一种双模输入抗单粒子效应的SRAM快速读出电路结构制造技术

本发明专利技术公开涉及一种双模输入抗单粒子效应的SRAM快速读出电路结构，电路结构中包括两个灵敏放大器，十六个NCMOS管和十六个PCMOS管，两组数据通过两个灵敏放大器放大后输入与锁存单元连接，锁存单元的两端分别与带两级OE控制的读出单元相连，数据Q被读出，利用灵敏放大器双模的结构来解决信号在通路上发生单粒子翻转的问题，两级OE控制的读出单元能够提高信号的抗扰动能力，锁存单元的输入直接与读出单元相连缩短读出时间。所以该双模输入抗单粒子效应的SRAM快速读出电路结构能够有效的提高SRAM读出电路的抗单粒子效应能力，同时缩短SRAM读出电路的读出时间，提高电路系统的工作频率。

【技术实现步骤摘要】
一种双模输入抗单粒子效应的SRAM快速读出电路结构
本专利技术涉及抗辐照电路设计
，具体为一种双模输入抗单粒子效应的SRAM快速读出电路结构。
技术介绍
由于静态随机存储器SRAM具有可靠性好、速度快、功耗小的特性，使其在存储器中占有举足轻重的地位。因此SRAM大面积的应用在微处理器、片上系统、数字信号处理器中，而SRAM由于较小的临界电荷，在辐射环境下很容易受到辐射效应的影响，因此对SRAM存储器的抗辐射加固是IC设计首要考虑的重要问题之一。单粒子翻转（SEU）和单粒子瞬态（SET）是最主要的两种单粒子效应，前者是指由于单粒子辐射引起电路的逻辑状态发生翻转，不会导致器件永久性的损坏，故也被称为软错误。SEU主要发生在时序逻辑电路中；后者是由于单粒子辐射引起电路的信号发生瞬间的变化，其主要发生在组合逻辑电路中。本专利技术主要针对存储器读出电路部分进行加固设计，在提高SRAM抗SEU和SET的能力的同时缩短数据读出的时间。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种双模输入抗单粒子效应的SRAM快速读出电路结构，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双模输入抗单粒子效应的SRAM快速读出电路结构，包括两个灵敏放大器，其特征在于：两个所述灵敏放大器均包括十六个NCMOS管和十六个PCMOS管，两个所述灵敏放大器分别是SA0、SA1，十六个所述NMOS晶体管依次是N0~N15，十六个所述PMOS晶体管依次是P0~P15。/n

【技术特征摘要】
1.一种双模输入抗单粒子效应的SRAM快速读出电路结构，包括两个灵敏放大器，其特征在于：两个所述灵敏放大器均包括十六个NCMOS管和十六个PCMOS管，两个所述灵敏放大器分别是SA0、SA1，十六个所述NMOS晶体管依次是N0~N15，十六个所述PMOS晶体管依次是P0~P15。


2.根据权利要求1所述的一种双模输入抗单粒子效应的SRAM快速读出电路结构，其特征在于：所述灵敏放大器SA0与P14、N14连接，SA1与P15、N15连接，灵敏放大器的输出端连接有八管DICE锁存单元。


3.根据权利要求2所述的一种双模输入抗单粒子效应的SRAM快速读出电路结构，其特征在于：所述锁存单元中包含有PMOS晶体管P0、P1、P2、P3和NMOS晶体管N0、N1、N2、N3，所述锁存单元的两端QI1、QI2分别连接有读出单元。


4.根据权利要求1所述的一种双模输入抗单粒子效应的SRAM快速读出电路结构，其特征在于：数据输入1经过灵敏放大器SA0与一个PMOS晶体管P14和一个NMOS晶体管N14相连，组成第一路数据输入通路。


5.根据权利要求1所述的一种双模输入抗单粒子效应的SRAM快速读出电路结构，其特征在于：另一组数据输入2经过灵敏放大器SA1与一个PMOS晶体管P15和一个NMOS晶体管N15相连，组成第二路数据输入通路。


6.根据权利要求1所述的一种双模输入抗单粒子效应的SRAM快速读出电路结构，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈婧，陈玉蓉，薛海卫，张猛华，强小燕，陈振娇，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32