【技术实现步骤摘要】
读出放大电路以及MRAM电路
本专利技术涉及电路域，尤其涉及一种读出放大电路以及MRAM电路。
技术介绍
磁性随机存储器(MagneticRandomAccessMemory，MRAM)是一种新兴的非易失性存储技术。它拥有高速的读写速度和高集成度，且可以被重复写入。在长时间的使用中，MRAM参考单元的自身阻值将发生衰变，参考电流慢慢发生漂移，从而导致MRAM的判决窗口变小，MRAM的可靠性降低。如何维持MRAM的可靠性成为亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种如何维持MRAM的可靠性。为解决上述问题，本专利技术提供一种读出放大电路，所述读出放大电路适于读取数据阵列电路中存储的动态数据，所述数据阵列电路包括多个数据单元电路，所述数据单元电路适于存储所述动态数据；所述读出放大电路包括：参考单元电路以及比较电路；其中，所述参考单元电路包括：可调电阻电路，参考单元控制电路，以及补偿电路；所述可调电阻电路适于存储参考数据；所述参考单元控制电路与所述可调电阻电路耦接，所...
【技术保护点】
1.一种读出放大电路，适于读取数据阵列电路中存储的动态数据，所述数据阵列电路包括多个数据单元电路，所述数据单元电路适于存储所述动态数据；/n其特征在于，所述读出放大电路包括：参考单元电路以及比较电路；其中，所述参考单元电路包括：可调电阻电路，参考单元控制电路，以及补偿电路；所述可调电阻电路适于存储参考数据；所述参考单元控制电路与所述可调电阻电路耦接，所述参考单元控制电路适于控制读取所述可调电阻电路存储的所述参考数据；所述补偿电路与所述可调电阻电路耦接，所述补偿电路适于对所述数据阵列电路中未选中的数据单元电路产生的漏电电流进行补偿；/n所述比较电路适于比较数据电压以及参考电压...
【技术特征摘要】
1.一种读出放大电路，适于读取数据阵列电路中存储的动态数据，所述数据阵列电路包括多个数据单元电路，所述数据单元电路适于存储所述动态数据；
其特征在于，所述读出放大电路包括：参考单元电路以及比较电路；其中，所述参考单元电路包括：可调电阻电路，参考单元控制电路，以及补偿电路；所述可调电阻电路适于存储参考数据；所述参考单元控制电路与所述可调电阻电路耦接，所述参考单元控制电路适于控制读取所述可调电阻电路存储的所述参考数据；所述补偿电路与所述可调电阻电路耦接，所述补偿电路适于对所述数据阵列电路中未选中的数据单元电路产生的漏电电流进行补偿；
所述比较电路适于比较数据电压以及参考电压，生成对应所述数据电压以及参考电压的比较信号，所述比较信号用于确定所述数据单元电路存储的动态数据，所述数据电压基于读取选中的所述数据单元电路存储的动态数据生成，所述参考电压基于读取所述参考单元电路存储的参考数据生成。
2.根据权利要求1所述的读出放大电路，其特征在于，所述补偿电路包括多个漏电补偿子电路，多个漏电补偿子电路并联连接。
3.根据权利要求2所述的读出放大电路，其特征在于，所述数据阵列电路中所述数据单元电路的数量为N个，所述漏电补偿子电路的数量为N-1个，其中：N为大于0的整数；
一个漏电补偿子电路的漏电电流的补偿值等于一个所述未选中的数据单元电路产生的漏电电流的数值。
4.根据权利要求2所述的读出放大电路，其特征在于，所述漏电补偿子电路包括第一NMOS管，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的栅极接地，所述第一NMOS管的漏极耦接至所述可调电阻电路的第一连接端，所述第一NMOS管适于保持关闭状态，以对所述未选中的数据单元电路产生的漏电电流进行补偿。
5.根据权利要求1所述的读出放大电路，其特征在于，所述参考单元控制电路包括第二NMOS管，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的漏极耦接至所述可调电阻电路的第二连接端，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：王韬，汪腾野，赵子鉴，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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