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本申请公开了一种氮化镓发光二极管外延晶圆及其制备方法，该方法包括：在衬底上，依次外延生长一层InGaN或n+GaN牺牲层和一层GaN LED外延层；以InGaN或n+GaN牺牲层和GaN LED外延层为一个整体，在衬底上进行多次重复外延生长...
该专利属于深圳市汇芯通信技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市汇芯通信技术有限公司授权不得商用。

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