氮化镓发光二极管外延晶圆及其制备方法技术

本申请公开了一种氮化镓发光二极管外延晶圆及其制备方法，该方法包括：在衬底上，依次外延生长一层InGaN或n+GaN牺牲层和一层GaN LED外延层；以InGaN或n+GaN牺牲层和GaN LED外延层为一个整体，在衬底上进行多次重复外延生长，最终在衬底上形成具有多个重复叠层的第一外延结构；在第一外延结构的外边缘沉积侧壁介质层；将第一外延结构和侧壁介质层作为第一GaN LED外延晶圆。可见，第一GaN LED外延晶圆可以达到一次生长且多次使用的效果，以便做出成几倍数量的GaN LED器件出来，从而降低GaN LED器件产品的成本。同时，采用湿法腐蚀实现外延剥离。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件工艺，具体涉及一种氮化镓发光二极管外延晶圆及其制备方法。

技术介绍

1、中大功率或垂直封装的氮化镓(gan)发光二极管(light emitting diode，led)器件一般需要在碳化硅(sic)或者gan衬底的gan led外延片上制备，而sic或者gan衬底的ganled外延片价格通常比较昂贵，使得gan led外延片的成本在gan led器件产品的整个成本中占有主要部分。因此，为了降低gan led器件产品成本，需要从根本上降低gan led外延片的成本。

2、另外，这类gan led器件一般使用激光剥离工艺来使得gan led器件结构层从蓝宝石衬底上剥离下来。但是，在这个过程中不可避免的会对gan led器件产生热和机械损伤，导致gan led器件的性能下降，并且激光剥离工艺成本高，以及效率低。

技术实现思路

1、本申请提供了一种氮化镓发光二极管外延晶圆及其制备方法，以期望降低ganled外延片的成本。

2、第一方面，为本申请的一种氮化镓发光二极管外延晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氮化镓发光二极管外延晶圆制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述GaN LED外延层包括以下至少一项：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述重复外延生长的次数为1至9次。

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，在所述得到第一GaN LED外延晶圆之后，还包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述当前GaN LED器件的制备过程中的刻蚀深度不超过所述当前InGaN或n+GaN牺牲层的最底部。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述采用刻蚀工艺刻...

【技术特征摘要】

1.一种氮化镓发光二极管外延晶圆制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述gan led外延层包括以下至少一项：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述重复外延生长的次数为1至9次。

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，在所述得到第一gan led外延晶圆之后，还包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述当前gan led器件的制备过程中的刻蚀深度不超过所述当前ingan或n+gan牺牲层的最底部。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述采用刻蚀工艺刻蚀所述当前器件结构层和所述当前gan led外延层以露出当前ingan或n+gan牺牲层，包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海滨，樊永辉，许明伟，樊晓兵，
申请(专利权)人：深圳市汇芯通信技术有限公司，
类型：发明
国别省市：