本发明专利技术提供一种液晶显示装置，具有：阵列基板，具备以矩阵状配置的信号线及扫描线、设置在信号线及扫描线的交叉部附近的薄膜晶体管、以及设置在由信号线及扫描线所区分的各个像素区域的像素电极；滤色器基板，形成有滤色器及共通电极；以及液晶层，配置在两基板间；其中像素电极设置在以俯视观察不会与信号线及扫描线的至少一方重叠的位置，且在邻接的像素电极间的下部，以俯视观察与像素电极重叠的方式配置有树脂黑矩阵。通过上述构成，可防止来自扫描线及信号线的周边部分的漏光，并且可抑制串扰等的显示不良，同时实现有效率的电力消耗的液晶显示装置。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示装置，特别是关于一种削减产生在扫描线、信号线与像素电极间、及扫描线、信号线与共通电极间的静电电容，以实现防止显示不良及降低消耗电力的液晶显示装置。
技术介绍
近年来，不仅在信息通信机器方面，在一般电子机器方面，液晶显示装置的适用也急速普及。由于该液晶显示装置不会自发光，因此大多使用在基板的背面侧设置背光的穿透型液晶显示装置。以下，参照图5及图6说明以往使用的一般穿透型液晶显示装置。图5是放大显示现有液晶显示装置的1像素部分，同时透视显示滤色器(color filter)基板的概略俯视图，图6是从图5的VI-VI线切断的剖视图。图5及图6记载的现有液晶显示装置10A是由阵列基板11、滤色器基板12及设置在该两基板间的液晶层13所构成，其中，阵列基板11具备由玻璃等所构成的透明基板31；由导电物质所构成，且以格子状配设在该透明基板31表面的多条扫描线32及信号线33；设置在该扫描线32及信号线33的交叉部附近而作为开关元件(switchingelement)的薄膜晶体管(以下称TFT)34；由导电物质所构成，且大致与扫描线32平行地配置在扫描线32间的多个辅助电容电极36；覆盖扫描线32及辅助电容电极36的由无机绝缘膜所构成的栅极绝缘膜37；覆盖信号线33及TFT34的由无机绝缘膜所构成的保护绝缘膜38；设置在保护绝缘膜38上的由有机绝缘膜所构成的层间膜39；及由设置在层间膜39上的扫描线32及信号线33所包围，且由以覆盖相当于1个像素的区域的方式设置的ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)等构成的像素电极40。TFT34包含从信号线33分岐的源极电极S；从扫描线32分岐的栅极电极G；连接在像素电极40的漏极电极D；以及多晶硅(p-Si)或非晶硅(a-Si)等所构成的硅层35。而且，像素电极40经由设置在位于辅助电容电极36上的层间膜39的接触孔41而连接在漏极电极D。而且，滤色器基板12具备由玻璃等所构成的透明基板21；以格子状形成在该透明基板21表面且由金属铬等形成的黑矩阵(省略图标)；分别设置在由该黑矩阵所区分的区域的由红(R)、绿(G)、蓝(B)等构成的滤色器22R、22G、22B；以及设置在该滤色器22R、22G、22B上且由ITO等所构成的共通电极23。再者，使两基板11、12表面相对向并利用密封材(省略图标)贴合其外周缘彼此，并使间隔件14配设在其内部，同时封入液晶以形成液晶层，由此制造液晶显示装置10A。此记载在例如日本专利特开2001-188256号公报中，为一种用以使液晶显示装置的开口率提高的技术。如此为了提高现有的开口率，作为用以使像素电极的区域扩大化的技术，已知有被称为FSP(field shieldpixel)等的技术，以有机绝缘膜覆盖在TFT上，而形成使表面整体平坦化后的像素电极。
技术实现思路
(专利技术所欲解决的问题)图7从图5的VII-VII线切断的剖视图。如图7所示，在现有的液晶显示装置10A中，覆盖相当1个像素的区域的像素电极40的侧端部以俯视观察与扫描线32及信号线33相重叠的方式形成。其目的为了防止来自该接缝部分的漏光，即防止通过在像素电极端部施加电压而使来自液晶显示装置10A的背光的光通过液晶配向紊乱的部分的液晶层所产生的漏光，而使扫描线32、信号线33与像素电极40相重叠者，通常，扫描线32及信号线33为相同宽度，其宽度L1约为8μm，与像素电极40重叠的宽度L2分别约为2μm。然而，在扫描线及信号线上形成像素电极时，在扫描线32、信号线33与像素电极40之间，如图7所示，形成存在有预定的静电电容Csd(、Cgd)。若该静电电容Csd(、Cgd)在预定值以上，在液晶显示装置10A驱动时，在显示画面会产生串扰(cross talk)。串扰是特别在白色显示的背景画面进行黑色显示时，会在该黑色显示的周边发生。该串扰产生机制被认为是因以下所示的理由所造成的。即，图8是在例如图5至图7所示的液晶显示装置10A中，显示产生串扰的画面。在图8所示的白背景显示黑色的画面时，将白背景区域内设为点X，将黑画面的上下，即信号线侧的区域内设为点Y时，各点X、Y的电压波形如图9所示。如图9所示，对TFT的栅极电极施加信号时，驱动TFT并对像素电极开始写入。而且，此时的像素电极的电位通过辅助电极电容维持预定期间(参照图9A)。再者，在该写入期间，写入在像素电极的白色显示用的电位配合对向电极电位Vcom的振幅，在保持期间中上下变动(参照图9B)。在该状态下，观察施加在点X、Y的信号线及像素电极的电压波形时，对于点X部分的信号线，是在下一个写入期间到来之前经常施加白色显示的电压，而该点X部分的像素电极的电位是在下一个写入期间到来之前以相同振幅上下变动(参照图9C、图9D)。另一方面，在途中对点Y部分的信号线施加黑色显示用的电压时，点Y部分的像素电极的电位在对信号线施加黑色显示用电压的期间，振幅会变化(参照与9E)。结果，施加在液晶的电压的实效值会在点X、Y不同，而产生差分ΔV，该差分是显示为亮度差而造成产生串扰的原因(参照图9F)。即，在现有技术所示的液晶显示装置10A中，会有因在扫描线32与像素电极40之间产生的静电电容Cgd、以及在信号线33与素电极40之间产生的静电电容Csd而产生串扰的问题。为解决该问题，若增大由辅助电极电容36与TFT34的漏极电极D所重叠的部分构成的电容器的电容、即作为主动矩阵动作用的信号保持电容的辅助电容，则虽可忽略该静电电容Cgd、Csd，但为了增大该辅助电容，必须使辅助电极电容36的面积增大，由于该辅助电极电容36是由遮旋光性的导电物质构成，因此更会产生每一像素的开口率降低的问题。再者，在现有技术的液晶显示装置10A中，如图7所示，使阵列基板11与滤色器基板12叠合时，在阵列基板11的信号线33与滤色器基板12的共通电极23之间也形成有静电电容Csc。该静电电容Csc也同样在扫描线32与共通电极23之间形成，将该静电电容设为Cgc时，液晶显示装置10A的1个像素的等效电路如图10所示。如图10所示，静电电容Csc及Cgc会对对极电极电位Vcom造成不良影响，详言之，因该静电电容Csc及Cgc而消耗电力，因此也存在有液晶显示装置10A的消耗电力增大的问题。而且，使用在液晶显示装置的TFT具有照射光时会有微弱电流流动的性质，当产生该微弱电流时，由于会对TFT的导通(ON)/关断(OFF)控制造成阻碍而产生闪烁，因此在现有的液晶显示装置中，为了达到防止光漏至TFT的目的，以俯视观察与TFT重叠的方式将黑矩阵配置在滤色器基板上，以防止外光照射至TFT。由此，虽可某种程度抑制外光照射至TFT，但由于为了在滤色器基板上设置黑矩阵而会在与TFT之间形成比较宽广的间隙，因此无法防止来自斜向的外光，而且来自背光的光会照射在由金属铬等所构成的黑矩阵，其一部分的光会反射而照射在TFT，因而有会产生光漏至TFT的问题。本专利技术人等鉴于上述问题点，研究一种可防止来自扫描线及信号线的周边部分的漏光及闪烁，且可良好地抑制产生在信号线及扫描线与像素电极之间的静电电容的液晶显示装置的结果发现通过在信号线及扫描线上形成比该信号线及扫描线更宽的树脂黑矩阵，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种液晶显示装置，具有：第１基板，具备：以矩阵状配置的信号线及扫描线、设置在上述信号线及扫描线的交叉部附近的薄膜晶体管、以及设置在由上述信号线及扫描线所区分的各个像素区域的像素电极；第２基板，形成有滤色器及共通电极；以及 液晶层，配置在上述两基板间；其中，上述像素电极设置在以俯视观察不会与上述信号线及扫描线的至少一方重叠的位置，且在邻接的上述像素电极间的下部，以俯视观察与上述像素电极重叠的方式配置有树脂黑矩阵。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：杉山裕纪，野村慎一郎，加藤隆幸，森田聪，
申请(专利权)人：爱普生映像元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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