共源共栅结构、输出结构、放大器与驱动电路制造技术

本公开提供一种共源共栅结构、输出结构、放大器和驱动电路。共源共栅结构中的共栅结构的偏置电压由其自身提供，输出结构中的晶体管的偏置电压均由其自身提供，放大器包括上述共源共栅结构和/或上述输出结构，驱动电路包括上述放大器。本公开实施例提供的放大电路无需设置偏置电路即可实现电压放大。设置偏置电路即可实现电压放大。设置偏置电路即可实现电压放大。

【技术实现步骤摘要】
共源共栅结构、输出结构、放大器与驱动电路


[0001]本公开涉及集成电路领域，具体而言，涉及一种偏置电压由其自身提供的共源共栅结构、输出结构、放大器和驱动电路。

技术介绍

[0002]在驱动电路中通常使用放大器。放大器的通常结构包括差分输入级、中间放大级、输出级以及为差分输入级、中间放大级、输出级提供偏置电压的偏置电路。偏置电路是现有放大器技术中不可缺少的部分，但是偏置电路的设置会增大电路功耗。
[0003]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0004]本公开的目的在于提供一种共源共栅结构、输出结构、放大器和驱动电路，用于至少在一定程度上克服由于采用偏置电路导致电路功耗大的问题。
[0005]根据本公开的第一方面，提供一种共源共栅结构，所述共源共栅结构中的共栅结构的偏置电压由其自身提供，所述共源共栅结构具有第一节点、第二节点、第三节点、第四节点、第五节点。
[0006]在本公开的一种示例性实施例中，所述共源共栅结构的共栅结构包括：第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极、漏极和所述第二晶体管的栅极均连接所述第一节点，所述第二晶体管的漏极连接所述第二节点。
[0007]在本公开的一种示例性实施例中，所述共源共栅结构的共源结构包括：第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的漏极连接所述第一晶体管的源极，所述第四晶体管的漏极连接所述第二晶体管的源极，所述第三晶体管的源极与所述第四晶体管的源极均连接所述第三节点，所述第三晶体管的栅极连接所述第四节点，所述第四晶体管的栅极连接所述第五节点。
[0008]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的类型相同。
[0009]根据本公开的第二方面，提供一种放大器，包括：如上所述的共源共栅结构，所述共源共栅结构中的所述第四节点和所述第五节点分别作为所述放大器的第一输入端口和第二输入端口；电流源，包括两个端口，所述电流源的第一端口连接所述第三节点；负载结构，包括四个端口，所述负载结构的第一端口连接所述第一节点，所述负载结构的第二端口连接所述第二节点，所述负载结构的第二端口作为所述放大器的输出端口。
[0010]在本公开的一种示例性实施例中，所述电流源的晶体管类型与所述共源共栅结构的晶体管类型相同。
[0011]在本公开的一种示例性实施例中，所述负载结构包括：第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管的栅极、漏极均与所述第六晶体管的栅极连接，所述第五晶体管的漏极作
为所述负载结构的第一端口，所述第六晶体管的漏极作为所述负载结构的第二端口，所述第五晶体管的源极作为所述负载结构的第三端口，所述第六晶体管的源极作为所述负载结构的第四端口。
[0012]在本公开的一种示例性实施例中，所述共源共栅结构中的晶体管类型与所述共源共栅结构的晶体管类型不同。
[0013]在本公开的一种示例性实施例中，所述电流源的第二端口接地，所述负载结构的所述第三端口和所述第四端口均连接电源。
[0014]在本公开的一种示例性实施例中，所述电流源的第二端口连接电源，所述负载结构的所述第三端口和所述第四端口均接地。
[0015]根据本公开的第三方面，提供一种输出结构，所述输出结构中的晶体管的偏置电压均由所述输出结构自身提供，所述输出结构包括第一节点、第二节点、第六节点、第七节点、第八节点、第九节点。
[0016]在本公开的一种示例性实施例中，所述输出结构包括：第一晶体管、第二晶体管、第五晶体管、第六晶体管，所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的栅极、所述第三晶体管的栅极、所述第四晶体管的栅极、所述第一晶体管的漏极、所述第五晶体管的漏极均连接所述第一节点，所述第二晶体管的漏极、所述第六晶体管的漏极均连接所述第二节点，所述第一晶体管的源极连接所述第六节点，所述第二晶体管的源极连接所述第七节点，所述第五晶体管的源极连接所述第八节点，所述第六晶体管的源极连接所述第九节点，所述第二节点作为所述输出结构的输出端口。
[0017]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一晶体管和所述第二晶体管为N型晶体管，所述第五晶体管和所述第六晶体管为P型晶体管。
[0018]根据本公开的第四方面，提供一种放大器，包括：如上任一项所述的输出结构，所述输出结构的输出端口作为所述放大器的输出端口；输入结构，包括五个端口，所述输入结构的第一输出端口和第二输出端口连接所述输出结构，所述输入结构的第一输入端口和第二输入端口分别作为所述放大器的第一输入端口和第二输入端口；电流源，包括两个端口，所述电流源的第一端口连接所述输入结构的第五端口。
[0019]在本公开的一种示例性实施例中，所述电流源的第二端口接地，所述输入结构的第一输出端口连接所述第六节点，所述输入结构的第二输出端口连接所述第七节点，所述第八节点和所述第九节点均连接电源。
[0020]在本公开的一种示例性实施例中，所述电流源的第二端口连接电源，所述输入结构的第一输出端口连接所述第八节点，所述输入结构的第二输出端口连接所述第九节点，所述第六节点和所述第七节点均接地。
[0021]根据本公开的第五方面，提供一种驱动电路，包括：第一放大器，为如上任一项所述的放大器，第一输入端连接第一参考电压，第二输入端连接第十节点；第二放大器，为如上任一项所述的放大器，第一输入端连接第二参考电压，第二输入端连接所述第十节点；第一驱动晶体管，栅极连接所述第一放大器的输出端，源极连接电源，漏极连接所述第十节点；第二驱动晶体管，栅极连接所述第二放大器的输出端，源极接地，漏极连接所述第十节点，所述第十节点作为所述驱动电路的输出端。
[0022]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一驱动晶体管为P型晶体管，所述第二驱
动晶体管为N型晶体管。
[0023]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一驱动晶体管与所述第二驱动晶体管均为N型晶体管或均为P型晶体管。
[0024]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一参考电压与所述第二参考电压不相等。
[0025]在本公开的一种示例性实施例中，所述驱动电路还包括：参考电压产生电路，用于产生所述第一参考电压和所述第二参考电压，第一参考电压和所述第二参考电压均可调节。
[0026]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一放大器、所述第二放大器、所述第一驱动晶体管、所述第二驱动晶体管均由第一电源供电，所述参考电压产生电路由第二电源供电。
[0027]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电源的电压值大于所述第二电源的电压值。
[0028]本公开实施例通过将放大器中的晶体管的偏置电压设置为由晶体管自身提供，无需增加外部偏置电路即实现电压放大功能，即减小了放大器的功耗。
[0029]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种共源共栅结构，其特征在于，所述共源共栅结构中的共栅结构的偏置电压由其自身提供，所述共源共栅结构具有第一节点、第二节点、第三节点、第四节点、第五节点。2.如权利要求1所述的共源共栅结构，其特征在于，所述共源共栅结构的共栅结构包括：第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极、漏极和所述第二晶体管的栅极均连接所述第一节点，所述第二晶体管的漏极连接所述第二节点。3.如权利要求2所述的共源共栅结构，其特征在于，所述共源共栅结构的共源结构包括：第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的漏极连接所述第一晶体管的源极，所述第四晶体管的漏极连接所述第二晶体管的源极，所述第三晶体管的源极与所述第四晶体管的源极均连接所述第三节点，所述第三晶体管的栅极连接所述第四节点，所述第四晶体管的栅极连接所述第五节点。4.如权利要求3所述的共源共栅结构，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的类型相同。5.一种放大器，其特征在于，包括：如权利要求1至4任一项所述的共源共栅结构，所述共源共栅结构中的所述第四节点和所述第五节点分别作为所述放大器的第一输入端口和第二输入端口；电流源，包括两个端口，所述电流源的第一端口连接所述第三节点；负载结构，包括四个端口，所述负载结构的第一端口连接所述第一节点，所述负载结构的第二端口连接所述第二节点，所述负载结构的第二端口作为所述放大器的输出端口。6.如权利要求5所述的放大器，其特征在于，所述电流源的晶体管类型与所述共源共栅结构的晶体管类型相同。7.如权利要求5所述的放大器，其特征在于，所述负载结构包括：第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管的栅极、漏极均与所述第六晶体管的栅极连接，所述第五晶体管的漏极作为所述负载结构的第一端口，所述第六晶体管的漏极作为所述负载结构的第二端口，所述第五晶体管的源极作为所述负载结构的第三端口，所述第六晶体管的源极作为所述负载结构的第四端口。8.如权利要求5所述的放大器，其特征在于，所述负载结构中的晶体管类型与所述共源共栅结构的晶体管类型不同。9.如权利要求5所述的放大器，其特征在于，所述电流源的第二端口接地，所述负载结构的所述第三端口和所述第四端口均连接电源。10.如权利要求5所述的放大器，其特征在于，所述电流源的第二端口连接电源，所述负载结构的所述第三端口和所述第四端口均接地。11.一种输出结构，其特征在于，所述输出结构中的晶体管的偏置电压均由所述输出结构自身提供，所述输出结构包括第一节点、第二节点、第六节点、第七节点、第八节点、第九节点。12.如权利要求11所述的输出结构，其特征在于，所述输出结构包括：第一晶体管、第二晶体管、第五晶体管、第六晶体管，所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的栅极、所述第三晶体管的栅极、所述第四晶体管的栅极、所述第一晶体管的漏极、
所述第五晶体管的漏极均连接所述第一节点，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱磊，
申请(专利权)人：长鑫存储技术上海有限公司，
类型：发明
国别省市：