【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种读写转换电路以及存储器。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。
2、dram可以分为双倍速率同步(double data rate，ddr)动态随机存储器、gddr(graphics double data rate)动态随机存储器、低功耗双倍速率同步(low power doubledata rate，lpddr)动态随机存储器。随着dram应用的领域越来越多，如dram越来越多地应用于移动领域，用户对于dram速度指标的要求越来越高。
3、然而，目前的dram在读写期间的数据传输速度仍有待提高。
技术实现
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种读写转换电路，其特征在于，包括：经由列选择模块与位线连接的第一数据线，经由列选择模块与互补位线连接的第一互补数据线，以及第二数据线，还包括：
2.如权利要求1所述的读写转换电路，其特征在于，所述第六NMOS管的栅极接收所述写入控制信号，所述第七NMOS管的栅极与所述第二数据线电连接。
3.如权利要求1所述的读写转换电路，其特征在于，所述读取单元包括：第十NMOS管以及第十二NMOS管；所述第十二NMOS管的漏极与所述第二数据线电连接，所述第十二NMOS管的源极与所述第十NMOS管的漏极电连接，所述第十NMOS管的源极接地。
...
【技术特征摘要】
1.一种读写转换电路，其特征在于，包括：经由列选择模块与位线连接的第一数据线，经由列选择模块与互补位线连接的第一互补数据线，以及第二数据线，还包括：
2.如权利要求1所述的读写转换电路，其特征在于，所述第六nmos管的栅极接收所述写入控制信号，所述第七nmos管的栅极与所述第二数据线电连接。
3.如权利要求1所述的读写转换电路，其特征在于，所述读取单元包括：第十nmos管以及第十二nmos管；所述第十二nmos管的漏极与所述第二数据线电连接，所述第十二nmos管的源极与所述第十nmos管的漏极电连接，所述第十nmos管的源极接地。
4.如权利要求3所述的读写转换电路，其特征在于，所述第十二nmos管的栅极接收所述读取控制信号，所述第十nmos管的栅极与所述第一互补数据线电连接。
5.如权利要求3所述的读写转换电路，其特征在于，所述第十nmos管的栅极接收所述读取控制信号，所述第十二nmos管的栅极与所述第一互补数据线电连接。
6.如权利要求1所述的读写转换电路，其特征在于，所述放大模块包括：第一反相器，所述第一反相器的输入端与所述第一数据线电连接，所述第一反相器的输出端与所述第一互补数据线电连接；第二反相器，所述第二反相器的输入端与所述第一反相器的输出端以及所述第一互补数据线电连接，所述第二反相器的输出端与所述第一反相器的输入端以及所述第一数据线电连接。
7.如权利要求6所述的读写转换电路，其特征在于，所述第一反相器包括：第一pmos管以及第一nmos管，所述第一pmos管的栅极以及所述第一nmos管的栅极连接且作为所述第一反相器的输入端，所述第一pmos管的源极与工作电源连接，所述第一pmos管的漏极与所述第一nmos管的漏极连接且作为所述第一反相器的输出端...
【专利技术属性】
技术研发人员：尚为兵，
申请(专利权)人：长鑫存储技术上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。