一种晶圆清洗方法和晶圆清洗装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶圆清洗方法和晶圆清洗装置，所述晶圆清洗方法包括：根据对中操作确定的两个滚刷工装与晶圆工装同时接触的基准位置安装清洗刷并控制所述清洗刷移动至相应的清洗位置；控制清洗刷在所述清洗位置对晶圆的正反两面进行滚动刷洗。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆清洗方法和晶圆清洗装置
本专利技术属于化学机械抛光后处理
，具体而言，涉及一种晶圆清洗方法和晶圆清洗装置。
技术介绍
集成电路产业是信息技术产业的核心，在助推制造业向数字化、智能化转型升级的过程中发挥着关键作用。芯片是集成电路的载体，芯片制造涉及芯片设计、晶圆制造、晶圆加工、电性测量、切割封装和测试等工艺流程。其中，化学机械抛光属于晶圆制造工序，化学机械抛光（ChemicalMechanicalPlanarization,CMP）是一种全局平坦化的超精密表面加工技术。晶圆进行化学机械抛光后需要进行清洗、干燥等后处理。清洗的目的是为了避免微量离子和金属颗粒对半导体器件的污染，保障半导体器件的性能和合格率。晶圆清洗方式有：滚刷清洗、兆声清洗等，其中，滚刷清洗应用较为广泛。滚刷清洗中，晶圆设置于壳体的支撑滚轮，设置于晶圆两侧的滚刷绕其轴线滚动以接触清洗移除晶圆表面的颗粒物。如专利CN209551448U公开的晶圆的处理装置，后处理单元包括滚刷装置，滚刷装置包括安装壳（壳体），晶圆可转动地设在安装壳（壳体）内，滚刷绕其轴线滚动地设置于安装壳（壳体）内并位于晶圆两侧；滚刷与晶圆接触，在滚刷滚动的过程中移除晶圆表面的污染物。由于壳体内部的支撑滚轮的安装基准与滚刷的安装基准不同，因此，在滚刷清洗模块的装配过程中，只能保证支撑滚轮形成的平面与滚刷的安装基准面大致垂直。这样就产生了一个问题：放置于支撑滚轮的晶圆可能不是竖直状态。而在滚刷清洗模块调试时，一般是以设置于支撑滚轮上的晶圆为基准来调试滚刷的位置。以一个状态不明确的部件作为基准进行调试，肯定会产生调整精度不高、调试效率低的问题。此外，即使支撑滚轮形成的平面与滚刷的安装基准面垂直，放置于支撑滚轮上的晶圆也可能出现略微倾斜的情况。这在一定程度上也影响了滚刷清洗模块的调试结果，影响晶圆刷洗的效果。
技术实现思路
本专利技术旨在至少一定程度上解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术实施例的第一个方面提供了一种晶圆清洗方法，其包括：S1，使用清洗刷对中装置对晶圆清洗装置实施对中操作；S2，确定两个滚刷工装与晶圆工装同时接触的基准位置；S3，根据对中操作确定的基准位置安装清洗刷；S4，控制所述清洗刷移动至相应的清洗位置并对晶圆的正反两面进行滚动刷洗。作为优选实施例，所述对中操作包括：S11，安装滚刷工装以替代壳体中的清洗刷；S12，将晶圆工装放置在壳体内的支撑滚轮上，调节晶圆工装的姿态至竖直状态并锁紧；S13，控制滚刷工装移动，使其与晶圆工装同时接触以确定所述基准位置。作为优选实施例，确定滚刷工装基准位置的步骤包括：S131，控制滚刷工装移动，当一个滚刷工装与晶圆工装之间的距离为设定距离L0时，测量另一个滚刷工装与晶圆工装的距离L；S132，若所述距离L大于设定距离L0，则调整另一个滚刷工装的安装位置；S133，重复步骤S131、S132，直至两个滚刷工装与晶圆工装同时接触，所述滚刷工装的安装位置为基准位置。作为优选实施例，通过抵接所述晶圆工装的外缘以保持其位置。作为优选实施例，所述晶圆工装的姿态为晶圆工装的倾斜度，通过设置于所述晶圆工装侧面的水平仪检测所述晶圆工装的姿态。作为优选实施例，所述晶圆工装通过卡紧机构锁紧晶圆工装的位置，所述卡紧机构可拆卸地设置于所述壳体的顶部。作为优选实施例，所述卡紧机构包括支架和顶针，所述顶针滑动连接于所述支架，所述顶针能够沿竖直方向移动以使所述顶针与晶圆工装的外缘抵接。作为优选实施例，所述支架配置有与晶圆工装的侧面垂直的滑轨，所述顶针设置于支撑块，所述支撑块通过滑块连接于所述滑轨，所述顶针能够沿所述滑轨移动以调节顶针与晶圆工装的水平距离。本专利技术实施例的第二个方面提供了一种晶圆清洗装置，其包括：第一清洗刷，用于对晶圆正面进行刷洗；第二清洗刷，用于对晶圆反面进行刷洗；控制模块，用于根据对中操作确定的两个滚刷工装与晶圆工装同时接触的基准位置安装清洗刷并控制所述清洗刷移动至相应的清洗位置；控制清洗刷在所述清洗位置对晶圆的正反两面进行滚动刷洗。本专利技术实施例的第三个方面提供了一种控制模块，其包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上面所述晶圆清洗方法的步骤。本专利技术的有益效果包括：通过滚刷工装、晶圆工装及卡紧机构，有效消除清洗刷安装面与放置晶圆的支撑滚轮的安装面之间的垂直度不佳对晶圆清洗的影响，精准确定清洗刷的安装位置，有效保证清洗刷的对称安装，使得清洗刷同时与晶圆正反面接触，保证良好的清洗效果。附图说明通过结合以下附图所作的详细描述，本专利技术的优点将变得更清楚和更容易理解，这些附图只是示意性的，并不限制本专利技术的保护范围，其中：图1是本专利技术所述晶圆清洗装置1的结构示意图；图2是本专利技术所述清洗刷对中装置2的结构示意图；图3是本专利技术所述卡紧机构60的结构示意图；图4是本专利技术所述清洗刷对中装置2另一个实施例的结构示意图；图5是本专利技术所述晶圆清洗方法的流程图；图6是本专利技术所述晶圆清洗装置的对中方法的流程图；图7是本专利技术所述滚刷工装40调整动作的流程图；图8是本专利技术确定滚刷工装基准位置的示意图。具体实施方式下面结合具体实施例及其附图，对本专利技术所述技术方案进行详细说明。在此记载的实施例为本专利技术的特定的具体实施方式，用于说明本专利技术的构思；这些说明均是解释性和示例性的，不应理解为对本专利技术实施方式及本专利技术保护范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。本说明书的附图为示意图，辅助说明本专利技术的构思，示意性地表示各部分的形状及其相互关系。应当理解的是，为了便于清楚地表现出本专利技术实施例的各部件的结构，各附图之间并未按照相同的比例绘制，相同的参考标记用于表示附图中相同的部分。在本专利技术中，“化学机械抛光（CMP,ChemicalMechanicalPolishing）”也称为“化学机械平坦化（CMP,ChemicalMechanicalPlanarization）”，“晶圆（wafer）”也称“基板（substrate）”，其含义和实际作用等同。IC制程中，需要在洁净间使用一些有机物和无机物。由于受到人员、环境等因素的影响，晶圆加工过程中会产生大量污染物。这些污染物大致包括颗粒、有机物、金属污染物和/或氧化物等。污染物的颗粒大小为几纳米至几百纳米不等。晶圆清洗的作用就是将晶圆表面附着的污染物移除，使得晶圆表面的污染颗粒大小及数量控制在工艺要求范围内。图1是晶圆清洗装置1的结构示意图，晶圆清洗装置1包括壳体10，壳体10的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：/nS1，使用清洗刷对中装置对晶圆清洗装置实施对中操作；/nS2，确定两个滚刷工装与晶圆工装同时接触的基准位置；/nS3，根据对中操作确定的基准位置安装清洗刷；/nS4，控制所述清洗刷移动至相应的清洗位置并对晶圆的正反两面进行滚动刷洗。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：
S1，使用清洗刷对中装置对晶圆清洗装置实施对中操作；
S2，确定两个滚刷工装与晶圆工装同时接触的基准位置；
S3，根据对中操作确定的基准位置安装清洗刷；
S4，控制所述清洗刷移动至相应的清洗位置并对晶圆的正反两面进行滚动刷洗。


2.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述对中操作包括：
S11，安装滚刷工装以替代壳体中的清洗刷；
S12，将晶圆工装放置在壳体内的支撑滚轮上，调节晶圆工装的姿态至竖直状态并锁紧；
S13，控制滚刷工装移动，使其与晶圆工装同时接触以确定所述基准位置。


3.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，确定滚刷工装基准位置的步骤包括：
S131，控制滚刷工装移动，当一个滚刷工装与晶圆工装之间的距离为设定距离L0时，测量另一个滚刷工装与晶圆工装的距离L；
S132，若所述距离L大于设定距离L0，则调整另一个滚刷工装的安装位置；
S133，重复步骤S131、S132，直至两个滚刷工装与晶圆工装同时接触，所述滚刷工装的安装位置为基准位置。


4.如权利要求2所述的晶圆清洗方法，其特征在于，通过抵接所述晶圆工装的外缘以保持其位置。


5.如权利要求2所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王剑，
申请(专利权)人：华海清科北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11