半导体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种半导体装置，其包括多个存储芯片、温度检测模块，所述温度检测模块包括：多个温度检测单元，多个所述温度检测单元设置在至少部分所述存储芯片上，以检测至少部分所述存储芯片的温度；处理单元，多个所述温度检测单元共用所述处理单元，所述处理单元用以对至少一所述温度检测单元的信号进行处理。本实用新型专利技术利用温度检测模块检测存储芯片的温度，温度检测模块检测的温度为存储芯片的启动及运行提供参考，从而避免存储芯片在低温下启动及运行，缩短写入时间，提高存储芯片写入的稳定性。另外，本实用新型专利技术温度检测模块电路结构简单，易于实现，温度检测单元共用处理单元，使得温度检测模块占用面积小，不会对存储芯片有效面积产生影响。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本技术涉及存储器领域，尤其涉及一种半导体装置。
技术介绍
动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，其存储阵列区由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。温度对存储器写入存在较大影响，在低温环境中，对存储器进行写入时，存在写入时间较长，写入的稳定性不高的问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种半导体装置，其能够检测存储芯片的温度，避免存储芯片在低温下启动及运行，缩短写入时间，提高存储芯片写入的稳定性；且温度检测模块电路结构简单，易于实现，温度检测单元共用处理单元，使得温度检测模块占用面积小，不会对存储芯片有效面积产生影响。为了解决上述问题，本技术提供了一种半导体装置，其包括多个存储芯片、温度检测模块，所述温度检测模本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括多个存储芯片、温度检测模块，所述温度检测模块包括：/n多个温度检测单元，多个所述温度检测单元设置在至少部分所述存储芯片上，以检测至少部分所述存储芯片的温度；/n处理单元，多个所述温度检测单元共用所述处理单元，所述处理单元用以对至少一所述温度检测单元的信号进行处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括多个存储芯片、温度检测模块，所述温度检测模块包括：
多个温度检测单元，多个所述温度检测单元设置在至少部分所述存储芯片上，以检测至少部分所述存储芯片的温度；
处理单元，多个所述温度检测单元共用所述处理单元，所述处理单元用以对至少一所述温度检测单元的信号进行处理。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述处理单元包括多个开关，所述开关与所述温度检测单元电连接，以选择需要被处理单元进行信号处理的所述温度检测单元。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述开关与所述温度检测单元一一对应。


4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述处理单元包括定值电阻，所述定值电阻具有第一端及第二端，所述第一端与电源电连接，所述第二端与所述开关连接。


5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述处理单元还包括A/D转换模块，所述A/D转换模块具有输入端及输出端，所述输入端与所述定值电阻的第二端电连接，所述输出端用于输出数字信号，所述A/D转换模块用于将所述定值电阻第二端的模拟信号转换为数字信号。


6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述A/D转换模块包括：
电阻单元，具有第一端及第二端，所述电阻单元的第一端与电源电连接，所述电阻单元的第二端与接地端电连接，所述电阻单元具有多个引出端，每一引出端的电压不同；
多个比较单元，所述A/D转换模块输入端的信号作为所述比较单元的输入信号，所述电阻单元的多个引出端信号分别作为多个所述比较单元的参考信号，所述比较单元输出数字信号。


7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述A/D转换模块还包括编码器，所述编码器接收所述比较单元的输出信号，并进行编码。


8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述A/D转换模块还包括输出器，所述输出器与所述比较单元连接，用于将所述数字信号输出。


9.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述电阻单元包括多个串联连接的子电阻，所述电阻单元的每一引出端与所述电阻单元的第二端之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：寗树梁，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34