一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构制造技术

本发明专利技术提供了一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构，通过对P型衬底进行不同的掺杂，形成不同的区域，例如N阱、P阱和深N阱，并合理设置N阱、P阱和深N阱的相对位置，实现了鳍式场效应晶体管制程中的多种新型阱型电阻结构。

【技术实现步骤摘要】
一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构
本专利技术涉及鳍式场效应晶体管阱型电阻版图设计
，更具体地说，涉及一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，FinFET(FinField-EffectTransistor，鳍式场效应晶体管)已广泛应用于CMOS器件结构中，是实现单片异质集成、发展CMOS器件和片上系统的关键技术。但是，目前市面上的FinFET的阱型电阻结构比较单一，在电路设定上可选择性少，在使用上有诸多不便。
技术实现思路
有鉴于此，为解决上述问题，本专利技术提供一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构，技术方案如下：一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构，所述新型阱型电阻结构包括：P型衬底，所述P型衬底包括：深N阱区；所述深N阱区形成有P阱和N阱；其中，所述P阱被所述N阱及所述深N阱区包围；设置在所述P型衬底一侧的浅沟道隔离层；所述浅沟道隔离层上具有两个或多个鳍式结构；通过所述鳍式结构以及所述鳍式结构上的高浓度的P型磊晶结构与金属连接。一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构，所述新型阱型电阻结构包括：P型衬底，所述P型衬底包括：深N阱区；所述深N阱区形成有P阱和N阱；所述深N阱区被所述P阱及所述P型衬底包围，且所述深N阱区的中间区域为P阱；设置在所述P型衬底一侧的浅沟道隔离层；所述浅沟道隔离层上具有两个或多个鳍式结构；通过所述鳍式结构以及所述鳍式结构上的高浓度的N型磊晶结构与金属连接。一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构，所述新型阱型电阻结构包括：P型衬底，所述P型衬底包括：N阱和P阱；所述N阱被所述P阱及所述P型衬底包围；所述N阱上具有N+扩散区或高浓度的N型磊晶结构；设置在所述P型衬底一侧的金属栅结构；所述金属栅结构上具有多个沟槽，两个或多个所述沟槽对应所述N+扩散区或高浓度的N型磊晶结构；通过两个或多个所述沟槽与所述N+扩散区或高浓度的N型磊晶结构与金属连接。可选的，在上述新型阱型电阻结构中，所述金属栅结构与所述P型衬底之间隔有绝缘层。可选的，在上述新型阱型电阻结构中，所述N阱上还具有P+扩散区或高浓度的P型磊晶结构；其余部分所述沟槽对应所述P+扩散区或高浓度的P型磊晶结构。一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构，所述新型阱型电阻结构包括：P型衬底，所述P型衬底包括：深N阱区；所述深N阱区形成有P阱和N阱；所述P阱被所述N阱及所述深N阱区包围；所述P阱上具有P+扩散区或高浓度的P型磊晶结构；设置在所述P型衬底一侧的金属栅结构；所述金属栅结构上具有多个沟槽，两个或多个所述沟槽对应所述P+扩散区或高浓度的P型磊晶结构；通过两个或多个所述沟槽与所述P+扩散区或高浓度的P型磊晶结构与金属连接。可选的，在上述新型阱型电阻结构中，所述金属栅结构与所述P型衬底之间隔有绝缘层。可选的，在上述新型阱型电阻结构中，所述P阱上还具有N+扩散区或高浓度的N型磊晶结构；其余部分所述沟槽对应所述N+扩散区或高浓度的N型磊晶结构。相较于现有技术，本专利技术实现的有益效果为：本专利技术提供的一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构，相容於FINFET制程，通过对P型衬底进行不同的掺杂，形成不同的区域，例如N阱、P阱和深N阱，并合理设置N阱、P阱和深N阱的相对位置，实现了鳍式场效应晶体管制程中的多种新型阱型电阻结构。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的另一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的又一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的又一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的又一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的又一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。需要说明的是，说明书附图中，NW表示N-Well，即N阱；PW表示P-Well，即P阱；DNW(DeepN-Well)表示深N阱；P-sub表示P型衬底；STI表示浅沟道隔离层；MG表示金属栅层；P+表示P+扩散区或高浓度的P型磊晶结构；N+表示N+扩散区或高浓度的N型磊晶结构。参考图1，图1为本专利技术实施例提供的一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构的结构示意图。所述新型阱型电阻结构包括：P型衬底，所述P型衬底包括：深N阱区。所述深N阱区形成有P阱和N阱。其中，所述P阱被所述N阱及所述深N阱区包围。设置在所述P型衬底一侧的浅沟道隔离层；所述浅沟道隔离层上具有两个或多个鳍式结构；通过所述鳍式(FIN)结构以及所述鳍式(FIN)结构上的高浓度的P型磊晶结构与金属连接。参考图2，图2为本专利技术实施例提供的另一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构的结构示意图。所述新型阱型电阻结构包括：P型衬底，所述P型衬底包括：深N阱区。所述深N阱区形成有P阱和N阱。所述深N阱区被所述P阱及所述P型衬底包围，且所述深N阱区的中间区域为P阱。设置在所述P型衬底一侧的浅沟道隔离层；所述浅沟道隔离层上具有两个或多个鳍式结构。通过所述鳍式(FIN)结构以及所述鳍式(FIN)结构上的高浓度的N型磊晶结构与金属连接。参考图3，图3为本专利技术实施例提供的又一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构的结构示意图。所述新型阱型电阻结构包括：P型衬底，所述P型衬底包括：N阱和P阱。所述N阱被所述P阱及所述P型衬底包围。所述N阱上具有N+扩散区或高浓度的N型磊晶结构。设置在所述P型衬底一侧的金属栅结构；所述金属栅结构上具有多个沟槽，两个或多个所述沟槽对应所述N+扩本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构，其特征在于，所述新型阱型电阻结构包括：/nP型衬底，所述P型衬底包括：深N阱区；所述深N阱区形成有P阱和N阱；其中，所述P阱被所述N阱及所述深N阱区包围；/n设置在所述P型衬底一侧的浅沟道隔离层；所述浅沟道隔离层上具有两个或多个鳍式结构；/n通过所述鳍式结构以及所述鳍式结构上的高浓度的P型磊晶结构与金属连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构，其特征在于，所述新型阱型电阻结构包括：
P型衬底，所述P型衬底包括：深N阱区；所述深N阱区形成有P阱和N阱；其中，所述P阱被所述N阱及所述深N阱区包围；
设置在所述P型衬底一侧的浅沟道隔离层；所述浅沟道隔离层上具有两个或多个鳍式结构；
通过所述鳍式结构以及所述鳍式结构上的高浓度的P型磊晶结构与金属连接。


2.一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构，其特征在于，所述新型阱型电阻结构包括：
P型衬底，所述P型衬底包括：深N阱区；所述深N阱区形成有P阱和N阱；所述深N阱区被所述P阱及所述P型衬底包围，且所述深N阱区的中间区域为P阱；
设置在所述P型衬底一侧的浅沟道隔离层；所述浅沟道隔离层上具有两个或多个鳍式结构；
通过所述鳍式结构以及所述鳍式结构上的高浓度的N型磊晶结构与金属连接。


3.一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构，其特征在于，所述新型阱型电阻结构包括：
P型衬底，所述P型衬底包括：N阱和P阱；所述N阱被所述P阱及所述P型衬底包围；所述N阱上具有N+扩散区或高浓度的N型磊晶结构；
设置在所述P型衬底一侧的金属栅结构；
所述金属栅结构上具有多个沟槽，两个或多个所述沟槽对应所述N+扩散区或高浓度的N型磊晶结构；
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈尚志，张玉静，杨忙，孙至鼎，
申请(专利权)人：泉芯集成电路制造济南有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37