显示面板第三实施例。同样地，亦可将像素单元P1-1～P10-3分割成群组G1～G6，与图3不同的处在于，每个群组中的有源器件的位置以随机方式设置于相对应的像素单元中。另外，像素单元内的有源器件位置亦可如图5所示，每一列的有源器件在相对应像素单元中的位置与其它列的有源器件在相对应像素单元中的位置相同。但在同一列的像素单元中，任一有源器件在相对应的像素单元中的位置与相邻的有源器件在相对应的像素单元中的位置是不同的。在本实施例中，同一列的有源器件在相对应像素单元中，由左到右依序向上排列。图6显示本专利技术的显示面板制造方法。请同时参考图2的面板结构。首先，在显示面板20上定义一具有像素单元P1-1～P10-3的像素阵列区22(S110)，其中，像素单元P1-1～P10-3以矩阵方式排列。接着在像素单元P1-1～P10-3中，各自定义一有源器件区R1-1～R10-3(S120)。如图2所示，在同一行像素单元中，任一有源器件区在相对应像素单元中的位置与相邻的有源器件区在相对应像素单元中的位置并不相同。以第一行像素单元P1-1～P10-1为例，有源器件区R1-1～R10-1在相对应的像素单元中，依序向右排列，并且，任一有源器件区与相邻的有源器件区的位置具有一定值，假设为20μm。在LTPS工艺中，需在像素阵列区22上形成一非晶形(amorphous)半导体层(S130)。然后，以激光照射部份像素阵列区22上的非晶形半导体层(S140)，方能将非晶形半导体层转换成多晶(poly)半导体层。以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板，包括：一像素阵列区，具有多个像素单元，以阵列方式排列；其中，每一像素单元均具有一有源器件，且于所述像素阵列区中，至少有一第一有源器件相对于一第一像素单元中的位置，不同于一第二有源器件相对于一第二像素单元中的位置 。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄维邦，陈世龙，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]