本发明公开了一种MEMS传感器、双电极力敏谐振元件及其制造方法。在本发明的技术方案中，在衬底上开设空腔，并将压电层图形化形成沿第一方向间隔设置的第一锚点和第二锚点，以及连接在所述第一锚点和所述第二锚点之间的两个振梁，本申请通过设置两个间...

本申请公开了一种氮化镓外延片及其制造方法及半导体器件。氮化镓外延片包括单晶金刚石衬底；晶格匹配层，晶格匹配层设置于金刚石衬底的一侧；氮化镓外延层，氮化镓外延层设置于晶格匹配层的远离金刚石衬底的一侧；晶格匹配层靠近氮化镓外延层的一侧的晶格...

本发明公开了一种MEMS谐振器及其制造方法。其中，MEMS谐振器的制造方法在压电层的上侧和下侧分别制备第一空腔和第二空腔，并设置第一衬底和键合衬底对第一空腔和第二空腔进行保护。通过将压电层的两侧分别设置第一空腔和第二空腔，压电层的顶部和...

本发明公开了一种MEMS传感器、薄膜力敏谐振元件及其制造方法。在本发明的技术方案中，在衬底上开设空腔，并将压电层图形化形成沿第一方向间隔设置的第一锚点和第二锚点，以及连接在所述第一锚点和所述第二锚点之间的两个振梁，本申请通过设置两个间隔...

本发明公开了一种硅基氮化镓HEMT器件及其制造方法，本发明通过在漏极对应的第一欧姆金属和势垒层之间设置P‑GaN，P‑GaN可以增大器件饱和输出电流，通过刻蚀势垒层将势垒层划分为多个沟道，将势垒层的部分刻蚀，其余的非刻蚀部分形成沟道，不...

本发明公开了一种三维电极谐振器及其制造方法，其中，三维电极谐振器的制造方法包括以下步骤：提供衬底，并在衬底上开设第一凹槽；在第一凹槽内填充氧化物形成填充层；在衬底上方制备第一压电层，并在第一压电层上方沉积形成保护层，刻蚀保护层及第一压电...

本申请公开了一种氮化镓发光二极管外延晶圆及其制备方法，该方法包括：在衬底上，依次外延生长一层InGaN或n+GaN牺牲层和一层GaN LED外延层；以InGaN或n+GaN牺牲层和GaN LED外延层为一个整体，在衬底上进行多次重复外延...

本申请提供一种射频开关电路及无线通信系统。射频开关电路包括信号输入端、信号输出端、开关控制电路、射频隔离电路及控制器。开关控制电路连接于信号输入端和信号输出端之间。射频隔离电路包括开关隔离支路及与开关隔离支路连接的电容阵列，电容阵列与接...

本申请公开了一种氮化镓高电子迁移率晶体管外延晶圆及其制备方法，该方法包括：在衬底上，依次外延生长一层

本实用新型公开了一种测量

本发明公开了一种氮化镓器件的制造方法，包括以下步骤：提供衬底，并在所述衬底上依次生长牺牲层和外延层，获得复用单元；在所述复用单元的所述外延层上制备上层结构；在所述上层结构和所述外延层上沿预设图案刻蚀形成剥离槽，其中，所述剥离槽连通至所述...

本申请公开了氮化镓发光二极管或激光二极管外延晶圆及其制备方法，该方法包括：在衬底上，依次外延生长一层

本申请公开了一种氮化镓高电子迁移率晶体管外延晶圆及其制备方法，该方法包括：在衬底上，依次外延生长一层

本申请公开了一种具有阱垒

本申请公开了一种单片集成电路及其制造方法

本申请公开了一种柔性微针电极及其制造方法

本申请属于半导体技术领域，公开了一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括衬底；设置于衬底上的外延结构；并列设置于外延结构上的第一InAlGaN层、第一区域和第二区域，第一区域和第二区域无接触；设置于第一InAlGaN层上的第二In...

本发明公开了一种宽带双相压控衰减器，包括功率分配器、两路衰减器、功率合成器。功率分配器将一路射频输入信号的功率平均分配为等幅、相位相差

本发明提供一种半导体结构及其制备方法、半导体器件及半导体晶圆。半导体结构，包括第一结构层及第二结构层。第一结构层的材料为金刚石，第二结构层的材料为AlN，第一结构层和第二结构层形成异质结结构。上述异质结结构，在第一结构层和第二结构层的界...

本发明公开了一种薄膜体声波滤波器、薄膜体声波谐振器及其制造方法。其中，薄膜体声波谐振器的制造方法将压电层的一侧设置为Bragg反射层，通过设计交替层叠设置的高阻抗层和低阻抗层，使机械波在Bragg反射层中多次反射，利用反射波之间的干涉效...