一种屏蔽栅沟槽场效应管制造方法及屏蔽栅沟槽场效应管技术

一种屏蔽栅沟槽场效应管制造方法及屏蔽栅沟槽场效应管，在制作屏蔽导体的过程中，沟槽侧壁以及外延上表面一直留存氧化层来保护外延层，当氧化层厚度因为制作屏蔽导体被蚀刻消耗后，再次沉积氧化层进行补充，补充后沟槽侧壁的氧化层厚度大于消耗之后的厚度，然后再继续制作屏蔽导体，据此消耗则补充的原则，结合场效应管电压需求进行仿真调试，得到对应电压需求的具有非渐变宽度屏蔽导体及非渐变厚度氧化层的场效应管。本发明专利技术提出的屏蔽栅沟槽场效应管结构能够实现较好的外延利用率，在与传统SGT具有相同崩溃电压的条件下，本发明专利技术同比可以实现更小的特征电阻，且本发明专利技术的结构能够在上下电极之间实现较小的Cgs电容。够在上下电极之间实现较小的Cgs电容。够在上下电极之间实现较小的Cgs电容。

【技术实现步骤摘要】
一种屏蔽栅沟槽场效应管制造方法及屏蔽栅沟槽场效应管


[0001]本专利技术属于半导体
，涉及屏蔽栅沟槽型场效应管SGT MOSFET，为一种屏蔽栅沟槽场效应管制造方法及屏蔽栅沟槽场效应管。

技术介绍

[0002]屏蔽栅沟槽型场效应管SGT MOSFET是一种新型的功率半导体器件，具有传统深沟槽MOSFET的低导通损耗的优点，同时具有更加低的开关损耗，SGT的结构可以使用更多的外延体积来提高耐压性能，可以显著降低MOSFET器件的特征电阻Rsp (Specific Resistance)，也即单位面积导通电阻。在传统的SGT结构中，沟槽下半部的氧化物层厚度均匀一致，如图1所示，对应的电场结果如图2所示，传统SGT对外延利用率不佳,其电场分布为两个峰值分布,一般通过使用浓度较淡的外延来达到目标崩溃电压，而这样就无法实现减小导通电阻Rsp。
[0003]美国专利US8431989提出了一种SGT结构及其制造工艺，通过调整屏蔽导体形状来控制氧化层厚度，以得到更高的崩溃电压，该方案在沟槽下部区域采用阶梯型型的屏蔽导体实现“渐增氧化层厚度”来调整电场，中国申请CN111128706也同样应用了渐变式场氧厚度来改善的方案。由于器件在反向偏压操作中，高电压将会施加于沟槽底部外的漏极侧，同时沟槽内部的屏蔽导体与闸极导体皆为接地端，沟槽底部距离高电压较近，因此需要较厚的氧化层来避免漏源极间电场强度超过外延临界电场强度，进而导致器件提早到达崩溃电压; 沿着沟槽往上，距离漏极的距离也越来越大，因此此时可以采用较薄的氧化层来实现相同的漏源极间电场，渐变厚度氧化层就是依此而设计。但这类方案虽然可以改善电场，却忽略了这样的结构所带来的极间电容Cgs过大的问题，由于这类方案要求氧化层从上至下逐渐增厚，屏蔽导体呈倒锥形，相比传统I型屏蔽导体会增加上下电极间的面积，导致极间电容Cgs较大。
[0004]渐变式场氧厚度的设计方案除了极间电容Cgs较大的问题，在实际制造工艺中，由于从下至上场氧逐渐变薄，到最上层往往会因为多晶硅的蚀刻而出现外延层裸露，这样的制程步骤将会等向性消耗外延层，为此需要预留较厚的氧化层来提供渐变的余地，容易造成器件pitch（特征尺寸）无法缩小，如图3所示，沟槽宽度还受渐变式场氧的最大宽度限制，同时渐变式场氧在设计时因为渐变的程度，屏蔽导体长短也可能随之发生变化，带来沟槽深度变动较大的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的问题是：现有SGT结构方案对外延利用率不佳，在保证崩溃电压BVDSS的情况下无法进一步减小特征电阻Rsp，现有的渐变式场氧厚度的方案虽然可以改善电场，但却存在极间电容Cgs过大以及对外延消耗的问题。
[0006]本专利技术的技术方案为：一种屏蔽栅沟槽场效应管制造方法，当氧化层厚度因为制作屏蔽导体被蚀刻消耗后，再次沉积氧化层进行补充，补充后沟槽侧壁的氧化层厚度大于
消耗之后的厚度，包括以下步骤：1）在氧化层被消耗后则进行补充的原则下仿真调试屏蔽导体的形状结构，直至场效应管电压满足需求，然后按照仿真调试结果制造屏蔽栅沟槽场效应管；2）蚀刻屏蔽栅沟槽场效应管的沟槽；3）在沟槽中沉积第一氧化层，填充屏蔽导体并回刻至第一指定高度；4）对沟槽侧壁的第一氧化层进行蚀刻，然后沉积填充屏蔽导体并回蚀刻至第二指定高度；5）由于步骤4）消耗了第一氧化层，补充沉积第二氧化层，然后蚀刻使屏蔽导体上端面裸露；6）再次沉积屏蔽导体并回蚀刻至第三指定高度；7）根据仿真调试结果，如果屏蔽导体的结构只需要蚀刻消耗一次氧化层，则进入步骤8）；如果屏蔽导体还需要继续蚀刻消耗氧化层，则根据屏蔽导体的结构选择以下方法继续制造屏蔽导体：当需要在沟槽中制造被氧化层间隔的多个十字型屏蔽导体，重复步骤3）
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6），当需要在在沟槽中制造多个十字型相连形状的屏蔽导体，重复步骤4）
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6），屏蔽导体制作完成，进入步骤8）；8）得到具有非渐变宽度的屏蔽导体，以及对应非渐变厚度氧化层；上述第一指定高度、第二指定高度、第三指定高度、蚀刻第一氧化层的厚度以及补充的第二氧化层的厚度根据仿真调试结果决定，完成屏蔽导体的制造后，按照SGT工艺制造闸极导体、掺杂、隔离层和金属层，得到屏蔽栅沟槽场效应管。
[0007]进一步的，被消耗的氧化层和补充的氧化层为同样的材料，或根据器件设计要求使用不同的材料。
[0008]本专利技术还公开一种屏蔽栅沟槽场效应管，根据上述屏蔽栅沟槽场效应管制造方法制造，沟槽内具有至少一个十字型屏蔽导体，沟槽内的氧化层随屏蔽导体在不同高度具有非渐变式的厚度。
[0009]本专利技术方法在制作屏蔽导体的过程中，沟槽侧壁以及外延上表面一直留存氧化层来保护外延层，当氧化层厚度因为制作屏蔽导体被蚀刻消耗后，再次沉积氧化层进行补充，补充后沟槽侧壁的氧化层厚度大于消耗之后的厚度，然后再继续制作屏蔽导体，据此消耗则补充的原则，结合场效应管电压需求，对氧化层的消耗、补充的量，以及对应的消耗、补充的位置高度进行仿真调试，得到对应电压需求的具有非渐变宽度屏蔽导体及非渐变厚度氧化层的场效应管。
[0010]针对现有渐变式场氧的制程工艺可能对外延的消耗，单纯增加氧化层厚度会增大器件尺寸，而如果想要调整氧化层厚度，尤其是沟槽上部容易裸露外延的部分，例如如图4所示，将氧化层1的厚度增加，则根据器件电压原理，可能导致氧化层2所在位置漏源极间电场强度过大，进而导致器件提早到达崩溃电压，因此技术人员未考虑过此方式。本专利技术没有限于这一技术原理，以沟槽侧壁以及外延上表面一直留存一定厚度氧化层来保护外延层为目标，对器件进行仿真调试，发现氧化层厚度与所在位置高度在一定比例下，可以在达到传统SGT崩溃电压的情况下，实现较小的Rsp，达到改进传统SGT的目的，同时避免了器件制造对外延的影响，且有利于器件特征尺寸控制。
[0011]本专利技术提出的屏蔽栅沟槽场效应管结构能够实现较好的外延利用率，兼顾电场与
特征电阻Rsp的改善，可根据器件电压需求通过仿真调试设计屏蔽导体的尺寸及氧化层厚度。在与传统SGT具有相同崩溃电压的条件下，本专利技术不改变外延浓度，不但可以实现更小的特征电阻Rsp，且本专利技术的结构在实现非渐变厚度氧化层过程中，沟槽侧壁以及外延上表面一直留存着氧化层来保护外延层，外延层并不会因为蚀刻多晶硅的过程而有所消耗，进可以维持优异的制程稳定性及实现较小器件特征尺寸pitch，并且本专利技术由于一旦消耗氧化层就进行补充，在最终所形成的屏蔽导体上端宽度必定会小于屏蔽导体最宽处，不会如渐变式氧化层的方案那样屏蔽导体上端必然是最宽的，由此可以实现在上下电极之的面积控制，从而实现较小的Cgs电容。同时，本专利技术的制造方法也无需使用额外的光罩，可以兼容于现有SGT制造的制程平台，有利于应用到现有工艺中。
附图说明
[0012]图1为传统屏蔽栅沟槽场效应管SGT的结构示意图。
[0013]图2为传统屏蔽栅沟槽场效应管SGT对应的电场。
[0014]图3为现有渐变式场氧的SGT制造工艺示意图。
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种屏蔽栅沟槽场效应管制造方法，其特征是当氧化层厚度因为制作屏蔽导体被蚀刻消耗后，再次沉积氧化层进行补充，补充后沟槽侧壁的氧化层厚度大于消耗之后的厚度，包括以下步骤：1）在氧化层被消耗后则进行补充的原则下仿真调试屏蔽导体的形状结构，直至场效应管电压满足需求，然后按照仿真调试结果制造屏蔽栅沟槽场效应管；2）蚀刻屏蔽栅沟槽场效应管的沟槽；3）在沟槽中沉积第一氧化层，填充屏蔽导体并回刻至第一指定高度；4）对沟槽侧壁的第一氧化层进行蚀刻，然后沉积填充屏蔽导体并回蚀刻至第二指定高度；5）由于步骤4）消耗了第一氧化层，补充沉积第二氧化层，然后蚀刻使屏蔽导体上端面裸露；6）再次沉积屏蔽导体并回蚀刻至第三指定高度；7）根据仿真调试结果，如果屏蔽导体的结构只需要蚀刻消耗一次氧化层，则进入步骤8）；如果屏蔽导体还需要继续蚀刻消耗氧化层，则根据屏蔽导体的结构选择以下方法继续制造屏蔽导体：当需要在沟槽中制造被氧化层间隔的多个十字型屏蔽导体，重复步骤3）
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨国江，于世珩，白宗纬，张胜凯，
申请(专利权)人：江苏长晶浦联功率半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：