【技术实现步骤摘要】
存储器
本技术涉及半导体
,特别是涉及一种存储器。
技术介绍
在现代的DRAM芯片中,随着尺寸的逐渐变小,布线密度变得越来越大。通常情况下,将焊盘区设置在布线区的一侧或存储组的中间区域,这样对于远离焊盘区的存储区会产生一定的影响,例如,当信号线为电源线时,电源线上远离焊盘区的位置处会产生压降或接地反弹,从而影响处于信号线远端的存储区的速度。
技术实现思路
基于此,有必要针对目前因信号传输距离较大而影响存储区速度的问题,提供了一种存储器。本技术实施例提供了一种存储器,包括:存储组,多个所述存储组沿第一方向排布,所述存储组包括存储块,多个所述存储块沿第二方向排布,所述第一方向与所述第二方向垂直;第一信号线,沿所述第一方向延伸,其与多个所述存储块对应设置,且用于传输其对应多个存储块的存储数据;以及第二信号线,沿所述第一方向延伸,其与所述存储块一一对应设置,且所述第二信号线用于传输其对应存储块的存储数据;其中,所述第一信号线通过数据交换电路与所述第二信号线交换所述存储数据。 >在其中一个实施例中本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储器,其特征在于,包括:/n存储组,多个所述存储组沿第一方向排布,所述存储组包括存储块,多个所述存储块沿第二方向排布,所述第一方向与所述第二方向垂直;/n第一信号线,沿所述第一方向延伸,其与多个所述存储块对应设置,且用于传输其对应多个存储块的存储数据;以及/n第二信号线,沿所述第一方向延伸,其与所述存储块一一对应设置,且所述第二信号线用于传输其对应存储块的存储数据;/n其中,所述第一信号线通过数据交换电路与所述第二信号线交换所述存储数据。/n
【技术特征摘要】
1.一种存储器,其特征在于,包括:
存储组,多个所述存储组沿第一方向排布,所述存储组包括存储块,多个所述存储块沿第二方向排布,所述第一方向与所述第二方向垂直;
第一信号线,沿所述第一方向延伸,其与多个所述存储块对应设置,且用于传输其对应多个存储块的存储数据;以及
第二信号线,沿所述第一方向延伸,其与所述存储块一一对应设置,且所述第二信号线用于传输其对应存储块的存储数据;
其中,所述第一信号线通过数据交换电路与所述第二信号线交换所述存储数据。
2.如权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述第一信号线包括多条具有相同线宽的第一金属线,所述第二信号线包括多条具有相同线宽的第二金属线。
3.如权利要求2所述的存储器,其特征在于,所述第一金属线的线宽小于所述第二金属线的线宽。
4.如权利要求2所述的存储器,其特征在于,两条所述第一金属线之间的间距大于两条所述第二金属线之间的间距。
5.如权利要求1所述的存储器,其特征在于,还包括电源线和接地线,于所述第一信号线的两侧布置所述电源线或接地线,于所述第二信号线的两侧布置所述电源线或接地线。
6.如权利要求5所述的存储器,其特征在于,还包括顶层金属层,所述顶...
【专利技术属性】
技术研发人员:尚为兵,张凤琴,冀康灵,田凯,武贤君,
申请(专利权)人:长鑫存储技术上海有限公司,
类型:新型
国别省市:上海;31
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