【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，具体涉及一种光刻多复用装置及其制作方法。
技术介绍
1、光刻技术是半导体制造及微电子制作中的关键步骤，可以通过曝光技术将设计图案传输到芯片上。在光刻装置工艺开发过程中，通常需要进行多次光刻试验才能确定合适的光刻条件，需要使用大量的晶圆片和光刻胶等耗材，且进行多次的光刻试验并不能保证试验环境的一致性。
2、因此，如何开发一种能够同时满足多条件光刻的复用装置，是一个亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、为了解决上述在光刻装置工艺开发过程中，进行多次的光刻试验无法保证试验环境的一致性的技术问题，本专利技术提供了一种光刻多复用装置及其制作方法。
2、第一方面，本专利技术提供了一种光刻多复用装置，包括：
3、设置于光刻机载片台与曝光光源之间的水平支架，以及内嵌于水平支架上的圆形镂空区；
4、所述水平支架上设置有滑轨凹槽，且所述滑轨凹槽设置于所述圆形镂空区的外周；
5、所述圆形镂空区的上方设置有具有镂空结构的遮光罩，且...
【技术保护点】
1.一种光刻多复用装置，其特征在于，包括：设置于光刻机载片台与曝光光源之间的水平支架，以及内嵌于水平支架上的圆形镂空区；
2.根据权利要求1所述的光刻多复用装置，其特征在于，所述水平支架的外边框为实心四边形，且所述水平支架的各外边框与所述圆形镂空区之间的垂直距离为10mm-200mm。
3.根据权利要求2所述的光刻多复用装置，其特征在于，所述圆形镂空区的直径大于光刻机载片台上晶圆的直径。
4.根据权利要求3所述的光刻多复用装置，其特征在于，所述滑轨凹槽为圆环结构。
5.根据权利要求4所述的光刻多复用装置，其特征在于，所述...
【技术特征摘要】
1.一种光刻多复用装置，其特征在于，包括：设置于光刻机载片台与曝光光源之间的水平支架，以及内嵌于水平支架上的圆形镂空区；
2.根据权利要求1所述的光刻多复用装置，其特征在于，所述水平支架的外边框为实心四边形，且所述水平支架的各外边框与所述圆形镂空区之间的垂直距离为10mm-200mm。
3.根据权利要求2所述的光刻多复用装置，其特征在于，所述圆形镂空区的直径大于光刻机载片台上晶圆的直径。
4.根据权利要求3所述的光刻多复用装置，其特征在于，所述滑轨凹槽为圆环结构。
5.根据权利要求4所述的光刻多复用装置，其特征在于，所述滑轨凹槽的内圆环直径为1mm-100mm。
...【专利技术属性】
技术研发人员：张汪根，卢选，宁旭，樊永辉，许明伟，樊晓兵，
申请(专利权)人：深圳市汇芯通信技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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