【技术实现步骤摘要】
一种阻抗变换网络及包括阻抗变换网络的内存模块
本专利技术涉及一种内存模块,特别是涉及一种阻抗变换网络及包括阻抗变换网络的内存模块。
技术介绍
现有内存模块上的内存芯片的输入/输出接脚负载会影响内存模块上的讯号走线特性阻抗,从而影响讯号完整性并降低性能。在内存模块中,朝向内存连接器的第一个内存芯片的输入/输出接脚负载与内存模块上的其余内存芯片相比,对讯号走线阻抗的影响更大,因为讯号上升速度相对较快。换言之,第一个内存芯片将使特性阻抗在第一个内存芯片的位置迅速变化。故,如何通过电路设计的改良,来最大限度地减少第一个内存芯片的输入/输出接脚负载造成的影响,来提高内存模块的性能,已成为该项事业所欲解决的重要课题之一。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于,针对现有技术的不足提供一种阻抗变换网络及包括阻抗变换网络的内存模块。为了解决上述的技术问题,本专利技术所采用的其中一技术方案是,提供一种包括阻抗变换网络的内存模块,所述包括阻抗变换网络的内存模块包括:一输入/输出接脚;一内存芯片,连接于 ...
【技术保护点】
1.一种包括阻抗变换网络的内存模块,其特征在于,所述包括阻抗变换网络的内存模块包括:/n一输入/输出接脚;/n一内存芯片,连接于所述输入/输出接脚;/n一阻抗变换网络,连接于所述内存芯片及所述输入/输出接脚之间以提供一讯号传输路径,在连接所述输入/输出接脚处具有一第一线宽,在连接所述内存芯片处具有一第二线宽,且所述阻抗变换网络具有沿着所述讯号传输路径且由所述第一线宽渐变至所述第二线宽的一渐变结构;/n其中所述渐变结构用于分别在所述输入/输出接脚处及所述内存芯片处阻抗匹配。/n
【技术特征摘要】
1.一种包括阻抗变换网络的内存模块,其特征在于,所述包括阻抗变换网络的内存模块包括:
一输入/输出接脚;
一内存芯片,连接于所述输入/输出接脚;
一阻抗变换网络,连接于所述内存芯片及所述输入/输出接脚之间以提供一讯号传输路径,在连接所述输入/输出接脚处具有一第一线宽,在连接所述内存芯片处具有一第二线宽,且所述阻抗变换网络具有沿着所述讯号传输路径且由所述第一线宽渐变至所述第二线宽的一渐变结构;
其中所述渐变结构用于分别在所述输入/输出接脚处及所述内存芯片处阻抗匹配。
2.根据权利要求1所述的包括阻抗变换网络的内存模块,其特征在于,所述渐变结构具有一阶梯结构。
3.根据权利要求2所述的包括阻抗变换网络的内存模块,其特征在于,所述第一线宽小于所述第二线宽,且所述阶梯结构具有由所述第一线宽渐变至所述第二线宽的多个阶梯线宽。
4.根据权利要求1所述的包括阻抗变换网络的内存模块,其特征在于,所述渐变结构具有一梯形结构。
5.根据权利要求4所述的包括阻抗变换网络的内存模块,其特征在于,所述第一线宽小于所述第二线...
【专利技术属性】
技术研发人员:余志新,张波,
申请(专利权)人:深圳市金邦科技发展有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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