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本发明提供了一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构，通过对P型衬底进行不同的掺杂，形成不同的区域，例如N阱、P阱和深N阱，并合理设置N阱、P阱和深N阱的相对位置，实现了鳍式场效应晶体管制程中的多种新型阱型电阻结构。...
该专利属于泉芯集成电路制造(济南)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泉芯集成电路制造(济南)有限公司授权不得商用。

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