本发明提供了一种醇胺类清洗液的润洗溶液，其由脂肪醇类有机溶剂、pH缓冲剂和水组成，且润洗溶液中溶解有二氧化碳；该种润洗溶液中脂肪醇类有机溶剂可有效溶解醇胺类，且可抑制醇胺类水解，二氧化碳降低了溶液阻值防止出现电荷问题，同时脂肪醇类有机溶...

本实用新型公开了一种厂务气体供应系统及厂务系统。厂务气体供应系统包括：气体供应装置、缓冲装置和监控装置；气体供应装置的输出端与缓冲装置的输入端通过第一管路连接，缓冲装置的输出端用于通过第二管路输出气体到机台设备；缓冲装置与所述监控装置连...

本发明提供一种元件模型参数编码、解码方法及装置，涉及电路设计技术领域，包括获取元件模型的初始参数；根据预设映射规则将初始参数映射生成映射参数；根据第一预设加密算法将映射参数加密生成第一加密数据；将第一加密数据存储至预设位置。同时设置对应...

本实用新型涉及一种真空传输阀门门板的升降装置，该升降装置包括机架、升降部和固定部；机架能够与机台固定；固定部包括固定板和固定杆，固定板设有与固定杆对应的固定孔，固定杆的底部设有第一螺纹段，第一螺纹段能够穿过固定孔并与设于门板顶端的第一螺...

本实用新型实施例提供一种真空室，涉及半导体制程技术领域。真空室包括框体、门板、传动组件、步进电机和控制器，框体内具有真空腔，框体的一侧开设有与真空腔连通的入口；门板滑动连接在入口；传动组件的一端连接到门板；步进电机连接在传动组件的另一端...

本发明提供了一种鳍式场效应晶体管及其制作方法，方法包括：提供基底结构，基底结构包括半导体衬底、位于半导体衬底一侧的至少一个鳍部及位于鳍部背离半导体衬底一侧表面的掩膜层；沿基底结构具有鳍部侧的裸露表面形成氧隔离膜；形成介质层覆盖氧隔离膜；...

本申请公开了一种研磨平台的振动监测系统及振动监测方法，其中，所述研磨平台的振动检测系统在皮带的传送面两侧分别设置第一监测模块和第二监测模块，并利用第一监测模块向所述皮带的传送面发送监测信号，利用所述第二监测模块接收除被所述皮带遮挡的监测...

本发明的实施例提供了一种对准标记的制备方法和鳍式场效应晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。对准标记的制备方法包括：在衬底上形成鳍部；在鳍部上形成标记参照部，标记参照部之间形成标记形成区；在标记形成区的鳍部上形成对准标记。该制备方法形成...

本申请提供了一种冷却系统与及其控制方法，涉及半导体芯片制备技术领域。该冷却系统包括控制装置、承载台以及通过进水口和出水口与承载台管道连通的冷却机，承载台上设置有第一温度传感器，以采集承载台的第一温度，冷却机的进水口设置有第二温度传感器，...

本发明提供了一种化学机械研磨机的清洗装置，包括：设置在研磨头边缘一侧的第一清洗部件，所述第一清洗部件用于清洗所述研磨头的边缘侧壁。即，该清洗装置可以清洗研磨头侧壁上的研磨液结晶或其它杂质，进一步完善了化学机械研磨机的清洗工作，避免了研磨...

本发明提供了一种光掩模及其制作方法，光掩模包括主图形和至少一个散射条图形，由于所述散射条图形包括多个间隔设置的子散射条图形，且所述多个子散射条图形依次排列在所述主图形的一侧，因此，即便增大子散射条图形在垂直于其排列方向的方向上的宽度，散...

本发明公开了一种鳍式结构的晶体管及其制作方法，本发明技术方案在对半导体衬底的表面进行刻蚀形成鳍状结构时，在所述表面的器件区以及所述隔离区均形成至少一个所述鳍状结构，从而能够使得各个所述鳍状结构具有较为一致的刻蚀环境，从而能够精确的形成所...

本发明提供了一种铜导线制程方法，该铜导线制程方法通过形成覆盖位于所述待处理孔洞开口处预设深度晶种层表面的抑制层，在电镀铜的过程中使铜不易附着在该抑制层表面，降低了抑制层区域铜从侧壁向中心的生长速率，进而从所述待处理孔洞的底部向开口处进行...

本实用新型公开了一种厂务冷却系统及厂务系统。厂务冷却系统包括：供水装置、至少一个冰水机和监控装置；供水装置包括至少一个输出端，供水装置的输出端与冰水机的输入端通过第一管路连接，冰水机的输出端用于通过第二管路输出水到机台设备；监控装置的检...

本实用新型涉及清洁技术领域，公开了一种机械设备用清洁辅助装置。该机械设备用清洁辅助装置包括伸缩部、弯折部和无尘布，伸缩部包括相连的第一伸缩杆和第二伸缩杆，第二伸缩杆能沿第一伸缩杆的轴线方向运动，弯折部铰接于第二伸缩杆远离第一伸缩杆的一端...

本实用新型属于半导体制造装置领域，公开了一种磊晶装置的清灰管路及磊晶装置。磊晶装置包括磊晶腔体和传送腔体，磊晶装置的清灰管路包括三通阀、排灰气源以及清灰管路，三通阀包括第一接口、第二接口以及第三接口，第一接口连通磊晶腔体，第二接口连通传...

本实用新型涉及干蚀刻机技术领域，具体公开了一种导流盘安装治具，该导流盘安装治具包括支撑架、定位组件与支撑部，其中，支撑架为环形；定位组件设于支撑架，定位组件被配置为当导流盘安装到上腔体基座时对导流盘进行定位；支撑部固设于支撑架，支撑部用...

本申请提供一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件制作方法中，在形成金属接触层时，先形成第一阻挡层，然后对第一阻挡层刻蚀，去掉底部，然后再形成钛金属层和第二阻挡层，钛金属层与硅锗材料同样形成钛硅化合物、钛锗化合物和钛硅锗化合物，但是，...

本实用新型提供了一种光刻胶缺陷改善装置，包括：反应腔室；固定在所述反应腔室内的基板，所述基板上用于涂布光刻胶；固定在所述反应腔室内的吸附板，所述吸附板用于吸附光刻胶在烘烤过程中产生的光阻颗粒。也就是说，该光刻胶缺陷改善装置通过在反应腔室...

本申请实施例提供一种集成电路及其布局方法，该方法包括：从第一标准胞元件库和第二标准胞元件库中分别获取第一标准胞元和第二标准胞元，其中，第一标准胞元和第二标准胞元中的一者具有第一高度、另一者具有不等于第一高度的第二高度；布置第一标准胞元和...