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具有背面金属接触部和子鳍状物区域的无衬底FINFET二极管结构制造技术
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下载具有背面金属接触部和子鳍状物区域的无衬底FINFET二极管结构的技术资料
文档序号:26795529
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实施例包括二极管器件和晶体管器件。二极管器件包括第一导电区域和绝缘体区域之上的第一鳍状物区域以及在第二导电区域和绝缘体区域之上的第二鳍状物区域,其中第二鳍状物区域与第一鳍状物区域横向相邻,并且绝缘体区域在第一和第二导电区域之间。二极管器件包...
该专利属于英特尔公司所有,仅供学习研究参考,未经过英特尔公司授权不得商用。
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