半导体装置的数据感测电路制造方法及图纸

根据本公开，一种半导体装置的数据感测电路包括：感测部分，其被配置为感测并放大通过第一数据线和第二数据线之中的被激活的数据线提供的输入信号。数据感测电路还包括：偏移采样部分，其被配置为通过对第一数据线和第二数据线之中的要被激活的一个数据线的第一偏移电压进行采样来产生第二偏移电压，并且被配置为将第二偏移电压储存到第一数据线和第二数据线之中的另一数据线的寄生电容中。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的数据感测电路相关申请的交叉引用本申请要求于2019年5月14日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2019-0056323的韩国申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。
本公开的各种实施例涉及一种半导体电路，并且更具体地，涉及一种半导体装置的数据感测电路。
技术介绍
半导体装置包括被配置为将储存在存储单元中的数据感测并放大的数据感测电路。由于可能是通过制造工艺的改变、具有低电压电平的电源电压的使用以及配置单位存储单元的电容器的电容的减小而引起的数据感测电路的感测裕度的减小，可能会导致操作性能劣化。
技术实现思路
本公开的各种示例性实施例可以提供一种能够增大感测裕度的半导体装置的数据感测电路。在本公开的一个实施例中，一种半导体装置的数据感测电路可以包括感测部分，该感测部分被配置为感测并放大通过第一数据线和第二数据线之中的被激活的数据线提供的输入信号。数据感测电路还可以包括偏移采样部分，该偏移采样部分被配置为通过对所述第一数据线和第二数据线之中的要被激活的一个数据线的第一偏移电压进行采样本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的数据感测电路，所述数据感测电路包括：/n感测部分，其被配置为感测并放大通过第一数据线和第二数据线之中的被激活的数据线提供的输入信号；和/n偏移采样部分，其被配置为：/n通过对所述第一数据线和所述第二数据线之中的要被激活的一个数据线的第一偏移电压进行采样来产生第二偏移电压；以及/n将所述第二偏移电压储存到所述第一数据线和所述第二数据线之中的另一数据线的寄生电容中。/n

【技术特征摘要】
20190514 KR 10-2019-00563231.一种半导体装置的数据感测电路，所述数据感测电路包括：
感测部分，其被配置为感测并放大通过第一数据线和第二数据线之中的被激活的数据线提供的输入信号；和
偏移采样部分，其被配置为：
通过对所述第一数据线和所述第二数据线之中的要被激活的一个数据线的第一偏移电压进行采样来产生第二偏移电压；以及
将所述第二偏移电压储存到所述第一数据线和所述第二数据线之中的另一数据线的寄生电容中。


2.根据权利要求1所述的半导体装置的数据感测电路，其中，所述数据感测电路被配置为使得：在所述数据感测电路的电荷共享操作期间，所述第一偏移电压被所述第二偏移电压抵消。


3.根据权利要求1所述的半导体装置的数据感测电路，其中，所述第一数据线和所述第二数据线是分别与所述半导体装置的单位存储块之中的一个单位存储块和另一单位存储块电耦接的位线。


4.一种半导体装置的数据感测电路，所述数据感测电路包括：
感测放大器，其被配置为：响应于多个控制信号，
通过对第一数据线和第二数据线之中的要被激活的一个数据线的第一偏移电压进行采样来产生第二偏移...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹珉镐，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR