处理基板的方法技术

公开了一种处理基板的方法。在一个实施例中，将超临界流体供应至腔室中的处理空间，从而处理所述处理空间中的基板。在排放所述处理空间的情况下，将所述超临界流体供应到所述处理空间。当排放所述处理空间时供应的所述超临界流体的温度，高于供应到所述处理空间用于处理所述基板的所述超临界流体的温度。

【技术实现步骤摘要】
处理基板的方法相关申请的交叉引用本申请请求分别于2019年7月15日递交韩国知识产权局的第10-2019-0085053号韩国专利申请，其全部内容通过引用合并于此。
本文描述的本专利技术构思的实施方案涉及一种处理基板的方法，更具体地，涉及一种使用超临界流体处理基板的方法。
技术介绍
通常，半导体设备由诸如晶圆的基板制造。具体地，通过执行沉积工艺、光刻工艺或蚀刻工艺等来制造半导体设备，以在基板的顶表面上形成精细的电路图案。由于在执行上述工艺的情况下，在其上形成有电路图案的基板的顶表面可能被各种异物污染，因此可以执行清洁工艺以去除异物。通常，清洁工艺包括将化学品供应至基板以去除基板上的异物的化学品处理步骤、将纯水供应至基板以去除残留在基板的化学品的清洗步骤、和去除残留在基板上的纯水的干燥步骤。超临界流体用于干燥基板。在一个实施例中，在用有机溶剂替代基板上的纯水之后，将超临界流体供应至高压腔室中的基板的顶表面，使得残留在基板上的有机溶剂溶解在超临界流体中，而从基板去除有机溶剂。异丙醇(IPA)用作有机溶剂，且二氧化碳(CO2)用作超临界流体，IPA很好地溶解在二氧化碳中，并且二氧化碳的临界温度和临界压力相对较低。使用超临界流体的基板处理如下。图1示出了当使用超临界流体处理基板时，腔室内的压力P和腔室内的温度T。当将基板带入高压腔室中时，将处于临界状态的二氧化碳供应到高压腔室中，从而使高压腔室的内部加压(S10)。然后，在重复超临界流体的供应以及高压腔室的排放的情况下，用超临界流体处理基板(S20)。当完成基板处理时，排放高压腔室内部，并因此降低压力(S30)。如图2所示，在二氧化碳中IPA的溶解度随着温度的降低而降低。因此，在重复二氧化碳的供应和腔室内部的排放的情况下，在处理基板期间排放腔室时，腔室内部的温度由于绝热膨胀而降低。虽然腔室内部的温度不低于二氧化碳的临界温度t1，但是如图2所示，在二氧化碳中IPA的溶解度随着腔室内部的温度的降低而降低。由于溶解度降低，因此腔室中的IPA以雾状残留，并落在基板上，导致清洁缺陷。在排放高压腔室的内部以实现腔室的减压(S30)的情况下，腔室内部的压力降低，并且由于绝热膨胀，腔室内部的温度下降至低于31摄氏度、即二氧化碳的临界温度t1。这导致自时间t1起，腔室内部的超临界混合物凝结(condense)并滴落到基板上。未溶解在超临界流体中的IPA与二氧化碳之间的混合物残留在基板上并吸附到基板中，从而引起图案衬里化(lining)。因此，增加处理时间以减少残留在基板上的IPA。然而，这可能导致半导体价格增加，且半导体产率降低。
技术实现思路
本专利技术构思的实施方案提供一种基板处理方法，该方法可以在使用超临界流体处理基板时改进处理效率。本专利技术构思的实施方案提供了一种处理基板的方法，该方法可以解决当使用超临界流体干燥基板的工艺期间排放高压腔室时导致的问题。本专利技术构思的目的不限于此。对于本领域技术人员，未提及的其他目的将从以下描述中变得显而易见。根据一示例性实施方案，一种处理基板的方法包括：将超临界流体供应至腔室中的处理空间，以使用所述超临界流体处理所述处理空间中的所述基板，其中，将处于第一温度下的所述超临界流体、和处于比所述第一温度高的第二温度下的所述超临界流体供应至所述处理空间中，以使用各超临界流体处理所述基板。所述方法可包括重复地将处于所述第一温度下的所述超临界流体供应至所述处理空间以处理所述基板、以及排放所述处理空间，从而处理所述处理空间中的所述基板，其中，在处理所述基板的情况下，当排放所述处理空间时，可以将处于所述第二温度的所述超临界流体供应至所述处理空间。所述方法还可包括在完成所述基板的处理后，使所述处理空间减压，其中，当使所述处理空间减压时，可以将处于所述第二温度的所述超临界流体供应到所述处理空间。其中，当使所述处理空间减压时、供应到所述处理空间的、处于所述第二温度下的所述超临界流体的每单位时间的供应量，可以小于在所述基板的处理期间、供应至所述处理空间的、处于第一温度下的所述超临界流体的每单位时间的供应量。在所述基板的处理期间，当排放所述处理空间时、供应到所述处理空间的、处于所述第二温度下的所述超临界流体的每单位时间的供应量，可以小于供应到所述处理空间的、处于第一温度下的所述超临界流体的每单位时间的供应量。所述方法还可包括在完成所述基板的处理后，使所述处理空间减压，其中，当使所述处理空间减压时，可以将处于所述第二温度的所述超临界流体供应到所述处理空间。在使所述处理空间减压时，供应到所述处理空间的、处于所述第二温度下的所述超临界流体的每单位时间的供应量，可以小于所述超临界流体从所述处理空间的每单位时间的排放量。所述基板的处理可以包括将基板上的有机溶剂溶解在超临界流体中、以从所述基板去除所述有机溶剂的工艺。所述超临界流体可以是二氧化碳。根据一示例性实施方案，一种处理基板的方法包括：将超临界流体供应至腔室中的处理空间，以使用所述超临界流体处理所述处理空间中的所述基板，其中，所述方法还包括：在将基板带入到所述处理空间中之后、使所述处理空间加压的加压步骤；将所述超临界流体供应到所述处理空间、以使用所述超临界流体处理所述基板的处理步骤；以及在完成所述基板的处理之后、从所述处理空间排放所述超临界流体的减压步骤，其中，在所述减压步骤期间、在从所述处理空间排放所述超临界流体的情况下，将所述超临界流体供应到所述处理空间，其中，在所述减压步骤中供应到所述处理空间的所述超临界流体的温度，高于所述加压步骤中供应到所述处理空间的所述超临界流体的温度。在所述减压步骤中，所述超临界流体的供应可以与所述减压步骤的开始同时开始。在所述减压步骤中，所述超临界流体的供应可以在所述减压步骤的中间开始。在所述减压步骤中供应的所述超临界流体可以在所述减压步骤之前供应到所述处理空间。在所述减压步骤中，供应到所述处理空间的所述超临界流体的每单位时间的供应量，可以小于所述超临界流体从所述处理空间的每单位时间的排放量。在所述处理步骤中，可以交替重复多次将所述超临界流体供应至所述处理空间的供应步骤、和将所述超临界流体从所述处理空间排放的排放步骤，其中，在所述排放步骤中，可以将具有比所述供应步骤中供应到所述处理空间的所述超临界流体的温度更高的温度的所述超临界流体供应到所述处理空间。在所述减压步骤中，供应到所述处理空间的所述超临界流体的每单位时间的供应量，可以小于在所述供应步骤中供应到所述处理空间的所述超临界流体的每单位时间的供应量。在所述排放步骤中，供应到所述处理空间的所述超临界流体的每单位时间的供应量，可以小于在所述供应步骤中供应到所述处理空间的所述超临界流体的每单位时间的供应量。根据一示例性实施方案，一种处理基板的方法包括：将超临界流体供应至腔室中的处理空间，以使用所述超临界流体处理所述处理空间中的所述基板，其中，所述方法还包括：在可以将基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理基板的方法，所述方法包括：/n将超临界流体供应到腔室中的处理空间，以使用所述超临界流体处理所述处理空间中的所述基板，/n其中，将处于第一温度的所述超临界流体、和处于比所述第一温度高的第二温度的所述超临界流体供应到所述处理空间中，以使用各超临界流体处理所述基板。/n

【技术特征摘要】
20190715 KR 10-2019-00850531.一种处理基板的方法，所述方法包括：
将超临界流体供应到腔室中的处理空间，以使用所述超临界流体处理所述处理空间中的所述基板，
其中，将处于第一温度的所述超临界流体、和处于比所述第一温度高的第二温度的所述超临界流体供应到所述处理空间中，以使用各超临界流体处理所述基板。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法包括重复地将处于所述第一温度的所述超临界流体供应至所述处理空间以处理所述基板、以及排放所述处理空间，从而处理所述处理空间中的所述基板，
其中，在处理所述基板的情况下、当排放所述处理空间时，将处于所述第二温度的所述超临界流体供应到所述处理空间。


3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述方法还包括在完成所述基板的处理后，使所述处理空间减压，
其中，当使所述处理空间减压时，将处于所述第二温度的所述超临界流体供应到所述处理空间，
其中，当使所述处理空间减压时、供应到所述处理空间的、处于所述第二温度的所述超临界流体的每单位时间的供应量，小于在所述基板的处理期间、供应到所述处理空间的、处于所述第一温度的所述超临界流体的每单位时间的供应量。


4.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述基板的处理期间，当排放所述处理空间时、供应到所述处理空间的、处于所述第二温度的所述超临界流体的每单位时间的供应量，小于供应到所述处理空间的、处于第一温度的所述超临界流体的每单位时间的供应量。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括在完成所述基板的处理后，使所述处理空间减压，
其中，当使所述处理空间减压时，将处于所述第二温度的所述超临界流体供应到所述处理空间。


6.根据权利要求5所述的方法，其中，在使所述处理空间减压时，供应到所述处理空间的、处于所述第二温度的所述超临界流体的每单位时间的供应量，小于所述超临界流体从所述处理空间的每单位时间的排放量。


7.根据权利要求1到6中任一项所述的方法，其中，所述基板的处理包括将所述基板上的有机溶剂溶解在所述超临界流体中、以从所述基板去除所述有机溶剂的工艺。


8.根据权利要求1到6中任一项所述的方法，其中，所述超临界流体为二氧化碳。


9.一种处理基板的方法，其中，所述方法包括：
将超临界流体供应至腔室中的处理空间，以使用所述超临界流体处理所述处理空间中的所述基板，
其中，所述方法还包括：
在将所述基板带入到所述处理空间中之后、使所述处理空间加压的加压步骤；
将所述超临界流体供应到所述处理空间、以使用所述超临界流体处理所述基板的处理步骤；以及
在完成所述基板的处理之后、从所述处理空间排放所述超临界流体的减压步骤，
其中，在所述减压步骤期间、在从所述处理空间排放所述超临界流体的情况下，将所述超...

【专利技术属性】
技术研发人员：金度宪，崔基勋，许瓒宁，姜基文，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR