具有背面金属接触部和子鳍状物区域的无衬底FINFET二极管结构制造技术

实施例包括二极管器件和晶体管器件。二极管器件包括第一导电区域和绝缘体区域之上的第一鳍状物区域以及在第二导电区域和绝缘体区域之上的第二鳍状物区域，其中第二鳍状物区域与第一鳍状物区域横向相邻，并且绝缘体区域在第一和第二导电区域之间。二极管器件包括：第一导电区域上的第一导电过孔，其中第一导电过孔与第一鳍状物区域垂直相邻；以及第二导电区域上的第二导电过孔，其中第二导电过孔与第二鳍状物区域垂直相邻。二极管器件可以包括导电接触部、第一鳍状物区域上的第一部分、第二鳍状物区域上的第二部分、以及第一部分和第二部分与导电接触部之间的栅电极。

【技术实现步骤摘要】
具有背面金属接触部和子鳍状物区域的无衬底FINFET二极管结构
实施例涉及电子结构和处理。更具体地，实施例涉及具有带有背面金属接触部和子鳍状物区域的无衬底FinFET二极管架构的电子结构。
技术介绍
在过去的几十年中，集成电路(IC)器件的特征缩放一直是不断发展的半导体产业背后的驱动力。缩放到越来越小的特征使得能够在半导体芯片的有限芯片面积上增加功能单元的密度。例如，缩小的晶体管/二极管尺寸允许在芯片上并入增加数量的存储器件，从而有助于制造具有增加的容量的产品。然而，对更大容量的驱动并非没有问题。优化每个器件的性能的必要性变得越来越重要。诸如通常在互补金属氧化物半导体(CMOS)中使用的金属氧化物半导体(MOS)二极管器件的IC二极管通常依赖于硅衬底来提供从阳极区域到阴极区域的电流路径。然而，近来已经通过去除为这种二极管提供电流路径的硅衬底来实现对缩放IC的驱动。因此，在诸如绝缘体上硅(SOI)器件之类的现有无衬底技术中，可以通过将鳍状物留在绝缘体的顶部来完全去除硅体块。因此，当静电放电(ESD)电流从阳极区域流向阴极区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二极管器件，包括：/n第一导电区域和绝缘体区域之上的第一鳍状物区域；/n第二导电区域和所述绝缘体区域之上的第二鳍状物区域，其中，所述第二鳍状物区域与所述第一鳍状物区域横向相邻，并且其中，所述绝缘体区域在所述第一导电区域与所述第二导电区域之间；/n所述第一导电区域上的第一导电过孔，其中，所述第一导电过孔与所述第一鳍状物区域垂直相邻；以及/n所述第二导电区域上的第二导电过孔，其中，所述第二导电过孔与所述第二鳍状物区域垂直相邻。/n

【技术特征摘要】
20190620 US 16/447,8741.一种二极管器件，包括：
第一导电区域和绝缘体区域之上的第一鳍状物区域；
第二导电区域和所述绝缘体区域之上的第二鳍状物区域，其中，所述第二鳍状物区域与所述第一鳍状物区域横向相邻，并且其中，所述绝缘体区域在所述第一导电区域与所述第二导电区域之间；
所述第一导电区域上的第一导电过孔，其中，所述第一导电过孔与所述第一鳍状物区域垂直相邻；以及
所述第二导电区域上的第二导电过孔，其中，所述第二导电过孔与所述第二鳍状物区域垂直相邻。


2.根据权利要求1所述的二极管器件，还包括：
所述第一鳍状物区域上的多个第一部分；
所述第二鳍状物区域上的多个第二部分；
所述第一鳍状物区域和所述第二鳍状物区域之上的多个栅电极，其中，所述多个栅电极在所述多个第一部分与所述多个第二部分之间；以及
多个导电接触部，所述多个导电接触部在所述多个第一部分和所述多个第二部分以及所述第一鳍状物区域和所述第二鳍状物区域之上，其中，所述多个栅电极在所述多个导电接触部之间。


3.根据权利要求1或2所述的二极管器件，其中，所述第一导电过孔和所述第二导电过孔耦合到所述多个导电接触部。


4.根据权利要求1或2所述的二极管器件，其中，所述第一鳍状物区域包括第一N型掺杂材料，并且其中，所述第二鳍状物区域包括第一P型掺杂材料。


5.根据权利要求2所述的二极管器件，其中，所述多个第一部分包括第二N型掺杂材料，并且其中，所述多个第二部分包括第二P型掺杂材料。


6.根据权利要求2所述的二极管器件，其中，所述多个栅电极包括多晶硅材料。


7.根据权利要求2所述的二极管器件，还包括所述多个导电接触部之上的多个导电线。


8.根据权利要求1或2所述的二极管器件，其中，所述第一导电区域是阴极区域，其中，所述第二导电区域是阳极区域，并且其中，所述第一鳍状物区域的界面侧壁与所述第二鳍状物区域的界面侧壁直接相邻并耦合。


9.根据权利要求2所述的二极管器件，其中，所述第一导电过孔和所述第二导电过孔的顶表面与所述多个导电接触部的顶表面基本上共面。


10.根据权利要求8所述的二极管器件，其中，所述第一导电过孔导电耦合到所述阴极区域，其中，所述第二导电过孔导电耦合到所述阳极区域，并且其中，所述第一鳍状物区域和所述第二鳍状物区域的界面侧壁位于所述绝缘体区域之上。


11.一种二极管器件，包括：
第一导电区域和绝缘体区域之上的第一鳍状物区域；
第二导电区域和所述绝缘体区域之上的第二鳍状物区域，其中，所述第二鳍状物区域与所述第一鳍状物区域横向相邻，并且其中，所述绝缘体区域在所述第一导电区域与所述第二导电区域之间；
所述第一导电区域之上的第一导电过孔，其中，所述第一导电过孔与所述第一鳍状物区域平行相邻；以及
所述第二导电区域之上的第二导电过孔，其中，所述第二导电过孔与所述第二鳍状物区域平行相邻。


12.根据权利要求11所述的二极管器件，还包括：
所述第一鳍状物区域上的多个第一部分；
所述第二鳍状物区域上的多个第二部分；
所述第一鳍状物区域和所述第二鳍状物区域之上的多个栅电极，其中，所述多个栅电极在所述多个第一部分与所述多个第二部分之间；
多个导电接触部，所述多个导电接触部在所述多个第一部分和所述多个第二部分、所述第一鳍状物区域和所述第二鳍状物区域、以及所述第一导电过孔和所述第二导电过孔之上，其中，所述多个栅电极在所述多个导电接触部之间；以及
所述第一导电区域和所述第二导电区域之上的绝缘体材料，其中，所述绝缘体材料在所述第一导电过孔与所述第一鳍状物区域之间，并且其中，所述绝缘体材料在所述第二导电过孔与所述第二鳍状物区域之间。


13.根据权利要求12所述的二极管器件，其中，所述第一导电过孔和所述第二导电过孔耦合到所述多个导电接触部。


14.根据权利要求11、12或13所述的二极管器件，其中，所述第一鳍状物区域包括第一N型掺杂材料，并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：N·汤姆森，A·卡尔，K·科柳鲁，N·杰克，R·马，M·博尔，R·米恩德鲁，H·A·拉奥，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US