液晶显示器件制造技术

本发明专利技术的目的是易于修复漏极信号线。在相互对置的两层基片之间夹有液晶，在基片之一的液晶一侧表面上构成的、被相邻两条栅极信号线以及相邻两条漏极信号线所围合的每一区域构成一个像素区。每个像素区具有一个开关元件，该元件受到来自两条栅极信号线之一的扫描信号所驱动，还具有一个像素电极，经该开关元件向其提供来自两条漏极信号线之一的视频信号。将一层修复导电层设置成：当垂直观察时该层包含在每条漏极信号线中，一层绝缘膜夹在其间。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器件，更具体来说，涉及有源矩阵型液晶显示器件。
技术介绍
在有源矩阵型液晶显示器件中，在相互对置的两层透明基片之间夹有液晶，在基片之一的液晶一侧表面上形成的、被沿x方向延伸且沿y方面排列的栅极信号线以及沿y方向延伸且沿x方向排列的漏极信号线所围合的每一区域构成一个像素区。每个像素区具有一个薄膜晶体管，它受到来自限定像素区域的栅极信号线之一的扫描信号所驱动；还具有一个像素电极，经薄膜晶体管向其提供来自限定该像素区域的漏极信号线之一的视频信号。上述信号线、薄膜晶体管、像素电极等中的每个均以一层覆盖另一层的方式由下述各层构成一层导体层、一层半导体层、一层绝缘层，其中每一层均按照光刻技术选择性刻蚀成预定图案。至于目前的高分辨率液晶显示器件，有人指出信号线断开问题有时是由于信号线宽度较小造成的。日本专利公开第19294/1993号中公布了一种解决这类问题的技术。这种技术可防止通常所说的线缺陷，这种缺陷是由源信号线断开造成的，这种技术是通过在例如五个位置应用激光从而在每个像素中构成一条电路(薄膜晶体管的)源电极→(薄膜晶体管的)栅电极→(薄膜晶体管的)漏电极→像素电极→第一导电片→第二导电片→漏极信号线。然而，需要应用五次或多次激光来修复漏极信号线，该技术的问题是这类工作非常繁琐。由于需要在每个像素区构成有第一导电片和第二导电片，该技术的又一个问题是使孔径率下降。该技术的另一个问题是虽然可以防止线缺陷但却不能避免点缺陷(像素缺陷)。
技术实现思路
考虑到现有技术的上述状况特提出本专利技术，因此本专利技术的一个目的是提供一种易于修复漏极导线的液晶显示器件。本专利技术的另一目的是提供一种液晶显示器件，其不会影响像素孔径率的提高。本专利技术的又一目的是提供一种液晶显示器件，其不会出现点缺陷，更不必说线缺陷。下面将简要介绍本专利技术的典型情况。在相互对置的两层基片之间夹有液晶，在基片之一的液晶一侧表面上构成的、被相邻两条栅极信号线以及相邻两条漏极信号线所围合的每一区域构成一个像素区。每个像素区具有一个开关元件，该元件受到来自两条栅极信号线之一的扫描信号所驱动，还具有一个像素电极，经该开关元件向其提供来自两条漏极信号线之一的视频信号。将一层修复导电层设置成当垂直观察时该层包含在每条漏极信号线中，一层绝缘膜夹在其间。在具有上述构造的液晶显示器件中，当漏极信号线中出现断开时，在位于断开区段两侧的断开漏极信号线的两个位置应用激光，借此将位于断开区段两侧的漏极信号各部分通过修复导电膜相互连接起来，也就是说，将断开的漏极信号线修复。这只需应用两次激光就可完成。由于每一修复导电层被构造成当垂直观察时该层包含在相应的漏极信号线中，因此并不影响像素孔径率的提高。此外，由于不使用位于像素区的构件来修复断开的漏极信号线，因此这种修复不会引起任何像素缺陷。附图说明图1是根据本专利技术第一实施例的液晶显示器件中一个像素的平面图；图2是根据本专利技术第一实施例的液晶显示器件的等效电路图；图3是沿图1中III-III线所做的剖面图；图4是沿图1中IV-IV线所做的剖面图；图5示出了根据本专利技术第一实施例的液晶显示器件的一个优点；图6是沿图5中VI-VI线所做的剖面图；图7A是根据本专利技术第二实施例的液晶显示器件中一个像素的平面图；图7B是沿图7A中b-b线所做的剖面图；以及图8是根据本专利技术第三实施例的液晶显示器件中一个像素的平面图。具体实施例方式下面将描述根据本专利技术各实施例的液晶显示器件。实施例1<等效电路> 图2是根据本专利技术第一实施例的液晶显示器件的等效电路图。尽管图2是一张电路图，但它是对应于实际几何布局来画的。如图2所示，透明基片SUB1与另一透明基片SUB2相互对置，它们之间夹有液晶。图2中沿x方向延伸且沿y方向排列的栅极信号线GL、以及图2中沿y方向延伸且沿x方向排列的漏极信号线DL，均在透明基片SUB1的液晶一侧表面上构成。漏极信号线DL与栅极信号线GL是隔绝的。由栅极信号线GL和漏极信号线DL围合成的每个矩形区域构成一个像素区。显示区域AR就是各像素区的总和。每个像素区具有薄膜晶体管TFT，它受到来自限定像素区的栅极信号线GL之一的扫描信号(电压)所驱动，还具有像素电极PIX，经薄膜晶体管TFT向其提供来自限定像素区的漏极信号线DL之一的视频信号(电压)。在像素电极PIX与限定像素区域的另一栅极信号线GL之间构成有电容元件Cadd。电容元件Cadd所起作用是长时间存储提供给像素电极PIX的视频信号，即使在薄膜晶体管TFT关闭后仍保存该信号。在每个像素区内构成的像素电极PIX与反电极CT(未示出)之间产生电场，该反电极CT成形于透明基片SUB2的液晶一侧表面上，对于所有像素区是公用的。以此方式来控制夹在像素电极PIX和反电极CT之间的液晶区的光透射。每条栅极信号线GL延伸到透明基片SUB1的一侧(图2中的左侧)，在栅极信号线GL延伸线的末端成形有末端区GTM，该末端区GTM与安装在透明基片SUB1上的垂直扫描电路-半导体集成电路GDRC的凸出端相连。每条漏极信号线DL延伸到透明基片SUB1的一侧(图2中的顶侧)，在漏极信号线DL之延伸线的末端成形有末端区DTM，该末端区DTM与安装在透明基片SUB1上的视频信号驱动电路-半导体集成电路DDRC相连。半导体集成电路GDRC和DDRC本身全部安装在透明基片SUB1上。这就是所谓的COG(半导体芯片直接绑定在玻璃屏上)组装技术。半导体集成电路GDRC和DDRC的输入端凸出端与透明基片SUB1上构成的相应末端区GTM2及DTM2相连。末端区GTM2和DTM2通过导线层与末端区GTM3及DTM3分别相连，后者设置在靠近透明基片SUB1之端面的周边区域内。透明基片SUB2与透明基片SUB1上覆盖半导体集成电路GDRC和DDRC的区域相对置，因而透明基片SUB2比透明基片SUB1的面积要小一些。透明基片SUB2靠密封件SL固定在透明基片SUB1上，密封件SL成形于透明基片SUB2的周边区域。密封件SL对于夹在透明基片SUB1与SUB2之间的液晶还起到密封作用。<像素结构> 图1是一张平面图，示出了在透明基片SUB1上构成且对应于图2中由虚线所包围部分A的一个像素结构。图3是沿图1中III-III线所做的剖面图(包含基片SUB2)。图4是沿图1中IV-IV线所做的剖面图。如图1所示，在透明基片SUB1的液晶一侧表面构成有栅极信号线GL，其沿x方向延伸且沿y方向排列。与栅极信号线GL同时构成的修复导电层RST构成于漏极信号线DL(随后描述)的下面。修复导电层RST与栅极信号线GL是物理隔离的，因而也是电隔绝的。由例如氮化硅(SiN)制成的绝缘膜GI构成于透明基片SUB1上，并覆盖住栅极信号线GL和修复导电层RST(见图3和4)。绝缘膜GI对漏极信号线DL(随后描述)起到如下作用用做夹层绝缘膜，将其与栅极信号线GL隔绝开；用做薄膜晶体管TFT的栅极绝缘膜；并且用做电容元件Cadd(随后描述)的介质膜。在每一像素区的底部左边，构成有一种例如由硅制成的i型(本征型，未掺杂任何导电型杂质)半导体层AS，覆盖住相应的栅极信号线GL。凭借在其上构成的源电极和漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示器件，包括：液晶；以及相互对置的两层基片，基片之间夹有液晶，该液晶显示器件在两层基片之一的液晶一侧表面上还具有：若干条栅极信号线；若干条漏极信号线，与所述若干条栅极信号线相交叉；像素区，每 一像素区由彼此相邻的两条栅极信号线以及彼此相邻的两条漏极信号线围合而成；开关元件，设置在每一像素区内并被来自限定所述像素区的两条栅极信号线之一的扫描信号所驱动；像素电极，设置在每一像素区内，并且经相应开关元件接受来自限定所述 像素区的两条漏极信号线之一的视频信号；绝缘膜；导电层，沿所述若干漏极信号线的每一个形成，从而当垂直地对该导电层进行观察时该导电层被所述若干漏极信号线的所述每一个所叠盖，并且由于该漏极信号线与导电层之间的所述绝缘膜的作用而使导 电层与所述若干漏极信号线的所述每一个绝缘；遮光膜，沿所述导电层的至少一侧形成，从而该遮光膜与所述导电层、漏极信号线以及像素电极绝缘，并且该遮光膜沿所述漏极信号线的延伸方向被所述像素电极所叠盖。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本雄一，笠井勉，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]