半导体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种半导体装置，其包括存储芯片及温度检测模块，温度检测模块用于检测所述存储芯片的温度，温度检测模块包括：温度检测单元，温度检测单元包括温度敏感单元及可调电阻单元，温度敏感单元的导电性能随温度的变化而变化，可调电阻单元与温度敏感单元并联；其中温度检测单元被配置为通过调整可调电阻单元的电阻值来对温度检测单元进行校准。本实用新型专利技术利用温度检测模块检测存储芯片的温度，从而避免存储芯片在低温下启动及运行，缩短写入时间，提高存储芯片写入的稳定性。另外，本实用新型专利技术温度检测模块电路结构简单，易于实现，温度检测模块占用面积小，且对温度检测单元进行校准，提高温度检测单元的检测准确度。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本技术涉及存储器领域，尤其涉及一种半导体装置。
技术介绍
动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，其存储阵列区由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。温度对存储器写入存在较大影响，在低温环境中，对存储器进行写入时，存在写入时间较长，写入的稳定性不高的问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种半导体装置，其能够检测存储芯片的温度，避免存储芯片在低温下启动及运行，缩短写入时间，提高存储芯片写入的稳定性；同时还能够对温度检测单元进行校准，提高温度检测单元的检测准确度。为了解决上述问题，本技术提供了一种半导体装置，其包括存储芯片及温度检测模块，所述温度检测模块用于检测所述存储芯片的温度，所述温度检测模块包括：温度检测单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括存储芯片及温度检测模块，所述温度检测模块用于检测所述存储芯片的温度，所述温度检测模块包括：/n温度检测单元，所述温度检测单元包括温度敏感单元及可调电阻单元，所述温度敏感单元的导电性能随温度的变化而变化，所述可调电阻单元与所述温度敏感单元并联；/n其中所述温度检测单元被配置为通过调整所述可调电阻单元的电阻值来对所述温度检测单元进行校准。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括存储芯片及温度检测模块，所述温度检测模块用于检测所述存储芯片的温度，所述温度检测模块包括：
温度检测单元，所述温度检测单元包括温度敏感单元及可调电阻单元，所述温度敏感单元的导电性能随温度的变化而变化，所述可调电阻单元与所述温度敏感单元并联；
其中所述温度检测单元被配置为通过调整所述可调电阻单元的电阻值来对所述温度检测单元进行校准。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述可调电阻单元包括多个子电阻及多个开关，所述子电阻串联连接，每一所述开关至少与一个所述子电阻并联，通过改变多个所述开关的通断，来改变所述可调电阻单元的电阻值。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述子电阻的阻值相同。


4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述子电阻为多晶硅电阻或者N型扩散电阻或者P型扩散电阻。


5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述子电阻之间通过第一层金属线电连接，所述子电阻与所述开关之间通过第二层金属线电连接。


6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述温度检测单元还包括定值电阻，所述定值电阻与所述温度敏感单元串联，所述定值电阻包括第一端及第二端，所述定值电阻的第一端与电源电连接，所述定值电阻的第二端与所述温度敏感单元电连接。


7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述温度敏感单元为二极管，所述二极管的正端与所述定值电阻的第二端电连接，所述二极管的负端与接地端电连接。


8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述可调电阻单元包括第一端及第二端，所述子电阻设置在所述第一端与所述第二端之间，所述可调电阻单元的第一端与接地端电连接，所述可调电阻单元的第二端与所述定值电阻的第二端电连接。


9.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述温度检测模块还包括A/D转换模块，具有输入端及输出端，所述输入端与所述定值电阻的第二端电连接，所述输出端输出数字信号，所述A/D转换模块用于将所述定值电阻第二端的模拟信号转换为数字信号。


10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述A/D转换模块包括：电阻单元，...

【专利技术属性】
技术研发人员：寗树梁，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34