【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基于存储器系统的温度调整编程操作的参数
本公开的实施例大体上涉及存储器系统，且更具体来说，涉及基于存储器系统的温度调整编程操作的参数。
技术介绍
存储器系统可为存储系统，例如固态驱动器(SSD)，并且可包含存储数据的一或多个存储器组件。举例来说，存储器系统可包含例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置的存储器装置。存储器系统可另外包含可管理存储器装置中的每一个并且分配将存储于存储器装置处的数据的控制器。主机系统可利用存储器系统并且向存储器系统请求数据。控制器可用以从对应存储器装置检索数据并且将检索到的数据返回到主机系统。附图说明根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施例的附图，将更充分地理解本公开。然而，附图不应视为将本公开限于具体实施例，而是仅用于解释和理解。图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储系统的实例计算环境。图2说明根据本公开的一些实施例的基于温度调整编程操作的参数的存储系统。图3说明根据本公开的一些实施例的存储系统的另一视图。图4是根据本公开的一些实施例的...
【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n识别与存储器装置相关的温度；/n通过处理装置确定与所述存储器装置相关的所述温度是否满足阈值温度条件；和/n响应于检测到与所述存储器装置相关的所述温度满足所述阈值温度条件，通过所述处理装置将用于将数据存储于所述存储器装置处的编程操作的参数从第一值调整到第二值。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】20180306 US 15/913,1681.一种方法，其包括：
识别与存储器装置相关的温度；
通过处理装置确定与所述存储器装置相关的所述温度是否满足阈值温度条件；和
响应于检测到与所述存储器装置相关的所述温度满足所述阈值温度条件，通过所述处理装置将用于将数据存储于所述存储器装置处的编程操作的参数从第一值调整到第二值。
2.根据权利要求1所述的方法，其中用于所述编程操作的所述参数的所述调整包括：
将编程步长从所述第一值更新为所述第二值，其中所述编程步长指示施加于所述存储器装置处以用以将所述数据存储于所述存储器装置处的电压的增加。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述电压的所述增加对应于所述编程操作的第一编程脉冲的第一电压与第二编程脉冲的第二电压之间的增加。
4.根据权利要求1所述的方法，其另外包括：
确定与所述存储器装置相关联的错误率，
其中所述编程操作的所述参数的所述调整是基于所述存储器装置的所述错误率满足阈值错误率。
5.根据权利要求1所述的方法，其中当与所述存储器装置相关的所述温度低于阈值温度时，所述温度满足所述阈值温度条件，且其中所述编程操作的所述参数从所述第一值到所述第二值的所述调整对应于与所述编程操作相关联的电压阶跃的减小。
6.根据权利要求1所述的方法，其中当与所述存储器装置相关的所述温度高于阈值温度时，所述温度满足所述阈值温度条件，且其中所述编程操作的所述参数从所述第一值到所述第二值的所述调整对应于与所述编程操作相关联的电压阶跃的增加。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器装置包括多个多层级单元MLC。
8.一种系统，其包括：
存储器装置；和
处理装置，其以操作方式与所述存储器装置耦合以进行以下操作：
接收与将数据存储于所述存储器装置处的编程操作相关联的温度；
将与所述存储器装置相关的所述温度和阈值温度条件进行比较；
识别所述存储器装置的表征；和
基于所述比较和所述存储器装置的所述表征，将所述编程操作的编程步长从第一值更新为第二值。
9.根据权利要求8所述的系统，其中为更新所述编程步长，所述处理装置进一步将所述编程操作的第一编程脉冲的第一电压调整为第二编程脉冲的第二电压。
10.根据权利要求8所述的系统，其中为表征所述存储器装置，所述处理装置进一步进行以下操作：
确定与所述存储器装置相关联的错误率，且
其中所述编程步长从所述第一值到所述第二值的所述更新是基于所述存储器装置的所述错误率满足阈值错误率。
技术研发人员：M·N·凯纳克，S·K·瑞特南，Z·罗，N·P·G·拉奥，L·J·考德莱，V·P·拉亚普鲁，P·R·哈亚特，S·诺埃尔，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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