以基于温度的频率对存储器系统的存储器单元执行操作技术方案

确定与存储器组件相关联的温度。基于与所述存储器组件相关联的所述温度确定对与所述存储器组件相关联的存储器单元执行操作的频率。以所述所确定频率对所述存储器单元执行所述操作，以使所述存储器单元从与存储在所述存储器单元处的数据的增大的错误率相关联的状态转变到与存储在所述存储器单元处的所述数据的减小的错误率相关联的另一状态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】以基于温度的频率对存储器系统的存储器单元执行操作
本公开的实施例大体上涉及存储器系统，且更具体地说，涉及以基于温度的频率对存储器系统的存储器单元执行操作。
技术介绍
存储器系统可为存储系统，例如固态驱动器(SSD)，并且可包含存储数据的一或多个存储器组件。存储器子系统可包含例如非易失性存储器组件和易失性存储器组件等存储器组件。一般来说，主机系统可利用存储器系统将数据存储在存储器系统的存储器组件处，且从存储器子系统的存储器组件检索数据。附图说明根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施方案的附图，将更充分地理解本公开。图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算环境。图2是根据本公开的一些实施例的对存储器单元执行操作以使存储器单元以基于与存储器组件相关联的温度的频率从一个状态转变到另一状态的实例方法的流程图。图3是根据本公开的一些实施例的基于已对存储器单元执行的操作的次数确定是否对存储器单元执行后续操作的实例方法的流程图。图4说明根据本公开的一些实施例的对存储器系统的存储器单元执本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种系统，其包括：/n存储器组件；以及/n处理装置，其以操作方式与所述存储器组件耦合以进行以下操作：/n确定与所述存储器组件相关联的温度；/n基于与所述存储器组件相关联的所述温度确定对与所述存储器组件相关联的存储器单元执行操作的频率；以及/n以所述所确定频率对所述存储器单元执行所述操作，以使所述存储器单元从与存储在所述存储器单元处的数据的增大的错误率相关联的状态转变到与存储在所述存储器单元处的所述数据的减小的错误率相关联的另一状态。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180209 US 62/628,682;20180529 US 15/991,8221.一种系统，其包括：
存储器组件；以及
处理装置，其以操作方式与所述存储器组件耦合以进行以下操作：
确定与所述存储器组件相关联的温度；
基于与所述存储器组件相关联的所述温度确定对与所述存储器组件相关联的存储器单元执行操作的频率；以及
以所述所确定频率对所述存储器单元执行所述操作，以使所述存储器单元从与存储在所述存储器单元处的数据的增大的错误率相关联的状态转变到与存储在所述存储器单元处的所述数据的减小的错误率相关联的另一状态。


2.根据权利要求1所述的系统，其中与存储在所述存储器单元处的所述数据的所述减小的错误率相关联的所述另一状态对应于瞬时阈值电压状态，且与存储在所述存储器单元处的所述数据的所述增大的错误率相关联的所述状态对应于稳定阈值电压状态。


3.根据权利要求1所述的系统，其中所述操作对应于将电压施加到所述存储器单元的字线，而不返回在所述电压施加到所述字线时存储在所述存储器单元处的所述数据。


4.根据权利要求1所述的系统，其中所述操作对应于所述存储器单元的读取操作。


5.根据权利要求1所述的系统，其中与所述存储器组件与较高所确定温度相关联时相比，所述所确定频率对于较低所确定温度增大。


6.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置进一步进行以下操作：
确定已执行使所述存储器单元转变的所述操作的次数；
确定已执行所述操作的所述次数是否超过阈值；以及
响应于确定已执行所述操作的所述次数超过所述阈值，确定不对所述存储器单元执行用以使所述存储器单元从与存储在所述存储器单元处的所述数据的所述增大的错误率相关联的所述状态转变到与存储在所述存储器单元处的所述数据的所述减小的错误率相关联的所述另一状态的后续操作。


7.根据权利要求6所述的系统，其中所述处理装置进一步进行以下操作：
确定从已执行所述操作以来已过去的时间量超过第二阈值；以及
响应于从已执行所述操作以来已过去的所述时间量超过所述第二阈值，对所述存储器单元执行所述后续操作以使所述存储器单元从与存储在所述存储器单元处的所述数据的所述增大的错误率相关联的所述状态转变到与存储在所述存储器单元处的所述数据的所述减小的错误率相关联的所述另一状态。


8.一种方法，其包括：
确定与存储器组件相关联的温度；
基于与所述存储器组件相关联的所述温度确定对与所述存储器组件相关联的存储器单元执行操作的频率；以及
通过处理装置以所述所确定频率对所述存储器单元执行所述操作，以使所述存储器单元保持在与存储在所述存储器单元处的所述数据的减小的错误率相关联的状态。


9.根据权利要求8所述的方法，其中与存储在所述存储器单元处的所述数据的所述减小的错误率相关联的所述状态对应于瞬时阈值电压状态。


10.根据权利要求8所述的方法，其中所述操作对应于将电压施加到所述存储器单元的...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·K·瑞特南，V·P·拉亚普鲁，M·N·凯纳克，P·菲利，K·K·姆奇尔拉，R·C·帕迪拉，S·诺埃尔，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US