【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及传感器，尤其涉及一种mems传感器、双电极力敏谐振元件及其制造方法。
技术介绍
1、mems微机电系统是集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的微型器件或系统。常见的产品包括mems加速度计、mems麦克风、微马达、微泵、微振子、mems光学传感器、mems压力传感器、mems陀螺仪、mems湿度传感器、mems气体传感器。以上各种传感器器件的核心部分为谐振元件，谐振元件的性能直接决定器件的产品等级。
2、现有技术的谐振元件通常通过单根振梁进行震动，来使压电层产生形变，其振梁的每次振动仅能产生一次电信号，导致输出信号的频率低，电信号输出延迟较大，同时现有技术中压电层底部的衬底会对压电层的形变产生限制，导致压电层的形变灵敏度受影响，压电层的压电模量不足，同时激励电极位于压电层的上方，导致压电层厚度较大时，远离激励电极的一侧对电场感应弱，压电转换效果差。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种mems传感器、双电极力敏谐振元件及其制造方法，旨在解决现有技术的谐振元件输出信号频率低，压电模量不足，压电层厚度较大时压电转换效果差的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供一种双电极力敏谐振元件的制造方法，包括以下步骤：
3、提供衬底，在所述衬底上开设空腔，并在所述空腔内填充氧化物形成氧化层，所述氧化层的顶面与所述衬底的顶面平齐；
4、在所述衬底和所述氧化层
5、在所述衬底上制备压电层，所述压电层覆盖所述氧化层和两个所述底层激励电极；
6、图形化所述压电层，以使所述压电层形成沿第一方向间隔设置的第一锚点和第二锚点、连接在所述第一锚点和所述第二锚点之间的两个振梁，以及两个分别对应两个所述电极接触点设置的互连孔，其中，两个所述振梁沿第二方向间隔设置，所述第一方向和所述第二方向垂直，所述第一锚点位于所述衬底上，所述第二锚点及两个所述振梁均位于所述氧化层上，两个所述振梁、所述第一锚点和所述第二锚点围成环形结构并覆盖两个所述底层激励电极；
7、在所述压电层上制备两个的上层激励电极，其中，两个所述上层激励电极分别对应两个所述底层激励电极设置，且覆盖两个所述底层激励电极所述电极接触点之外的部分；
8、在两个所述互连孔处制备加厚层，所述加厚层和与其对应的所述电极接触点电连接；
9、去除所述氧化层，以使所述第二锚点和两个所述振梁悬空设置，获得所述双电极力敏谐振元件。
10、优选地，所述提供衬底，在所述衬底上开设空腔，并在所述空腔内填充氧化物形成氧化层，所述氧化层的顶面与所述衬底的顶面平齐的步骤包括：
11、提供衬底，在所述衬底上开设空腔；
12、在所述空腔内沉积氧化物，所述氧化物的顶面凸出于所述衬底的顶面；
13、研磨凸出于所述衬底顶部的所述氧化物直至所述氧化物的顶面与所述衬底的顶面平齐，获得所述氧化层。
14、优选地，所述在所述衬底和所述氧化层上制备两个环形的底层激励电极的步骤包括：
15、在所述衬底上方铺设一层光刻胶；
16、在所述光刻胶上形成第一预设图案，以将除所述第一预设图案外的所述压电层露出，所述第一预设图案包括两个环形回路，其中一个环形回路间隔的套设于另一个所述环形回路外；
17、在所述衬底上溅镀20nm～50nm厚的tiw或100nm～1000nm厚的au形成金属层；
18、去除所述光刻胶以及所述光刻胶上的所述金属层，以形成两个所述底层激励电极。
19、优选地，所述在所述压电层上制备两个的上层激励电极的步骤包括：
20、在所述压电层上方铺设一层光刻胶；
21、在所述光刻胶上形成第三预设图案，以将所述第三预设图案下方的所述压电层露出，其中，所述第三预设图案覆盖所述第一预设图案除两个所述互连孔之外的部分；
22、在所述压电层上溅镀20nm～50nm厚的tiw或100nm～1000nm厚的au形成金属层；
23、去除所述光刻胶以及所述光刻胶上的所述金属层，以形成两个所述上层激励电极。
24、优选地，所述图形化所述压电层，以使所述压电层形成沿第一方向间隔设置的第一锚点和第二锚点、连接在所述第一锚点和所述第二锚点之间的两个振梁，以及两个分别对应两个所述电极接触点设置的互连孔的步骤包括：
25、在所述压电层上方铺设一层光刻胶；
26、在所述光刻胶上形成第二预设图案，以将除所述第二预设图案外的所述压电层露出；
27、通过干法刻蚀工艺将露出的所述压电层刻蚀，形成所述第一锚点、所述第二锚点、两个所述振梁和两个所述互连孔。
28、优选地，所述在两个所述互连孔处制备加厚层，所述加厚层和与其对应的所述电极接触点电连接的步骤包括：
29、在所述压电层上铺设一层光刻胶；
30、在所述光刻胶上开孔，以将两个所述互连孔露出；
31、在所述互连孔处沉积金属，以使沉积的所述金属凸出于所述压电层，以形成两个所述加厚层。
32、优选地，所述加厚层的材质为au，所述加厚层的厚度为500nm～5000nm。
33、优选地，所述第一锚点和所述第二锚点均呈轴对称结构，所述第一锚点和所述第二锚点的对称轴同轴，且所述对称轴沿所述第一方向延伸，两个所述振梁沿所述对称轴对称设置；和/或，
34、各所述振梁与所述第一锚点和所述第二锚点连接的两端均形成挠性支撑部，所述挠性支撑部沿所述第二方向的宽度大于所述振梁沿所述第二方向的宽度，沿所述第二方向的两个所述挠性支撑部之间形成有间隙。
35、本专利技术还提供一种双电极力敏谐振元件，包括：
36、衬底，所述衬底上开设有空腔；
37、两个底层激励电极，两个所述底层激励电极均设置在所述衬底上，两个所述底层激励电极上均设置有电极接触点，其中一个所述激励电极间隔的套设于另一个所述激励电极外侧；
38、压电层，所述压电层盖设于所述衬底和两个所述底层激励电极上，所述压电层包括第一锚点、第二锚点和连接在所述第一锚点和所述第二锚点之间的两个振梁，两个所述底层激励电极均经过所述第一锚点、所述第二锚点和两个所述振梁，所述压电层对应各所述电极接触点的位置开设有互连孔，所述第一锚点和所述第二锚点沿第一方向间隔设置，两个所述振梁沿第二方向间隔设置；
39、两个上层激励电极，两个所述上层激励电极均设置在所述压电层的上方，两个所述上层激励电极覆盖两个所述底层激励电极除所述互连孔外的部分，各所述底层激励电极通过设置在所述互连孔内的加厚层和与其对应的上层激励电极电连接。...
【技术保护点】
1.一种双电极力敏谐振元件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的双电极力敏谐振元件的制造方法，其特征在于，所述提供衬底，在所述衬底上开设空腔，并在所述空腔内填充氧化物形成氧化层，所述氧化层的顶面与所述衬底的顶面平齐的步骤包括：
3.如权利要求1所述的双电极力敏谐振元件的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底和所述氧化层上制备两个环形的底层激励电极的步骤包括：
4.如权利要求3所述的双电极力敏谐振元件的制造方法，其特征在于，所述在所述压电层上制备两个的上层激励电极的步骤包括：
5.如权利要求1所述的双电极力敏谐振元件的制造方法，其特征在于，所述图形化所述压电层，以使所述压电层形成沿第一方向间隔设置的第一锚点和第二锚点、连接在所述第一锚点和所述第二锚点之间的两个振梁，以及两个分别对应两个所述电极接触点设置的互连孔的步骤包括：
6.如权利要求1至5中任一项所述的双电极力敏谐振元件的制造方法，其特征在于，在两个所述互连孔处分别制备两个加厚层，所述加厚层和与其对应的所述电极接触点电连接包括：
7.
8.如权利要求1至5中任一项所述的双电极力敏谐振元件的制造方法，其特征在于，所述第一锚点和所述第二锚点均呈轴对称结构，所述第一锚点和所述第二锚点的对称轴同轴，且所述对称轴沿所述第一方向延伸，两个所述振梁沿所述对称轴对称设置；和/或，
9.一种双电极力敏谐振元件，其特征在于，包括：
10.一种MEMS传感器，其特征在于，所述传感器应用有如权利要求9所述的双电极力敏谐振元件。
...【技术特征摘要】
1.一种双电极力敏谐振元件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的双电极力敏谐振元件的制造方法，其特征在于，所述提供衬底，在所述衬底上开设空腔，并在所述空腔内填充氧化物形成氧化层，所述氧化层的顶面与所述衬底的顶面平齐的步骤包括：
3.如权利要求1所述的双电极力敏谐振元件的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底和所述氧化层上制备两个环形的底层激励电极的步骤包括：
4.如权利要求3所述的双电极力敏谐振元件的制造方法，其特征在于，所述在所述压电层上制备两个的上层激励电极的步骤包括：
5.如权利要求1所述的双电极力敏谐振元件的制造方法，其特征在于，所述图形化所述压电层，以使所述压电层形成沿第一方向间隔设置的第一锚点和第二锚点、连接在所述第一锚点和所述第二锚点之间的两个振梁，以及两个分别对应两个所述电...
【专利技术属性】
技术研发人员：张汪根，樊永辉，肖科，许明伟，樊晓兵，
申请(专利权)人：深圳市汇芯通信技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。