半穿反、穿透式及反射式液晶显示面板制造技术

本发明专利技术提供的液晶显示面板，其矩阵基板具有主狭缝对应配向凸块，透明电极层屏蔽栅极线，且主狭缝与栅极线不重叠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示面板，更特别涉及矩阵基板的结构。
技术介绍
目前的液晶显示器(以下简称LCD)主要可分为三类穿透式LCD、反射式LCD、半穿反LCD。穿透式LCD需要背光模块，且具有耗电量过大及环境光太强(如阳光下)时显示不清等问题。反射式LCD以反射电极层取代透明电极层，不需背光模块，但在黑暗环境下无法使用。半穿反LCD同时具有穿透区和反射区，可避免全穿透式或全反射式的缺点。为了增加视角，可将上述几种LCD搭配多象限垂直配向技术(Multi-domain Vertical Alignment，MVA)，如PVA(Patterned Vertical Alignment)或ASV(Advanced Super V液晶)。除了广视角外，MVA-LCD还具有高对比、快速响应时间等优点。MVA-LCD元件在TFT矩阵基板或彩色滤光片(color filter，以下简称CF)基板上定义配向凸块(protrusion)，并通过配向凸块的倾斜设计控制液晶配向以形成两种、四种或更多的区块，该配向技术称为自动区块形成(automatic domainformation，以下简称ADF)技术，包括应用多种配向凸块的图案(如肋状、锯齿状、与菱形)，与多种配向凸块的形状(如三角形、半圆形、方形)。图1是现有技术中半穿反液晶面板的次像素的俯视图，矩阵基板具有多条相互平行的共通线103A和多条栅极线103B；以及多条数据线103C，其与共通线103A与门极线103B垂直交会，以形成多个次像素101。次像素101由两条共通线103A和两条数据线103C垂直交会形成，且两条共通线103A间有一条栅极线103B。栅极线103B连接至薄膜晶体管(未示出)以驱动次像素101。在图1中，次像素101分为反射区101A和穿透区101B，分别具有反射电极层105A和透明电极层105B。反射区101A与穿透区101B各自对应的彩色滤光片基板(未示出)上具有配向凸块104B，用以控制液晶分子108配向。为增加配向效果，反射区101A和穿透区101B之间设有主狭缝104A。另一方面，以连接电极105C电连接被主狭缝104A隔开的反射电极层105A和透明电极层105B。如图1所示，若以低温多晶硅(Low Temperature poly Silicon)工艺为例，一般矩阵基板的主狭缝104A与栅极线103B重叠。由于栅极线103B与共通线103A的电压差异，将造成液晶倾倒程度不同。如图2所示，是上述结构进行亮态液晶排列仿真的结果。在图2中，液晶显示面板分作反射区101A和穿透区101B，且液晶层109B夹设在彩色滤光片基板109A和矩阵基板109C之间。彩色滤光片基板109A包括透明基板115A、彩色滤光片111、配向凸块104B以及使反射区101A的液晶层厚度较薄的透明光刻胶层104C。矩阵基板109C包括透明基板115B、埋设在多层电路结构113的共通线103A与栅极线103B以及最上层的反射电极层105A和透明电极层105B。反射电极层105A和透明电极层105B之间的主狭缝104A与栅极线103B重叠。图中靠近共通线103A的虚线圈116A内的液晶分子108排列整齐，而靠近栅极线103B和主狭缝104A的虚线圈116B内的液晶分子108排列不整齐，造成液晶效率降低。综上所述，目前亟需在不大幅改变现有制造工艺的情况下，解决栅极线的高工作电压降低液晶效率的问题。
技术实现思路
为解决栅极线降低液晶效率的问题，本专利技术提供一种半穿反液晶显示面板，包括矩阵基板，包括相互平行排列的栅极线；与栅极线平行的共通线；和相互平行排列的数据线，与栅极线垂直，其中栅极线、共通线与数据线构成多个次像素；其中每一次像素包括至少一个穿透区；至少一个反射区；薄膜晶体管，与栅极线电连接；透明电极层，位于穿透区内并与薄膜晶体管电连接；反射电极层，位于反射区内；至少一个主狭缝，位于穿透区和反射区之间；和至少一个连接电极，连接透明电极层和反射电极层；其中主狭缝与栅极线不重叠；彩色滤光片基板，包括彩色滤光片对应矩阵基板的次像素；和液晶层，夹设在矩阵基板和彩色滤光片基板之间。本专利技术也提供一种半穿反液晶显示面板，包括矩阵基板，包括相互平行排列的栅极线；与栅极线平行的共通线；和相互平行排列的数据线，其与栅极线垂直，其中栅极线、共通线与数据线构成多个次像素；其中每一次像素包括至少一个穿透区；至少一个反射区；薄膜晶体管，与栅极线连接；透明电极层，与薄膜晶体管电连接并位于穿透区内；反射电极层，位于反射区内；至少一个主狭缝，位于穿透区和反射区之间；和至少一个连接电极，连接透明电极层和反射电极层；其中透明电极层屏蔽栅极线；彩色滤光片基板包括彩色滤光片对应矩阵基板的次像素；和液晶层，夹设在矩阵基板和彩色滤光片基板之间。本专利技术也提供一种穿透式液晶显示面板，包括矩阵基板，包括相互平行排列的栅极线；与栅极线平行的共通线；和相互平行排列的数据线，其与栅极线垂直，其中栅极线、共通线与数据线构成多个次像素；其中每一次像素包括至少一个穿透区；薄膜晶体管，与栅极线连接；透明电极层，与薄膜晶体管电连接并位于穿透区内；至少一个主狭缝，位于穿透区之间，用以分隔透明电极层；和至少一个连接电极，用以连接被主狭缝分隔的透明电极层；其中透明电极层屏蔽栅极线；彩色滤光片基板，包括彩色滤光片对应矩阵基板的次像素；和液晶层，夹设在矩阵基板和彩色滤光片基板之间。本专利技术还提供一种反射式液晶显示面板，包括矩阵基板，包括相互平行排列的栅极线；与栅极线平行的共通线；和相互平行排列的数据线，其与栅极线垂直，其中栅极线、共通线与数据线构成多个次像素；其中每一次像素包括至少一个反射区；薄膜晶体管，与栅极线连接；反射电极层，与薄膜晶体管电连接并位于反射区内；至少一个主狭缝，位于反射区之间，用以分隔反射电极层；和至少一个连接电极，用以连接被主狭缝分隔的反射电极层；其中主狭缝与栅极线不重叠；彩色滤光片基板，包括彩色滤光片对应矩阵基板的次像素；和液晶层，夹设在矩阵基板和彩色滤光片基板之间。附图说明图1是现有技术中半穿反液晶面板的次像素的俯视图；图2是图1的结构进行亮态液晶排列仿真的结果；图3A是本专利技术优选实施例的次像素俯视图；图3B是图3A中A-A线的剖面图；图4A-4D是本专利技术优选实施例的液晶显示面板剖视图；图5A-5D是本专利技术优选实施例的液晶显示面板的矩阵基板俯视图。简单符号说明1、101次像素 1A、101A反射区 1B、101B穿透区1C储存电容1D晶体管 3A、103A共通线3B、103B栅极线3B’栅极3C、103C数据线4A、104A主狭缝4B、104B配向凸块 4C、104C透明光刻胶层5A、105A反射电极层5B、105B透明电极层5C、105C连接电极 5D、105D导电层6A上电极 6B中电极6C下电极 7A、7B贯穿孔8、108液晶分子9A、109A彩色滤光片基板9B、109B液晶层9C、109C矩阵基板11、111彩色滤光片 13、113多层电路结构15A、15B、115A、115B透明基板116A靠近共通线3A的虚线圈116B靠近栅极线3B和主狭缝4A的虚线圈17A、17B透明绝缘层17C有机材料层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半穿反液晶显示面板，包括：　　　　矩阵基板，包括：　　　　多条相互平行排列的栅极线；　　　　多条与该栅极线平行的共通线；和　　　　多条相互平行排列的数据线，与该栅极线垂直，其中该栅极线、共通线与数据线构成多个次像素；　　　　其中每一该次像素包括：　　　　至少一个穿透区；　　　　至少一个反射区；　　　　薄膜晶体管，与该栅极线电连接；　　　　透明电极层，位于该穿透区内并与该薄膜晶体管电连接；　　　　反射电极层，位于该反射区内；　　　　至少一个主狭缝，位于该穿透区及该反射区之间；和　　　　至少一个连接电极，连接该透明电极层和该反射电极层；　　　　其中该主狭缝与该栅极线不重叠；　　　　彩色滤光片基板，包括多个彩色滤光片对应该矩阵基板的该次像素；和　　　　液晶层，夹设在该矩阵基板和该彩色滤光片基板之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：范姜士权，林敬桓，张志明，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]