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本实用新型涉及半导体封装制造技术领域，特别是一种DFN1110‑6双芯片高密度框架,包括板状结构的矩形框架，所述框架上设有多个芯片安装单元，相邻芯片安装单元之间设有横向连筋；所述横向连筋包括凹陷部和加强部，所述加强部的厚度大于所述凹陷部的厚...
该专利属于成都先进功率半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都先进功率半导体股份有限公司授权不得商用。

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