鳍式结构的晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种鳍式结构的晶体管及其制作方法，本发明专利技术技术方案在对半导体衬底的表面进行刻蚀形成鳍状结构时，在所述表面的器件区以及所述隔离区均形成至少一个所述鳍状结构，从而能够使得各个所述鳍状结构具有较为一致的刻蚀环境，从而能够精确的形成所需的鳍状结构，形成高质量的鳍状结构，以形成可靠性较好的晶体管。好的晶体管。好的晶体管。

【技术实现步骤摘要】
鳍式结构的晶体管及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体工艺
，更具体的说，涉及一种鳍式结构的晶体管及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着科学技术的不断发展，越来越多的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。
[0003]电子设备实现各种功能的主要元件是集成电路，通过集成电路可以控制电子设备执行所需功能。晶体管是集成电路中重要的半导体元件。随着半导体技术的发展，由于传统平面结构的晶体管对沟道电流的控制能力较弱，漏电流较大，已经不能满足当前集成电路的性能需求。
[0004]鳍式结构的晶体管是一种新型的多栅半导体器件，具有较小的漏电流，能够满足高性能的集成电路的功能需求。现有技术中，鳍式结构的晶体管中，无法形成高质量的鳍状结构。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术提供了一种鳍式结构的晶体管及其制作方法，方案如下：
[0006]一种制作方法，用于制作鳍式结构的晶体管，所述制作方法包括：
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制作方法，用于制作鳍式结构的晶体管，其特征在于，所述制作方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底的一表面具有多个器件区，相邻所述器件区之间具有隔离区；对所述表面进行刻蚀，在所述半导体衬底上形成多个鳍状结构；所述器件区以及所述隔离区均至少具有一个所述鳍状结构；去除位于所述隔离区的所述鳍状结构。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述鳍状结构的方法包括：在所述表面形成预设图形的刻蚀阻挡层；基于所述刻蚀阻挡层对所述表面进行干法刻蚀，以在所述表面形成所述鳍状结构。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，形成所述刻蚀阻挡层的方法包括：形成覆盖所述表面的所述刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层表面形成图形化的光刻胶层；基于所述光刻胶层对所述刻蚀阻挡层进行干法刻蚀，以对其进行图形化；其中，图形化后的所述刻蚀阻挡层表面覆盖有所述光刻胶层；所述光刻胶层在形成所述鳍状结构的刻蚀过程中同步去除。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除位于所述隔离区的所述鳍状结构的方法包括：形成第一平坦化层，所述第一平坦化层覆盖所有所述鳍状结构；通过干法刻蚀在所述第一平坦化层位于所述隔离区的位置形成凹槽，以去除位于所述隔离区的所述鳍状结构和所述第一平坦化层；去除所述器件区的所述第一平坦化层。5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，去除所述器件区的所述第一平...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏劲秋，
申请(专利权)人：泉芯集成电路制造济南有限公司，
类型：发明
国别省市：