液晶显示器制造技术

提供一种降低信号线的布线电阻率的液晶显示装置。液晶显示装置包括液晶插入其中的彼此相对设置的衬底、通过从栅区信号线提供的扫描信号驱动的薄膜晶体管和经薄膜晶体管从漏区信号线提供视频信号的像素电极，薄膜晶体管和像素设置在一个衬底的液晶侧表面上的每个像素区域中。栅区信号线由多层结构制成，该多层结构包括形成在液晶侧表面上的至少一个ＩＴＯ膜和形成来叠加在ＩＴＯ膜上的Ｍｏ层。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示装置，尤其涉及有源矩阵型液晶显示装置。
技术介绍
有源矩阵型液晶显示装置包括在其间插入液晶的彼此相对设置的衬底之一的液晶侧表面上提供的像素区域，每个像素区域是由设置来在X方向延伸并在Y方向并置的栅区信号线以及设置来在Y方向延伸并在X方向并置的漏区信号线包围的区域。每个像素区域包括由来自栅区信号线之一的栅信号驱动的开关元件、经开关元件从漏区信号线提供视频信号的像素电极。已知两种类型的液晶显示装置。一种是所谓的垂直电场型液晶显示装置，其中各个像素区域共用的反电极形成在衬底之一的液晶侧表面上，使得液晶的透光率由大致垂直于衬底的反电极与像素电极之间产生的电场控制。另一种是所谓的平面内开关型液晶显示装置，其中像素电极和相邻的反电极形成在形成有像素电极的衬底上的各个像素区域中，使得使得液晶的透光率由大致平行于衬底的像素电极与反电极之间产生的电场控制。但是，要求这种液晶显示装置的栅区信号线或漏区信号线具有更小的布线电阻率，以与近来的面板尺寸增加相适应。换言之，通过降低这些信号线的布线电阻率，可限制信号延迟，从而可实现更大的面板尺寸。但是，即使可降低这些信号线的布线电阻率，由于产出率降低，也必须避免制造工序数增加。另外，在以预定模式在衬底的液晶表面侧上层叠导电层、半导体层和绝缘层的情况下，考虑到产出率提高，要求制造出陡峭的台阶，并尽可能平滑。这是因为在出现台阶的部分中薄膜承受爬坡(climb-over)损坏。本专利技术考虑上述问题作出，本专利技术的一个目的是提供一种信号线的布线电阻率低的液晶显示装置。本专利技术的另一个目的是提供一种液晶显示装置，其中很少个陡峭台阶出现在衬底的液晶侧表面上。本专利技术的又一个目的是提供一种液晶显示装置的制造方法，其中制造工序数目减小。
技术实现思路
下面简要说明本申请公开的本专利技术的代表性方面。根据本专利技术的液晶显示装置，包括液晶插入其中的彼此相对设置的衬底；通过从栅区信号线提供的扫描信号驱动的薄膜晶体管；和经薄膜晶体管从漏区信号线提供视频信号的像素电极，薄膜晶体管和像素设置在一个衬底的液晶侧表面上的每个像素区域中。栅区信号线由多层结构制成，包括例如形成在液晶侧表面上的ITO膜和形成来叠加在ITO膜上的Mo层。在以这种方式构建的液晶显示装置中，通过使用具有小电阻率的Mo等使栅区信号线的布线电阻率减小。在这种情况下，ITO膜等插入在Mo层与衬底之间的原因是如果栅区信号线由单层Mo等构成，栅区信号线对衬底的粘结不足。在由这种多层结构制成的栅区信号线通过选择蚀刻形成的情况下，栅区信号线的侧壁分别形成有锥形表面，该表面朝向衬底渐渐变宽，从而可能降低陡峭台阶。根据本专利技术的液晶显示装置的制造方法，包括步骤在衬底上形成栅区信号线，每一个栅区信号线由依次层叠透明导电膜和金属层构成的叠层结构制成；形成绝缘膜来覆盖栅区信号线；在绝缘膜上形成由依次层叠半导体层、高浓度层和导电层构成的叠层结构；通过使用抗蚀剂回流方法对导电层和高浓度层执行选择蚀刻，用以形成薄膜晶体管的漏电极和源电极以及漏区信号线，并且用以执行半导体层的选择蚀刻；形成像素电极，每个电极部分直接叠加在对应薄膜晶体管中的一个的源电极上；形成保护膜并在保护膜中开孔来暴露出各个像素电极。在这种方式构建的液晶显示装置的制造方法中，尽管迄今为止半导体层的形成和漏电极与源电极的形成以各自的光电处理进行，这种各个的光电处理可用使用抗蚀剂回流方法的一个光电处理替代，从而可降低(简化)整个制造过程。在保护膜中形成孔的同时，在栅区端子部件和漏区端子部件处形成孔，从而可降低(简化)制造过程。附图说明联系附图从下面的对本专利技术的优选实施例的具体描述中更容易理解和领会本专利技术，其中图1是根据本专利技术的液晶显示装置的像素的一实施例的平面图；图2是沿着图1的线2-2的横截面图；图3是沿着图1的线3-3的横截面图；图4是沿着图1的线4-4的横截面图；图5是沿着图1的线5-5的横截面图；图6是沿着图1的线6-6的横截面图；图7A到7C是表示图1所示的栅区信号线GL的制造方法的一个实施例的过程图；图8A到8F是表示图1所示的薄膜晶体管的制造方法的一个实施例的过程图；图9A到9H是表示图1所示的液晶显示装置的制造方法的一个实施例的过程图；图10是表示图1所示的液晶显示装置的制造方法的一个实施例的表；图11是表示根据本专利技术的液晶显示装置的另一实施例的视图，并表示薄膜晶体管的横截面；图12表示根据本专利技术的液晶显示装置的另一实施例的视图，并表示漏区信号线及其附近的横截面；图13是表示根据本专利技术的液晶显示装置的另一实施例的视图，并表示栅区端子部件的横截面；图14是表示根据本专利技术的液晶显示装置的另一实施例的视图，并表示漏区端子部件的横截面；图15A到15E是表示根据本专利技术的液晶显示装置的另一实施例的视图，是表示薄膜晶体管的制造方法的一实施例的过程图；图16A到16G是表示根据本专利技术的液晶显示装置的制造方法的一个实施例的过程图；图17是表示根据本专利技术的液晶显示装置的制造方法的一个实施例的表；图18是表示根据本专利技术的液晶显示装置的另一实施例的视图，并表示薄膜晶体管的横截面；图19是表示根据本专利技术的液晶显示装置的另一实施例的视图，并表示漏区信号线及其附近的横截面；图20表示根据本专利技术的液晶显示装置的另一实施例的视图，并表示栅区端子部件的横截面；图21是表示根据本专利技术的液晶显示装置的另一实施例的视图，并表示漏区端子部件的横截面；图22A到22G是表示根据本专利技术的液晶显示装置的另一实施例的视图，是表示薄膜晶体管的制造方法的一个实施例的过程图；图23A到23G是表示根据本专利技术的液晶显示装置的制造方法的一个实施例的过程图；图24是表示根据本专利技术的液晶显示装置的制造方法的一个实施例的表；图25是根据本专利技术的液晶显示装置的像素的一实施例的平面图；图26是沿着图25的线26-26的横截面图；图27是沿着图25的线27-27的横截面图；图28是根据本专利技术的液晶显示装置的像素的一实施例的平面图；图29是沿着图28的线29-29的横截面图；图30是沿着图28的线30-30的横截面图；图31是根据本专利技术的液晶显示装置的像素的一实施例的平面图；图32是沿着图31的线32-32的横截面图；图33是沿着图31的线33-33的横截面图；图34是沿着图31的线34-34的横截面图；图35是表示图25所示的液晶显示装置的栅区端子部件的一个实施例的横截面图；图36是表示图25所示的液晶显示装置的漏区端子部件的一个实施例的横截面图；图37A到37F是图25所示的液晶显示装置的薄膜晶体管的制造方法的一个实施例的过程图；图38A到38E是表示图25所示的液晶显示装置的一个实施例的过程图；图39是表示图25所示的液晶显示装置的一个实施例的表；图40是根据本专利技术的液晶显示装置的像素的一实施例的平面图；图41是沿着图40的线41-41的横截面图；图42是沿着图40的线42-42的横截面图；图43A-43D是表示半曝光方法的解释图；图44是沿着图40的线44-44的横截面图；图45是沿着图40的线45-45的横截面图；图46A到46D是表示图40所示的薄膜晶体管的制造方法的一个实施例的过程图；图47E到47H是图46D之后的过程图，表示图40本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示装置，在经由液晶相对设置的各衬底中的一个衬底的液晶侧像素区域，设有栅绝缘膜、形成于该栅绝缘膜上的半导体层、作为层叠于该半导体层上的漏区信号线起作用的金属层，所述液晶显示装置的特征在于：所述半导体层其宽度比所述金属层宽并且 露出于所述金属层的两侧而存在，ＩＴＯ膜或ＩＺＯ膜覆盖所述金属层和露出于所述金属层两侧的半导体层。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：桶隆太郎，仲吉良彰，小野记久雄，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]