一种DFN1110-6双芯片高密度框架制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体封装制造技术领域，特别是一种DFN1110‑6双芯片高密度框架,包括板状结构的矩形框架，所述框架上设有多个芯片安装单元，相邻芯片安装单元之间设有横向连筋；所述横向连筋包括凹陷部和加强部，所述加强部的厚度大于所述凹陷部的厚度，所述加强部的一端连接其中一个芯片安装单元中的一个管脚，所述加强部的另一端连接另一个芯片安装单元中的一个管脚。通过加强部连接相邻的两个芯片安装单元，提升了相邻芯片封装单元之间的连接强度，能够芯片封装单元布置区域的面积，满足大面具排布的要求。进而提升整个框架中芯片封装单元的密度。

【技术实现步骤摘要】
一种DFN1110-6双芯片高密度框架
本技术涉及半导体封装制造
，特别是一种DFN1110-6双芯片高密度框架。
技术介绍
在半导体的制造过程中，通常是将半导体集成到引线框架上，用引线框架作为集成电路的芯片载体，形成电气回路，起到了和外部导线连接的桥梁作用。DFN1110-6双芯片小型电子元器件的芯片封装单元型号。该封装单元为矩形，尺寸为1.1mm×1.0mm，每个封装单元内包含两个芯片区域。在矩形的相对的长边分别设有三个管脚，共计6个管脚；两侧的管脚位置相对设置。在框架上设置更多的芯片安装单元一致是行业内的普遍要求。如图1所示，框架100通常矩形，多个单元分割槽200将框架100分割为多个框架单元101。多个芯片安装单元阵列排布在框架单元101中。在每个框架单元101边缘与芯片安装单元连接处的空间无法被利用。如图2所示，相邻芯片安装单元300之间设有横向连筋3，用来增强单元块的强度，目前的横向连筋3，多采用半腐蚀的方式，其厚度小于金属层的厚度。当多个芯片安装单元300排布过多，即框架单元101的面积过大时，横向连筋3的强度不能满足大面积排布的要求。公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本技术的总体背景的理解，而不应该当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
本技术的目的在于：针对现有技术存在的目前在相邻芯片安装单元之间的连筋强度不足，不能满足芯片安装单元高密度大面积排布的问题，提供一种DFN1110-6双芯片高密度框架。该框架通过将连筋的一部分设置为厚度加厚的加强筋，用加强筋连接相邻两个芯片安装单元中相对的两个管脚，增加了芯片安装单元之间的连接强度。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案为：一种DFN1110-6双芯片高密度框架，包括板状结构的框架，所述框架上设有多个芯片安装单元，相邻芯片安装单元之间设有横向连筋；所述横向连筋包括凹陷部和加强部，所述加强部的厚度大于所述凹陷部的厚度，所述加强部的一端连接其中一个芯片安装单元中的一个管脚，所述加强部的另一端连接另一个芯片安装单元中的一个管脚。在横向连筋中设置加强部，通过加强部连接分别两个相邻的芯片封装单元中的相对的管脚，且将加强部的厚度大于凹陷部的厚度，提升了相邻芯片封装单元之间的连接强度。能够提升芯片封装单元布置区域的面积，满足大面积排布的要求。进而提升整个框架中芯片封装单元的密度。作为本技术的优选方案，在所述横向连筋延展方向上，所述加强部的宽度小于加强部两端管脚的宽度。两个芯片封装单元之间的横向连筋为长条形，延展方向为横向连筋的长度方向。加强部在芯片封装后，对加强部的中部进行切割分离。通过使用宽度小于管脚宽度的加强部，在满足单元之间连接强度要求的基础上，减少了切割时金属的切割量，减少了切割时发热，进而减少因热量过高引起的管脚分层。作为本技术的优选方案，在所述横向连筋延展方向上，所述加强部连接于加强部两端管脚的中部。对加强部切割后，加强部与管脚形成T型结构，即管脚形成一个自内向外的收窄结构，塑封后，管脚缩入到塑封体内部，起到锁模作用，限制管脚从塑封体拉出。同时管脚暴露的面积变小，利于阻挡水汽进入到塑封体内部。作为本技术的优选方案，所述加强部的厚度小于或者等于加强部两端管脚的厚度。优选的加强部的厚度和加强部两端管脚厚度相同，一方面利于加工，另一方面能够最大限度的降低加强部的宽度。作为本技术的优选方案，所述芯片安装单元为矩形，芯片安装单元的一个边部设有第一管脚、第二管脚和第三管脚；相对的芯片安装单元另一个边部设有第四管脚、第五管脚和第六管脚；芯片安装单元的中部设有第一芯片区域和第二芯片区域。作为本技术的优选方案，所述第一芯片区域外围设有第一半腐蚀区域；所述第二芯片区域外围设有第二半腐蚀区域。通过在芯片区域外围设置半腐蚀区域，使得芯片区域与周围框架相连，增加芯片封装单元的强度，使得焊线更容易。作为本技术的优选方案，所述第一半腐蚀区域连接所述第一芯片区域和所述第一管脚；所述第二半腐蚀区域连接所述第二芯片区域和所述第六管脚。通过半腐蚀区域与管脚相连接，进一步提升增加芯片封装单元的强度，使得焊线更容易。作为本技术的优选方案，所述加强部包括第一加强部、第二加强部和第三加强部；相邻的两个芯片安装单元为A芯片安装单元和B芯片安装单元；所述A芯片安装单元上依次设有A单元第四管脚、A单元第五管脚和A单元第六管脚；所述B芯片安装单元上依次设有B单元第一管脚、B单元第二管脚和B单元第三管脚；所述第一加强部连接所述A单元第四管脚和所述B单元第一管脚；所述第二加强部连接所述A单元第五管脚和所述B单元第二管脚；所述第三加强部连接所述A单元第六管脚和所述B单元第三管脚。作为本技术的优选方案，所述矩形框架内设有单元分割槽，所述单元分割槽将所述矩形框架分割为两个框架单元。通过减少单元分割槽，将原有的4个框架单元，减少至两个框架单元，将减少的两个单元分割槽的空间利用起来，提升了材料利用率，降低了框架成本。作为本技术的优选方案，所述框架的边框和布置芯片安装单元的区域之间设有一圈边框切割道，所述边框切割道设有凹槽连接部和镂空部。通过设置凹槽连接部和镂空部相结合的方式，增加塑封料和框架之间的结合力，在切割分离时更容易去除边框，边框的残余塑封料也不会落入到产品中，避免对后续工序产生不良影响。作为本技术的优选方案，横向相邻的两个芯片安装单元之间设有竖向连筋，所述竖向连筋包括第一竖向加强筋和第二竖向加强筋；所述第二芯片区域和所述第三管脚之间为第一镂空区域；所述第一芯片区域和所述第四管脚之间为第二镂空区域；所述第一竖向加强筋的长度大于所述第一镂空区域的宽度；所述第二竖向加强筋的长度大于所述第二镂空区域的宽度。作为本技术的优选方案，所述框架的长为250.000±0.100mm，宽为70.000±0.050mm；分为两个框架单元，每个框架单元内布置有48排88列所述芯片安装单元。所述框架上共芯片安装单元数量为8448颗。综上所述，由于采用了上述技术方案，本技术的有益效果是：1、本技术的DFN1110-6双芯片高密度框架，通过将横向连筋中分为加强部和凹陷部，通过加强部连接分别两个相邻的芯片封装单元中的相对的管脚，且将加强部的厚度大于凹陷部的厚度，提升了相邻芯片封装单元之间的连接强度，能够芯片封装单元布置区域的面积，满足大面具排布的要求。进而提升整个框架中芯片封装单元的密度。2、本技术的DFN1110-6双芯片高密度框架，通过将加强部宽度小于管脚宽度，厚度等于管脚厚度，且加强部连接在管脚的中部，在保证连接强度的基础上，进一步降低了加强部宽度，减少了切割时金属的切割量，减少了切割时发热，进而减少因热量过高引起的管脚分层。同本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种DFN1110-6双芯片高密度框架，包括板状结构的框架(100)，所述框架(100)上设有多个芯片安装单元(300)，相邻芯片安装单元(300)之间设有横向连筋(3)；/n其特征在于，/n所述横向连筋(3)包括凹陷部(34)和加强部，所述加强部的厚度大于所述凹陷部(34)的厚度，所述加强部的一端连接其中一个芯片安装单元中的一个管脚，所述加强部的另一端连接另一个芯片安装单元中的一个管脚。/n

【技术特征摘要】
1.一种DFN1110-6双芯片高密度框架，包括板状结构的框架(100)，所述框架(100)上设有多个芯片安装单元(300)，相邻芯片安装单元(300)之间设有横向连筋(3)；
其特征在于，
所述横向连筋(3)包括凹陷部(34)和加强部，所述加强部的厚度大于所述凹陷部(34)的厚度，所述加强部的一端连接其中一个芯片安装单元中的一个管脚，所述加强部的另一端连接另一个芯片安装单元中的一个管脚。


2.根据权利要求1所述的DFN1110-6双芯片高密度框架，其特征在于，在所述横向连筋(3)延展方向上，所述加强部的宽度小于加强部两端管脚的宽度。


3.根据权利要求2所述的DFN1110-6双芯片高密度框架，其特征在于，在所述横向连筋(3)延展方向上，所述加强部连接于加强部两端管脚的中部。


4.根据权利要求1所述的DFN1110-6双芯片高密度框架，其特征在于，所述加强部的厚度小于或者等于加强部两端管脚的厚度。


5.根据权利要求1所述的DFN1110-6双芯片高密度框架，其特征在于，所述芯片安装单元(300)为矩形，芯片安装单元(300)的一个边部设有第一管脚(11)、第二管脚(12)和第三管脚(13)；相对的芯片安装单元(300)另一个边部设有第四管脚(14)、第五管脚(15)和第六管脚(16)；芯片安装单元(300)的中部设有第一芯片区域(21)和第二芯片区域(22)。


6.根据权利要求5所述的DFN1110-6双芯片高密度框架，其特征在于，所述第一芯片区域(21)外围设有第一半腐蚀区域(211)；所述第二芯片区域(22)外围设有第二半腐蚀区域(221)。


7.根据权利要求6所述的DFN1110-6双芯片高密度框架，其特征在于，所述第一半腐蚀区域(211)连接所述第一芯片区域(21...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东，崔金忠，张明聪，
申请(专利权)人：成都先进功率半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51