一种集成芯片及其制作方法和集成电路技术

申请公开了一种集成芯片及其制作方法和集成电路。集成芯片包括第一功能层，以及堆叠在第一功能层表面的第二功能层，所述第一功能层与所述第二功能层连接；所述第一功能层集成了功率放大器、低噪放大器或射频开关中任意一个或多个；所述第二功能层集成了所述LC滤波器。本申请通过将芯片分层制作，使LC滤波器与功率放大器、低噪放大器或射频开关堆叠设置，进一步降低了芯片的面积，提高了芯片集成度，减小了芯片的成本。

【技术实现步骤摘要】
一种集成芯片及其制作方法和集成电路
本申请涉及无线通讯领域，尤其涉及一种集成芯片及其制作方法和集成电路。
技术介绍
随着通信技术的发展，射频器件得到越来越广泛的应用，包括基站、手机和其它各种智能终端设备，也包括Sub-6GHz频段和毫米波频段。其中装置于各类无线通信终端系统的射频前端，是实现整个无线通讯智能终端最前端的射频信号接收与发射功能的核心系统，通常由功率发大器(PA)、滤波器(Filter)、低噪声放大器(LNA)和射频开关(RFSwitch)等多个器件组合构成。追求低功耗、高性能、低成本是通信技术升级的主要驱动力，也是芯片设计研发的主要方向。射频电路的技术升级主要依靠新设计、新工艺和新材料的结合，在5G及未来移动通信中，器件的小型化与集成化是主要的趋势。目前，将射频器件集成在一起形成的集成芯片的面积较大，导致芯片成本较高。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种将射频前端的多个部件集成在一个芯片上且芯片面积较小的集成芯片及其制作方法和集成电路。本申请公开了一种集成芯片，所述集成芯片包括第一功能层，以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成芯片，其特征在于，包括第一功能层，以及堆叠在第一功能层表面的第二功能层，所述第一功能层与所述第二功能层连接；所述第一功能层集成了功率放大器、低噪放大器或射频开关中任意一个或多个；所述第二功能层集成了所述LC滤波器。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成芯片，其特征在于，包括第一功能层，以及堆叠在第一功能层表面的第二功能层，所述第一功能层与所述第二功能层连接；所述第一功能层集成了功率放大器、低噪放大器或射频开关中任意一个或多个；所述第二功能层集成了所述LC滤波器。


2.如权利要求1所述的一种集成芯片，其特征在于，所述第一功能层包括晶体管和由电感、电容和/或电阻组成的匹配电路，所述晶体管与所述匹配电路相连；所述第二功能层包括电感层和电容层，所述电感层、电容层与所述匹配电路连接。


3.如权利要求2所述的一种集成芯片，其特征在于，所述电感层设置在所述第一功能层的表面，与所述匹配电路连接；所述电容层设置在所述电感层的表面，与所述电感层连接。


4.如权利要求3所述的一种集成芯片，其特征在于，所述电感层中设有多个电感，所述电感层中的电感同步制作完成；
所述电容层中设有多个电容，所述电容层中的电容同步制作完成。


5.如权利要求2所述的一种集成芯片，其特征在于，所述第二功能层包括至少一个电感层和至少一个电容层，所述电感层和电容层堆叠设置。


6.如权利要求3所述的一种集成芯片，其特征在于，所述第一功能层包括：
衬底；
外延层，设置在所述衬底上，采用氮化镓系材料制成；
第一钝化层，设置在所述外延层上；
第二钝化层，设置在所述第一钝化层上；以及
第一金属间介质层，设置在所述第二钝化层上；
所述晶体管包括氮化镓高电子迁移率晶体管，所述氮化镓高电子迁移率晶体管与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊永辉，许明伟，樊晓兵，曾学忠，
申请(专利权)人：深圳市汇芯通信技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44