【技术实现步骤摘要】
三维存储器器件的沟槽结构相关申请的交叉引用本专利申请要求于2017年3月7日递交的中国专利申请第201710131738.5号的优先权，该申请的全部内容以引用方式并入本文。
本专利技术系关于一种存储器器件及其形成方法，特别是一种三维(3D)NAND存储器器件及其形成方法。
技术介绍
闪存器件(flashmemorydevice)的发展快速。闪存器件能在切断电源后长时间保存存储器内的储存数据，并具有高积极度、快速存取以及方便重复读取与写入数据等特性。闪存器件已广泛地应用于自动化和控制等领域。为能有效提升闪存器件的位密度(bitdensity)并降低成本，进而发展一种三维NAND闪存器件(NANDflashmemorydevice)。三维NAND闪存器件一般包含位于衬底上的栅极堆栈，复数个半导体沟道通过且相交于多条字符线，并深入该衬底。底置栅极是作为底选择栅极。顶置栅极是作为顶选择栅极。位于该底置栅极与该顶置栅极之间的字符线/栅极则作为字符线。半导体沟道与字符线之间交错的关系构成存储器单元(memoryc...
【技术保护点】
1.一种存储器器件，其包括：/n衬底；/n沿着第一方向延伸于所述衬底上的复数个字符线，其中，所述复数个字符线在第一区域形成阶梯结构；/n形成在第二区域并且通过所述复数个字符线的复数个沟道，其中，所述第二区域在区域边界上紧邻所述第一区域；以及/n沿着所述第一方向延伸的绝缘狭缝，其中，所述绝缘狭缝包括形成在第一区域中的第一狭缝结构和形成在所述第二区域中的第二狭缝结构，所述第一狭缝结构和第二狭缝结构连接，所述第一狭缝结构以第二方向测量的第一宽度大于所述第二狭缝结构以所述第二方向测量的第二宽度。/n
【技术特征摘要】
20170307 CN 20171013173851.一种存储器器件，其包括：
衬底；
沿着第一方向延伸于所述衬底上的复数个字符线，其中，所述复数个字符线在第一区域形成阶梯结构；
形成在第二区域并且通过所述复数个字符线的复数个沟道，其中，所述第二区域在区域边界上紧邻所述第一区域；以及
沿着所述第一方向延伸的绝缘狭缝，其中，所述绝缘狭缝包括形成在第一区域中的第一狭缝结构和形成在所述第二区域中的第二狭缝结构，所述第一狭缝结构和第二狭缝结构连接，所述第一狭缝结构以第二方向测量的第一宽度大于所述第二狭缝结构以所述第二方向测量的第二宽度。
2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述第一方向是平行于所述衬底的顶表面的。
3.根据权利要求1或2中的任一项所述的存储器器件，其中，所述第二方向是垂直于所述第一方向的。
4.根据权利要求1或2中的任一项所述的存储器器件，其中，所述第一宽度是均匀的沿着所述第一方向的。
5.根据权利要求1或2中的任一项所述的存储器器件，其中，所述第一宽度大于所述第二宽度10纳米至50纳米。
6.根据权利要求1或2中的任一项所述的存储器器件，其中，所述第一子狭缝具有弯曲的末端结构。
7.根据权利要求1或2中的任一项所述的存储器器件，其中，所述第一子绝缘狭缝包括矩形形状。
8.根据权利要求6所述的存储器器件，其中，所述弯曲的末端结构包括圆弧结构。
9.根据权利要求6所述的存储器器件，还包括形成在所述第一区域中的复数个接触结构，其中，所述复数个接触结构中的每个所述接触结构是与所述复数个字符线中的至少一个字符线电连接的，并且所述复数个接触结构中的接触结构的相应部分与距离所述区域边界最远的所述弯曲的末端结构在所述第一方向上是相互分隔0.5微米至2微米的。
10.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述第一狭缝结构包括沿所述第一方向相连的若干第一狭缝单元，所述第二狭缝结构包括沿所述第一方向相连的若干第二狭缝单元；
任一所述第一狭缝单元以第二方向测量的宽度均大于任一所述第二狭缝单元以第二方向测量的宽度。
11.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括覆盖在所述阶梯结构和衬底上的绝缘材料，所述第一狭缝结构的沿所述第一方向远离第一狭缝结构的末端同时穿过所述阶梯结构和绝缘材料。
12.根据权利要求11所述的存储器器件，所述第一狭缝结构的所述末端沿所述第一方向穿过所述阶梯结构的边缘。
13.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述第一宽度沿着所述第一方向并且远离所述区域边界而增加。
14.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括形成在所述第一区域并且通过所述复数个字符线的复数个沟道。
15.一种存储器器件，其包括：
延伸于第一方向上的字符线阶梯区；...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐强，夏志良，严萍，李广济，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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