【技术实现步骤摘要】
灵敏放大器及存储装置
本技术涉及半导体存储
，特别是涉及一种灵敏放大器及存储装置。
技术介绍
半导体存储装置通常以存储单元组成的大型两维阵列设置。每行的存储单元可以由行线(通常也称作为字线)进行选择，并且每列的存储单元可以由列线(通常称作为位线)进行选择。位于字线和位线交叉部的存储单元用于存储相应的信息。灵敏放大器能够精确判断存储单元中存储的信息，被广泛应用于各种存储装置，用于读取存储单元中存储的信息。然而，传统存储装置中的灵敏放大器在功耗、速度及对存储阵列的利用效率等方面，有待进一步提高。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种具备较高读写速度、耗能更少且能提高存储单元阵列利用效率的灵敏放大器及存储装置。为了实现上述目的，本申请的第一方面提供了一种灵敏放大器，包括第一开关单元、第二开关单元及放大锁存模块，所述放大锁存模块的第一端口经由所述第一开关单元电连接到与存储单元相连接的位线，所述放大锁存模块的第二端口经由所述第二开关单元电连接到参考电压信号；其中，所述放大锁存模块用于在感测放大阶段...
【技术保护点】
1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：/n第一开关单元；/n第二开关单元；/n放大锁存模块，所述放大锁存模块的第一端口经由所述第一开关单元电连接到与存储单元相连接的位线，所述放大锁存模块的第二端口经由所述第二开关单元电连接到参考电压信号；/n其中，所述放大锁存模块用于在感测放大阶段对信号进行放大，所述第一开关单元被配置为在感测放大阶段前将所述位线上的电压传输至所述第一端口，所述第二开关单元被配置为在感测放大阶段前将所述参考电压信号传输至所述第二端口，并在感测放大阶段断开所述参考电压信号与所述第二端口的电连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：
第一开关单元；
第二开关单元；
放大锁存模块，所述放大锁存模块的第一端口经由所述第一开关单元电连接到与存储单元相连接的位线，所述放大锁存模块的第二端口经由所述第二开关单元电连接到参考电压信号；
其中，所述放大锁存模块用于在感测放大阶段对信号进行放大，所述第一开关单元被配置为在感测放大阶段前将所述位线上的电压传输至所述第一端口，所述第二开关单元被配置为在感测放大阶段前将所述参考电压信号传输至所述第二端口，并在感测放大阶段断开所述参考电压信号与所述第二端口的电连接。
2.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一开关单元还被配置为在感测放大阶段断开所述位线与所述第一端口的电连接，并在回写阶段导通以将所述放大锁存模块放大后的数据回写进所述存储单元，所述第二开关单元还被配置为在回写阶段断开所述第二端口与参考电压信号的电连接。
3.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述放大锁存模块的第二端口经由所述第二开关单元电连接到参考电压源，所述参考电压源用于向所述放大锁存模块提供参考电压信号。
4.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述放大锁存模块的第二端口经由所述第二开关单元电连接到与互补存储单元连接的互补位线，所述互补位线用于向所述放大锁存模块提供参考电压信号。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的灵敏放大器，其特征在于，所述放大锁存模块包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管；
所述第一晶体管的源极与所述第三晶体管的源极电连接至第一电压节点，所述第二晶体管的源极与所述第四晶体管的源极电连接至第二电压节点，所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的漏极电连接并作为所述放大锁存模块的第一端口，所述第三晶体管的漏极和所述第四晶体管的漏极电连接并作为所述放大锁存模块的第二端口，所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极电连接至所述第二端口，所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极电连接至所述第一端口。
6.根据权利要求5所述的灵敏放大器，其特征在于，还包括：
第三开关单元，所述第一电压节点经由所述第三开关单元与电源信号连接，所述第三开关单元在所述感测放大阶段、回写阶段处于导通状态，并在预充电阶段、电荷共享阶段处于断开状态；
第四开关单元，所述第二电压节点经由所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪瑛，池性洙，
申请(专利权)人：长鑫存储技术上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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