【技术实现步骤摘要】
液晶显示器
本专利技术的示例性实施方式涉及液晶显示器。
技术介绍
液晶显示器(“LCD”)是最为广泛使用的平板显示器类型中的一种。LCD通常包括其中设置场生成电极(诸如像素电极和公共电极)的两个显示面板以及插入在两个显示面板之间的液晶层。在这种LCD中,将电压施加至场生成电极以在液晶层中产生电场,电场确定液晶层的液晶分子的方向,并且通过控制入射光的偏振显示图像。在LCD之中,已经开发出垂直取向(“VA”)模式LCD,在该种LCD中,在不存在电场时,液晶分子的长轴被取向为垂直于面板。在VA模式LCD中,可通过在场生成电极中形成诸如微小的狭缝的切口(cutout)来实现宽视角。因为切口和突起(protrusion)可确定液晶分子的倾斜方向,所以使用切口和突起可使倾斜方向分布在各个方向上,从而拓宽参考视角。
技术实现思路
在垂直取向模式液晶显示器(其中在包括多个分支电极的像素电极中限定微小的狭缝)中,由于与液晶分子的其他液晶控制力的关系以及微小的狭缝,液晶分子的响应速度下降,从而随着时间可能显示纹理。本专利技术的示例性实施方式提供如下一种液晶显示器:具有减少的由于纹理而导致的显示质量的退化,同时最小化开口率的减小。本专利技术还提供一种其中不产生垂直线污点(stain)的液晶显示器。根据本专利技术的液晶显示器的示例性实施方式包括:绝缘基板;多个像素,布置在绝缘基板上,其中,每个像素具有在水平方向上延长的形状,并且包括薄膜晶体管形成区域和显示区;以及参考电压线,沿着显示区的中 ...
【技术保护点】
一种液晶显示器,包括:绝缘基板;多个像素,布置在所述绝缘基板上,其中,每个像素具有在水平方向上延长的形状,并且包括薄膜晶体管形成区域和显示区;以及参考电压线,沿着所述显示区的中央在垂直方向上延伸;其中,所述显示区包括单个高灰度子像素区和两个低灰度子像素区;并且所述单个高灰度子像素区位于所述两个低灰度子像素区之间。
【技术特征摘要】
2013.11.26 KR 10-2013-01448561.一种液晶显示器,包括:
绝缘基板;
多个像素,布置在所述绝缘基板上,其中,每个像素具有在第一方向上延长的形状,使得所述每个像素的在所述第一方向上的长度大于所述每个像素的在与所述第一方向垂直的第二方向上的长度,并且每个像素包括薄膜晶体管形成区域和显示区;以及
参考电压线,沿着所述显示区的中央在所述第二方向上延伸;
其中,
所述显示区包括单个高灰度子像素区和两个低灰度子像素区;
所述单个高灰度子像素区位于所述两个低灰度子像素区之间;并且
所述参考电压线与所述单个高灰度子像素区叠置,
其中,所述单个高灰度子像素区包括单个高灰度像素电极,所述两个低灰度子像素区均包括一个低灰度像素电极,所述单个高灰度像素电极和两个低灰度像素电极均包括多个单位像素电极,
所述单个高灰度像素电极的单位像素电极与低灰度像素电极的单位像素电极被布置成在所述第一方向上彼此相邻,且所述单个高灰度像素电极的单位像素电极和低灰度像素电极的单位像素电极具有彼此面对的两个侧边,
其中,所述彼此面对的两个侧边中的一个侧边具有直线形状,所述彼此面对的两个侧边中的另一个侧边具有凸形形状。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器,进一步包括:
第一薄膜晶体管,连接至所述单个高灰度像素电极;
第二薄膜晶体管,连接至所述两个低灰度像素电极;以及
第三薄膜晶体管,所述第三薄膜晶体管的第一电极连接至所述两个低灰度像素电极并且所述第三薄膜晶体管的第二电极连接至所述参考电压线。
3.根据权利要求2所述的液晶显示器,其中,
所述参考电压线包括沿着所述显示区的外部区域朝向所述薄膜晶体管形成区域延伸的分支。
4.根据权利要求2所述的液晶显示器,其中,
所述单个高灰度子像素区和所述两个低灰度子像素区中的每一个包括四个域。
5.根据权利要求4所述的液晶显示器,其中,
所述参考电压线穿过所述单个高灰度子像素区的中央。
6.根据权利要求2所述的液晶显示器,其中,
所述显示区包括八个域。
7.根据权利要求6所述的液晶显示器,其中,
所述单个高灰度子像素区包括四个域;并且
所述两个低灰度子像素区中的每一个包括两个域。
8.根据权利要求6所述的液晶显示器,其中,
所述单个高灰度子像素区包括三个域;
所述两个低灰度子像素区中的一个包括三个域;并且
所述两个低灰度子像素区中的另一个包括两个域。
9.根据权利要求8所述的液晶显示器,其中,
所述显示区的八个域在所述显示区中排布在沿所述第一方向延伸的两个行和沿所述第二方向延伸的四个列上;并且
所述单个高灰度子像素区包括布置在第二列和第二行上的域、布置在第三列和第一行上的域、以及布置在所述第三列和所述第二行上的域。
10.根据权利要求2所述的液晶显示器,进一步包括:
第一连接,沿着所述显示区的上部区域布置,其中,所述第一连接将所述单个高灰度像素电极和所述第一薄膜晶体管彼此连接;以及
第二连接,沿着所述显示区的所述上部区域布置,其中,所述第二连接将所述两个低灰度像素电极中的一个与所述第二薄膜晶体管连接。
...
【专利技术属性】
技术研发人员:辛哲,仓学璇,柳长炜,张在洙,申旗澈,李成荣,
申请(专利权)人:三星显示有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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