【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本技术涉及存储器领域，尤其涉及一种半导体装置。
技术介绍
动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，其存储阵列区由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。温度对存储器写入存在较大影响，在低温环境中，对存储器进行写入时，存在写入时间较长，写入的稳定性不高的问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种半导体装置，其能够检测存储芯片的温度，避免存储芯片在低温下启动及运行，缩短写入时间，提高存储芯片写入的稳定性；且温度检测模块电路结构简单，易于实现，温度敏感单元共用处理单元，使得温度检测模块占用面积小，不会对存储芯片有效面积产生影响；同时能够对温度敏感单元进行精确校准，提高温度检测的准确度。为了解决上述问题...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括多个存储芯片、温度检测模块，所述温度检测模块包括：/n多个温度敏感单元，设置在至少部分所述存储芯片上，以检测至少部分所述存储芯片的温度；/n处理单元，多个所述温度敏感单元共用所述处理单元，所述处理单元用以对至少一所述温度敏感单元的信号进行处理，所述处理单元包括校准值存储单元及校准单元，所述校准值存储单元用于存储与所述温度敏感单元对应的校准值，所述校准单元用于根据所述校准值校准所述温度敏感单元。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括多个存储芯片、温度检测模块，所述温度检测模块包括：
多个温度敏感单元，设置在至少部分所述存储芯片上，以检测至少部分所述存储芯片的温度；
处理单元，多个所述温度敏感单元共用所述处理单元，所述处理单元用以对至少一所述温度敏感单元的信号进行处理，所述处理单元包括校准值存储单元及校准单元，所述校准值存储单元用于存储与所述温度敏感单元对应的校准值，所述校准单元用于根据所述校准值校准所述温度敏感单元。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述校准单元为可调电阻，其与所述温度敏感单元并联，所述校准单元根据所述校准值调节电阻值，以校准所述温度敏感单元。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述校准单元包括多个子电阻及多个开关，所述子电阻串联连接，每一所述开关至少与一个所述子电阻并联，通过改变多个所述开关的通断，来改变所述校准单元的电阻值。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，根据所述校准值控制所述开关的通断。
5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述温度敏感单元为二极管，所述二极管的负端与接地端电连接，所述二极管的正端与所述处理单元电连接，所述校准单元与所述二极管并联，所述校准单元的一端与接地端电连接，另一端与所述二极管的正端电连接。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述温度检测模块还包括一非易失性存储单元，与所述校准值存储单元连接，用于备份所述校准值，备份在所述非易失性存储单元中的校准值能够再次载入至所述校准值存储单元中。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述处理单元包括至少一控制开关，所述控制开关与所述温度敏感单元电连接，以选择需要被处理单元进行信号处理的所述温度检测单元。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述处理单元还包括定值电阻，所述定值电阻具有第一端及第二端，所述第一端与电源电连接，所述第二端与所述控制开关电连接。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述处理单元还包括A/D转换模块，所述A/D转换模块具有输入端及输出端，所述输入端与定值电阻的第二端电连接，所述输出端用于输出数字信号，所述A/D转换模块用于将所述定值电阻第二端的模拟信号转换为数字信号。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述A/D转换模块包括：电阻单元，具有第一端及...
【专利技术属性】
技术研发人员：寗树梁，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34
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