江苏长晶浦联功率半导体有限公司专利技术

江苏长晶浦联功率半导体有限公司共有19项专利

  • 本发明属于半导体封装技术领域,公开了一种双面贴片式封装结构的制作方法,用于制作一种封装结构,且工艺简单,具体包括包括如下步骤:S1、制备框架,将芯片设置于基岛上,连接所述芯片以及引脚;S2、形成塑封层;S3、形成外露引脚;S4、在塑封层...
  • 本发明属于半导体封装技术领域,公开了双面散热芯片封装结构及芯片封装方法
  • 本发明实施例公开了一种堆叠封装结构及其制造方法,一种堆叠封装结构包括:框架;多层芯片,叠层设置于所述框架一侧;多个所述芯片包括第i层芯片和第j层芯片,所述第j层芯片位于所述第i层芯片远离所述框架的一侧;沿多层所述芯片的堆叠方向,所述第j...
  • 本发明公开了一种封装结构及封装方法,属于电子封装技术领域。封装结构包括基板、芯片、第一包封体、第二包封体和开孔;基板的正面设置基岛和引脚;芯片设于基岛上;芯片与引脚通过焊丝电性连接;第一包封体设于基岛上,用于包封焊丝的一部分和芯片;第二...
  • 本实用新型公开了一种封装结构,属于电子封装技术领域。封装结构包括基板、芯片、第一包封体、第二包封体和开孔;基板的正面设置基岛和引脚;芯片设于基岛上;芯片与引脚通过焊丝电性连接;第一包封体设于基岛上,用于包封焊丝的一部分和芯片;第二包封体...
  • 本发明公开了一种扁平无引脚元件及其封装方法,封装方法包括:获取铜基板框架;铜基板框架包括多个元件设置区,元件设置区包括管脚设置区;对铜基板框架进行开孔,在管脚设置区远离元件设置区一侧形成第一通孔;在铜基板框架的元件设置区进行粘片和压焊;...
  • 本发明公开了一种芯片封装结构及其制作方法。封装结构包括:第一框架;芯片;包封层,包封层包括第三表面和第四表面;屏蔽层,覆盖包封层的第三表面;第一绝缘层,覆盖包封层的第四表面和管脚的第二表面;多个屏蔽结构,位于第一绝缘层背离包封层的一侧,...
  • 本发明的目的是提供准积木堆迭式的三维立体封装结构、半导体封装结构、与三维立体封装结构的制作方法,以解决现有封装的体积利用率低,响应时间长等问题。三维立体封装结构包含:N层,每一层包含至少一个半导体封装结构,该半导体封装结构还包含:基板;...
  • 本发明公开了一种芯片悬空封装制作方法及封装结构,属于半导体封装领域。针对现有技术中存在的现有封装芯片散热不好,工艺流程复杂、成本高的问题,本发明提供一种芯片悬空封装制作方法及封装结构,一种芯片悬空封装制作方法,步骤如下:对基板正面进行蚀...
  • 本发明公开了一种电磁屏蔽封装结构及制作方法,属于半导体封装领域。针对现有技术中存在的现有电磁屏蔽罩主要采用单步装片的方式,封装结构复杂,产品的整体成本较高的问题,本发明提供一种电磁屏蔽封装结构及制作方法,基板框架由第一框架和第二框架组成...
  • 本发明提供一种半导体封装打线结构,该打线结构包括导线架和芯片,该芯片包括源级焊区、栅极焊区和漏极焊区;导线架包括芯片焊垫、源级引脚、栅极引脚和漏极引脚;其中,芯片焊垫与漏极引脚整合焊接;芯片的漏极焊区与芯片焊垫相连接;栅极焊区与栅极引脚...
  • 一种集成电流采样功能的超结器件,器件从内到外依次为超结元胞区、过渡区和终端区,所述过渡区同时充当电流采样区,过渡区的第一导电类型半导体外延层中设有两个第二导电类型半导体柱且顶部分别具有第二导电类型半导体区,两个第二导电类型半导体区顶部分...
  • 一种改善体二极管特性的超结器件,由下至上具有:金属化漏极、重掺杂第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体缓冲层及低掺杂第一导电类型半导体缓冲层,第一导电类型半导体外延层和第二导电类型半导体柱构成超结结构,第二导电类型半导体柱向下延伸至...
  • 一种超低比导的超结MOSFET及其制备方法,第一导电类型半导体掺杂柱区的顶部具有第二导电类型半导体基区,第二导电类型半导体柱区的上方具有沟槽型多晶硅栅电极,多晶硅栅电极的全部侧面和底面被栅介质层所包围,在第一导电类型半导体掺杂柱区和第二...
  • 晶圆切割保护方法及具有切割保护环的晶圆,将对晶圆的切割分别在前道生产和后道生产分两部分进行,先在前道生产中在晶圆的切割道上进行化学蚀刻,在晶粒周围形成切割保护环,然后在后道生产中,在切割保护环中再以切割刀进行切割,彻底分割晶圆,其中切割...
  • 屏蔽栅沟槽型场效应管的制作方法及其器件,先初步设计场板,然后通过设计注入掺杂精调电场,最后根据精调完成的场板及掺杂结构进行实际屏蔽栅沟槽场效应管制作;其中初步设计的场板为上大下小的阶梯型,注入掺杂包括侧壁部分注入,注入位置对应阶梯型场板...
  • 一种屏蔽栅沟槽场效应管制造方法及屏蔽栅沟槽场效应管,在制作屏蔽导体的过程中,沟槽侧壁以及外延上表面一直留存氧化层来保护外延层,当氧化层厚度因为制作屏蔽导体被蚀刻消耗后,再次沉积氧化层进行补充,补充后沟槽侧壁的氧化层厚度大于消耗之后的厚度...
  • 本发明公开了一种芯片封装方法和芯片封装结构,属于集成电路封装领域。针对现有技术中贴菲林片导致的油墨偏移问题,本发明提供了一种芯片封装方法和芯片封装结构,包括在包封后形成的产品的基板背面刷油墨,抽真空,预烘烤,将显影药水覆盖在产品背面的油...
  • 本发明公开了一种封装框架结构、制作方法和芯片封装结构,属于半导体封装领域。针对现有技术中存在的框架背面贴耐高温膜,此高温膜成本高,经高温加热后发软,球焊打线作业性差,包封易产生溢料沾污成品,降低封装良率的问题,本发明提供一种封装框架结构...
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